In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

Gehe zu Anmeldung

1. WO2006015567 - SCHICHTANORDNUNG FÜR EIN LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

[ DE ]

Schichtanordnung für ein lichtemittierendes Bauelement

Die Erfindung betrifft eine Schichtanordnung für ein lichtemittierendes Bauelement, insbesondere eine organische phosphoreszierende Leuchtdiode (OLED).

Stand der Technik

Eine Bauelement mit einer Anordnung organischer Schichten ist beispielsweise in dem Dokument WO 03/100880 beschrieben.

Typische Realisierungen von solchen Bauelementen, wie sie beispielsweise von Baldo et al. (Appl. Phys. Lett, 75 ( 1), 4-6 (1999)) oder Ikai et al. (Appl. Phys. Lett, 79 (2), 156-158 (2001)) berichtet wurden, beruhen auf einer einfachen lichtemittierenden Schicht (EML), welche aus einer Mischung aus einem Matrixmaterial und einem Phosphorezenzdotanden besteht. Falls diese, wie in den Arbeiten von Baldo et al. (EML aus CBP (4,4'-N,N'-dicarbazole-biphenyl or 4,4'-Bis(carbazol-9yl-biphenyl)) dotiert mit Ir(ppy)3 (fac Tris(2-phenylpyridine) iridium)) und Ikai et al. (EML aus TCTA (4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine) dotiert mit Ir(ppy)3) beschrieben, vorwiegend löchertransportierenden Charakter besitzt, wird zwischen der Emissionsschicht und einer Elektronentransportschicht oder der Kathode eine sogenannte Löcherblockschicht (HBL) aus einem Material mit sehr hoher Ionisierungsenergie benötigt, nämlich bei Baldo et al. BCP (Bathocuproine, 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-l,10-phenanthroline) und bei Ikai et al. ein perfluoriertes Starburst-Material.

Hat die EML dagegen vorwiegend elektronenleitenden Charakter, wie in einer Realisierung von Adachi et al. (Appl. Phys., 90 (10), 5048-5051 (2001)), wo die EML aus dem Elelctro-nentransportmaterial TAZ (eine Derivat von 1,2,4 Triazol, zum Beispiel 3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-l,2,4-triazole), dotiert mit einem Ir-Komplex als Emitterdotand besteht, wird eine Elektronenblockschicht (EBL) aus einem Material mit sehr geringer Elek-tronenaffmität benötigt, wofür Adachi et al. 4,4'-bis[N,N'-(3-tolyl)amino]-3,3'-dimethyl-biphenyl (HM-TPD) einsetzt. Hierdurch entsteht jedoch das Problem, dass es vor allem bei hohen Leuchtdichten zur Akkumulation von Löchern / Elektronen an der Löcher- / Elektro-nenblockschicht kommt, was einen Abfall der Effizienz mit erhöhter Leuchtdichte zur Folge hat.

Ein weiteres Problem besteht darin, dass die Ladungsträgerakkumulation eine Degradation der OLED beschleunigt. Darüber hinaus sind gute Löcherblockmaterialien oft elektrochemisch instabil. Dies gilt zum Beispiel für die Verwendung der weit verbreiteten Materialien Bathocuproine (BCP), Bathophenanthroline (BPhen) und 2,2'2"(1 ,3 ,5 - benzenetriyl ) tris -[1 - phenyl - IH - benzimidazole ] (TPBI) als Löcherblockmaterialien (vgl. Kwong et al, Appl. Phys. Lett., 81, 162 (2002))

In dem Dokument WO 03/100880 werden bei einer Schichtanordnung für eine organische phosphoreszierende Leuchtdiode ambipolare lichtemittierende Schichten (EML) EMLl und

EML2 wie folgt verwendet: Anode = ITO / löchertransportierende Schicht (HTL) 1 = F4- TCNQ dotiert mit MeO-TPD / HTL 2 = Spiro-TAD / EMLl = TCTA:Ir(ppy)3 / EML2 =

BPhen:Ir(ppy)3 / elektronentransporierende Schicht (ETL) ETL2 = BPhen / ETLl =

BPheniCs dotiert / Kathode = Al. Die Barriere für eine Elektroneninjektion von EML2 in EMLl beträgt hierbei etwa 0.5eV.

Eine organische phosphoreszierende Leuchtdiode ist weiterhin in dem Dokument WO 02/071813 Al offenbart. Bei der bekannten Leuchtdiode ist ein lichtemittierender Bereich mit zwei Emissionschichten mit Löchertransporter / Elektronentransporter vorgesehen, die jeweils mit dem gleichen Triplett-Emitter-Dotand dotiert sind.

Bei den bekannten Bauelementen besteht das Problem, dass die energetische Barriere zwischen dem löchertransportierenden Material und dem elektronentransportierenden Material hoch ist, so dass es in dem lichtemittierenden Bereich zu einem Stau von Ladungsträgern kommt, was zu einer hohen Wahrscheinlichkeit für die Auslöschung von Exzitonen durch Ladungsträger (Triplett-Polaron-Quenching) führt. Darüber hinaus erfolgt die Erzeugung von Exzitonen im wesentlichen am Interface zwischen dem löchertransportierenden und dem elektronentransportierenden Teil des Bauelements. In diesem Bereich tritt deshalb eine hohe lokale Triplett-Exzitonen-Dichte auf, die eine hohe Wahrscheinlichkeit für Triplett-Triplett-Annihilation zur Folge hat. Das Triplet-Polaron-Quenching und die Triplett-Triplett- Annihilation führen zu einem Abfall der Quanteneffizienz bei höheren Stromdichten.

Die Erfindung

Aufgabe der Erfindung ist es, eine Schichtanordnung für ein lichtemittierendes Baulement, insbesondere eine phosphoreszierende organische Leuchtdiode, mit verbesserten Leuchtei-genschaften, insbesondere einer verbesserten Quantenausbeute der Phosphoreszenz bei hohen Leuchtdichten, und erhöhter Lebensdauer zu schaffen.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch eine Schichtanordnung für ein lichtemittierendes Bauelement nach dem unabhängigen Anspruch 1 gelöst. Vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind Gegenstand von abhängigen Unteransprüchen.

Die Erfindung umfaßt den Gedanken, in dem lichtemittierenden Bereich der Schichtanordnung, der auch als Emissionszone bezeichnet wird, mindestens zwei ambipolare Schichten vorzusehen, von denen eine bevorzugt Elektronen und eine andere bevorzugt Löcher trans-portiert.

Der bevorzugte Transport einer Art von Ladungsträgern, nämlich Elektronen oder Löcher, ist in einer Schicht des lichtemittierenden Bereiches ausgebildet, wenn in der Schicht die Ladungsträgerbeweglichkeit für diese eine Art von Ladungsträgern größer als die Ladungsträ-gerbeweglichkeit für die andere Art von Ladungsträgern ist und / oder wenn die Injektionsbarriere für diese eine Art von Ladungsträgern geringer als die Injektionsbarriere für die andere Art von Ladungsträgern ist.

Als ein gestaffelter HeteroÜbergang, welcher auch HeteroÜbergang vom Typ „staggered Typ II" genannt wird, zwischen einem organischen Material (Ml) und einem anderen organischen Material (M2) wird ein HeteroÜbergang bezeichnet, wenn das bevorzugt Löcher transportierende Material (Ml) sowohl eine geringere Ionisierungsenergie als auch eine geringere Elek-tronenaffmität als das bevorzugt Elektronen transportierende andere Material (M2) aufweist, was bedeutet, dass sowohl das höchste besetzte Orbital (HOMO) als auch das niedrigste un-besetzte Orbital (LUMO) für das Material (Ml) näher am Vakuumniveau liegen als dies für das andere Material (M2) der Fall ist. Hierdurch entstehen eine energetische Barriere für eine Löcherinjektion von dem Material (Ml) in das andere Material (M2) und eine energetische Barriere für eine Elektroneninjektion von dem anderen Material (M2) in das Material (Ml).

Eine Schicht auf Basis eines organischen Materials ist eine ambipolare Schicht im Sinne der vorliegendenen Anmeldung, wenn in der Schicht die Elektronenbeweglichkeit und die Löcherbeweglichkeit sich um weniger als etwa zwei Größenordnungen unterscheiden und das organische Material für die ambipolare Schicht reversibel reduzierbar und oxidierbar ist, was auf elekrochemischer Stabilität des radikal Anions und des radikal Kations des organischen Materials basiert.

Die ambipolare Eigenschaft kann bevorzugt dadurch weiter ausgeprägt werden, dass ein Löchertransportniveau (HOMO - „Highest Occupied Molecular Orbital") nicht mehr als etwa 0,4eV, vorzugsweise nicht mehr als etwa 0,3 eV, unter dem Löchertransportniveau üblicher Löchertransportmaterialien liegt, um eine Löcherinjektion zu ermöglichen. Ein übliches Löchertransportmaterial ist beispielsweise N,N'-Di(naphthalen-2-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine (NPD). Für das Referenzmaterial NPD wird eine HOMO-Energie zwischen etwa 5,5eV und etwa 5,7eV unter dem Vakuumniveau angegeben.

Ergänzend oder alternativ zu der vorangehenden Eigenschaft in Verbindung mit der HOMO-Energie wird die ambipolare Eigenschaft dadurch ausgebildet, dass das Elektronentransport-niveau des organischen Materials für die ambipolare Schicht nicht mehr als etwa 0,4eV, vorzugsweise nicht mehr als etwa 0,3 eV, über dem Elektronentransportniveau üblicher Elektro-nentransportmaterialien liegt, beispielsweise AIq3. Dieses Kriterium kann anhand von Verfahren zur Abschätzung der LUMO-Energie (LUMO - „Lowest Unoccupied Molecular Orbital") geprüft werden, die dem Fachmann als solche bekannt sind. Hierzu gehören insbesondere: a) Die Messung der Ionisierungsenergie (IP), beispielsweise mittels Photoelektronenspektroskopie, und der optischen Absoprtionskante Egopt und Abschätzung der LUMO- Energie bezüglich Vakuum als IP-Egopt. Hierbei ergeben sich für AIq3 LUMO- Energielagen zwischen etwa 2,9eV und etwa 3,IeV unter dem Vakuumniveau.
b) Elektrochemische Bestimmung des Potentials für die erste Reduktion. Hier ergibt sich für das Potential von AIq3 -2,3 V gegen Ferrozen/Ferrozen4", was einer Elektronenaffmität von etwa 2,5eV entspricht.
c) Bestimmuung der LUMO-Energielage des verwendeten organischen Materials für die ambipolare Schicht bezüglich AIq3 mittels Untersuchung der Barriere für den Elektronentransport über eine Grenzfläche zu AIq3.

Eine organische Schicht mit Ambipolaritätseigenschaft kann beispielsweise wie folgt ausgeführt werden:
i) Es wird ein unipolares organisches Matrixmaterial mit einem komplementär transportierenden Emittermaterial verwendet. Beispielsweise ist das Emittermaterial löchertranspor- tierend, wenn das Matrixmaterial elektronentransportierend ist, oder umgekehrt. Bei dieser Ausführungsform kann das Verhältnis zwischen Löcher- und Elektronenbeweglichkeit mittels der Dotierungskonzentration des Emittermaterials eingestellt werden. Eine Matrix aus einem unipolaren löchertransportierenden Matrixmaterial wird als „hole- only"-Matrix bezeichnet, wo hingegen es sich bei einer „electron-only"-Matrix um eine Matrix aus einem unipolaren elektronentransportierenden Matrixmaterial handelt, ii) Es kann ein ambipolares Matrixmaterial verwendet werden.
iii) Bei einer weiteren Ausfuhrungsform wird eine Mischung aus zwei Matrixmaterialien und einem Emittermaterial verwendet, wobei eines der Matrixmaterialien löchertransportierend und das andere Matrixmaterial elektronentransportierend ist. Das Verhältnis zwi- sehen Löcher- und Elektronenbeweglichkeit ist mittels der Mischverhältnisse einstellbar.

Die molekularen Mischverhältnisse liegen im Bereich zwischen 1 : 10 bis 10: 1.

Die Erfindung hat gegenüber dem Stand der Technik den Vorteil, dass die Anordnung aus mehreren Schichten in dem lichtemittierenden Bereich einen selbst-balancierenden Charakter für das benötigte Gleichgewicht aus Elektronen- und Löcherinjektion aufweist. Die Akkumulation von Ladungsträgern an Grenzflächen wird vermieden, und zwar sowohl an der Grenzfläche zu den angrenzenden Transport- oder Blockschichten, was insbesondere gegenüber dem bekannten lichtemittierenden Bauelement nach Adachi et al. (Appl. Phys., 90 (10), 5048-5051 (2001)) ein Vorteil ist, als auch an der inneren Grenzfläche zwischen den Schich-ten in dem lichtemittierenden Bereich, wodurch sich ein Vorteil insbesondere gegenüber dem Stand der Technik aus dem Dokument WO 02/071813 Al ergibt. Es sind hierdurch eine möglichst breite Überlappungszone der injizierten Elektronen- und Löcherverteilungen in dem lichtemittierenden Bereich der Schichtanordnung und somit eine breite Generationszone für Anregungszustände (Exzitonen) gebildet. Auf diese Weise werden sowohl Degradations-prozesse aufgrund hoher lokaler Ladungsträgerdichten als auch effizienzreduzierende Auslöschungsprozesse zwischen Ladungsträgern und Exzitonen und zwischen Exzitonen minimiert.

Es kann vorgesehen sein, dass der lichtemittierende Bereich mehr als zwei lichtemittierende Schichten umfaßt, wie dies in dem Dokument WO 03/100880 beschrieben ist, deren Inhalt mittels Referenz in die vorliegende Anmeldung integriert wird.

Die Triplett-Emitter-Dotanden für die lichtemittierende Schichten können gleich oder unterschiedlich sein.

Es können auf der Elektronen- und / oder der Löcherseite die Ladungsträger-Transportschichten und / oder die Löcher- bzw. Elektronenblockschicht wegfallen, so dass die lich-temittierenden Schichten in dem lichtemittierenden Bereich der Schichtanordnung direkt an die Kontakte (Anode, Kathode) oder an die (dotierten) Ladungsträgertransportschichten grenzen. Dies wird durch den selbstbalancierenden Charakter des Schichtsystems in der Emissionszone ermöglicht, da andernfalls Exzitonen am Metallkontakt oder Dotanden gelöscht würden oder Ladungsträger quer durch die OLED fließen und diese am anderen Kontakt oder an der dotierten Transportschicht strahlungslos rekombinieren könnten.

Ausführungsbeispiele

Die Erfindung wird im folgenden anhand von Ausführungsbeispielen unter Bezugnahme auf Figuren der Zeichnung näher erläutert. Hierbei zeigen:
Fig. 1 eine grafische Darstellung für die Stromeffizienz und die Leistungseffizienz in Abhängigkeit von der Leuchtdichte für ein lichtemittierendes Bauelement nach einer ersten Ausführungsform;
Fig. 2 eine grafische Darstellung die Leistungseffϊzienz in Abhängigkeit von der Leucht- dichte für ein lichtemittierendes Bauelement nach einer zweiten Ausführungsform;

Fig. 3 eine grafische Darstellung die Leistungseffizienz in Abhängigkeit von der Leuchtdichte für ein lichtemittierendes Bauelement nach einer vierten Ausführungsform;

Fig. 4 eine Dyade mit einem spiroverknüpften Molekül aus CBP und einer TAZ-Einheit (derartige Moleküle werden im Folgenden als DAD=Donor-Akzeptor-Dyade be- zeichnet);
Fig. 5 eine schematische Darstellung der Energieniveaus für a) eine einfaches Material mit einem zusammenhängenden π-Elektronensystem, für b) Untereinheiten D (Donor- Untereinheit) und A (Akzeptor-Untereinheit) einer DAD, bei der mindestens einer der energetischen Abstände zwischen HOMO-Niveaus oder LUMO-Niveaus der Untereinheiten so klein ist, dass der niedrigste Singulett-Anregungszustand ein Fren- kel-Exziton auf einer der Untereinheiten ist, sowie für c) Untereinheiten D und A einer DAD, bei der mindestens einer der energetischen Abstände zwischen HOMO- Niveaus oder LUMO-Niveaus der Untereinheiten so groß ist, dass der niedrigste Singulett-Anregungszustand ein Charge-Transfer-Exziton aus einem Elektron auf der Untereinheit A und einem Loch auf der Untereinheit D ist;
Fig. 6 eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbei- spiel, bei dem ein Material (Ml) für eine der Schichten EMLl in der Emissionszone ein bipolares, einkomponentiges Material und ein anderes Material (M2) für eine andere der Schichten EML2 in der Emissionszone eine "electron-only Matrix" und einen löchertransortierenden Emitterdotanden enthalten; die gestrichelten Linien repräsentieren die Energieniveaus des Emitterdotanden.
Fig. 7 eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbeispiel, dem das Material (Ml) für eine der Schichten EMLl in der Emissionszone eine Mischung eines löchertransportierenden Materials, eines elektronentransportierenden Materials und eines Triplet-Emitter-Dotanden und das andere Material (M2) für eine andere der Schichten EML2 in der Emissionszone eine "electron-only Ma- trix" enthalten;
Fig. 8 eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbeispiel, bei dem das Material (Ml) für eine der Schichten EMLl in der Emissionszone eine "hole-only Matrix", wobei ein Elektronentransport mittels Hüpfen zwischen Dotandenzuständen ausführbar ist, und das andere Material (M2) für eine andere der Schichten EML2 in der Emissionszone ein ambipolares, einkomponentiges Material enthalten;
Fig. 9 eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbeispiel, bei dem das Material (Ml) für eine der Schichten EMLl in der Emissionszone eine "hole-only Matrix" enthält, wobei ein Elektronentransport mittels Hüpfen zwi- sehen Dotandenzuständen ausführbar ist, und das andere Material (M2) für eine andere der Schichten EML2 in der Emissionszone eine Mischung eines löchertranspor- tierenden Materials, eines elektronentransportierenden Materials und eines Triplett- Emitter-Dotanden enthält;
Fig. 10 eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbeispiel, bei dem das Material (Ml) für eine der Schichten EMLl in der Emissionszone und das andere Material (M2) für eine andere der Schichten EML2 in der Emissionszone jeweils aus einem einkomponentigen, ambipolaren Material oder einer Mischung mit einem löchertransportierenden Material und einem elektronentransportierenden Material gebildet sind;
Fig. 11 eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbei- spiel, bei dem der Löchertransport in dem Material (Ml) für die Schicht EMLl in der

Emissionszone und dem anderen Material (M2) für die Schicht EML2 in der Emissionszone durch Hüpfen zwischen Zuständen des Triplett-Emitter-Dotanden stattfindet (die größere Löcherbeweglichkeit in Ml im Vergleich zu M2 ist hier durch den geringeren energetischen Abstand zum Löchertransportniveau der Matrix gegeben, so dass in Ml das Tunneln zwischen Dotandenzuständen erleichtert ist); und
Fig. 12 eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbeispiel, bei dem der Elektronentransport in dem Material (Ml) für die Schicht EMLl in der Emissionszone und dem anderen Material (M2) für die Schicht EML2 in der Emissionszone durch Hüpfen zwischen Zuständen des Triplett-Emitter-Dotanden stattfindet (die größere Elektronenbeweglichkeit in M2 im Vergleich zu Ml ist hier durch den geringeren energetischen Abstand zum Elektronentransportniveau der Matrix gegeben, so dass in M2 das Tunneln zwischen Dotandenzuständen erleichtert ist).

In der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen werden die nachfolgend genannten Abkürzungen verwendet: HTL - löchertransportierende Schicht, ETL - elektronenrans-portierende Schicht, EML - Schicht im lichtemittierenden Bereich, EBL - Elektronenblock-schicht und HBL - Löcherblockschicht.

Ausführungsbeispiel 1

Bei einem ersten Ausführungsbeispiel ist die folgende Schichtanordnung für ein lichtemittierendes Bauelement vorgesehen:

Anode = ITO /
HTLl =F4-TCNQ (tetra-fluoiO-tera-cyano-chinodimethane) dotiert in N,N,N',N'-Tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine (MeO-TPD), bei einem Mischungsverhältnis zwischen 0,lmol.% bis 10mol.% und einer Schichtdicke zwischen etwa 30nm und etwa 500nm, vorzugsweise zwischen etwa 50nm bis etwa 200nm /
HTL2 = 2,2',7,7'-Tetrakis-(N,N-diphenylamino)-9,9'-spirobifluoren (Spiro-TAD) mit einer Schichtdicke zwischen etwa lnm und etwa 30nm, bevorzugt zwischen 3nm und 15nm, wobei HTL2 bevorzugt dünner als HTLl ist /
EMLl = TCTA:Ir(ppy)3 mit einem Konzentration von Ir(ppy)3 zwischen etwa lmol.% bis etwa 50mol.%, vorzugsweise zwischen etwa 3 und etwa 30mol.%, und einer Schichtdicke zwischen etwa 2nm und etwa 30nm, vorzugsweise zwischen etwa 3nm und etwa 15nm / EML2 = TPBI:Ir(ppy)3, mit einem Konzentration von Ir(ppy)3 zwischen etwa lmol.% bis etwa 50mol.%, vorzugsweise zwischen etwa 3 und etwa 30mol.% und einer Schichtdicke zwischen etwa 2nm und etwa 30nm, vorzugsweise zwischen etwa 3nm und etwa 15nm / ETL2 = Bis-(2-methyl-8-quinolinolato)-4-(phenyl-phenolato)-aluminium-(III) (BAIq2) mit einer Schichtdicke zwischen etwa lnm und etwa 30nm, vorzugsweise zwischen etwa 3nm und etwa 15nm, wobei ETL2 bevorzugt dünner als ETLl ist. Vergleichbare Kenndaten werden mit BPhen statt BAIq2 als ETL2 erhalten.
ETLl = BPhen:Cs dotiert mit einer Cs-Konzentration zwischen etwa 0,lmol.% bis zu einem molekularen Verhältnis von 1:1 und einer Schichtdicke zwischen etwa 30nm und etwa 500nm, vorzugsweise etwa 50nm bis etwa 200nm /
Kathode = Al.

Optional kann der Elektronentransport in EMLl unterstützt werden, wenn diese Schicht aus den drei Komponenten TCTA, TPBI und Ir(ppy)3 gemischt wird, beispielsweise mit einer Mischung von 46% / 46% / 8%. Die Barriere für die Elektroneninjektion von EML2 in EMLl ist hier kleiner als etwa 0.3eV. Die Barriere für die Löcherinjektion von EMLl in EML2 liegt bei etwa OeV, da der Löchertransport in EMLl und EML2 als „Hopping" auf Ir(ppy)3 stattfindet, oder ist sogar negativ, wenn ein Loch von einem TCTA-Zustand auf einen Ir(ppy)3-Zustand in EML2 übergeht. Die Beimischung der Redox-Dotanden, zum Beispiel Akzeptoren wie F4-TCNQ oder Donatoren wie Cs, und der Emitterdotanden, nämlich Ir(ppy)3 bei dem Ausführungsbeispiel, kann zum Beispiel mittels Mischverdampfung aus zwei getrennt steuerbaren thermischen Sublimationsquellen im Vakuum oder mittels anderer geeigneter Verfah- ren erfolgen, wie beispielsweise dem nacheinander Auftragen der Materialien, zum Beispiel mittels Verdampfen im Vakuum, und dem anschließenden ineinander Diffundieren, gegebenenfalls unterstützt durch ein spezielles zeitliches Temperaturprofil.

Die Ambipolarität der EML2 wird in dem ersten Ausführungsbeispiel mittels der Löchertransporteigenschaft des Ir(ppy)3 in den Elektronentransportmaterialien TPBI und BPhen erreicht. Optional kann der EML2 noch etwas TCTA beigemischt werden, um den Löchertransport zu unterstützen, wobei die TCTA-Konzentration in EML2 stets kleiner sein sollte als in EMLl.

Ausführungsbeispiel 2

Ein zweites Ausführungsbeispiel weist einen Aufbau wie das obige Ausführungsbeispiel 1 auf, mit dem Unterschied, dass ETL2 mittels AIq3 gebildet wird: Anode = ITO / HTL1=F4-TCNQ dotiert MeO-TPD / HTL2=Spiro-TAD / EMLl = TCTA:Ir(ppy)3 / EML2 = TPBI:Ir(ppy)3 / ETL2 = AIq3 / ETLl = BPhen:Cs dotiert / Kathode = Al. Dieses Ausführungsbeispiel untermauert den selbst-balancierden Aspekt der Struktur, die es ermöglicht wahlweise ganz auf Löcher- und / oder Elektronenblockschichten zu verzichten. AIq3 hat keine löcherblockende Wirkung, ist aber stabiler als die typischen Löcherblockmaterialien wie BCP. AIq3 hilft in diesem Ausfuhrungsbeispiel bei der Elektroneninjektion von Bphen:Cs in EML2.

Ausführungsbeispiel 3

Bei einem dritten Ausführungsbeispiel ergibt sich eine vereinfachte Struktur, bei der weder eine Elektronenblockschicht noch eine Löcherblockschicht vorgesehen sind, wobei jedoch auch der Verzicht auf nur eine der Blockschichten möglich ist:
Anode = ITO / HTL1=F4-TCNQ dotiert MeO-TPD / EMLl = TCTA:Ir(ppy)3 / EML2 = TPBLIr(ppy)3 / ETLl = BPhen:Cs dotiert / Kathode = Al.

Ausführungsbeispiel 4

Ein vom Ausfuhrungsbeispiel 3 abgewandeltes Ausführungsbeispiel sieht die folgende Struktur vor: Anode = ITO / HTL1=F4-TCNQ doped MeO-TPD / HTL2=Spiro-TAD / EMLl = TCTA:Ir(ppy)3 / EML2 = TPBI:Ir(ppy)3 / ETLl = BPhen:Cs dotiert / Kathode = Al.

Fig. 3 zeigt experimentelle Ergebnisse für die Leistungseffizienz in Abhängigkeit von der Leuchtdichte für das vierte Ausführungsbeispiele (Dreiecke) sowie das fünfte Ausführungs-beispiel (Kreise).

Die vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispiele stellen sogenannte p-i-n-Strukturen dar, was bedeutet, dass in der Löchertransportschicht Akzeptoren und in der Elektronentrans-portschicht Donatoren beigemischt sind. Wenn die Donatoren in der Elektronentransport-schicht ETLl, ETL2 weggelassen werden, handelt es sich um eine sogenannte p-i-i-Struktur. Wenn die Akzeptoren in der Löchertransportschicht HTLl, HTL2 weggelassen werden, wird eine i-i-n- Struktur gebildet. Beim Weglassen von Donatoren und Akzeptoren wird eine i-i-i-Struktur gebildet. Alle Strukturen sind mit den oben beschriebenen Strukturen aus EMLl und EML2 in der Emissionszone kombinierbar.

Ausführungsbeispiel 5

Ein weiteres Ausführungsbeispiel sieht ein lichtemittierendes Bauelement mit einer Schichtanordnung vor, wobei die Schichtanordnung einen löcherinjizierenden Kontakt, optional eine oder mehrere löcherinjizierende und löchertransportierende Schichten, einen lichtemittierenden Bereich, optional eine oder mehrere elektroneninjizierende und elektronentransportierende Schichten und einen elektroneninjizierenden Kontakt aufweist, und wobei:
mindestens eine Schicht in dem lichtemittierenden Bereich aus einer Mischung eines Matrixmaterials mit einem Phosphoreszenz-Emitter-Dotand gebildet ist,
- das Matrixmaterial eine kovalent gekoppelte Dyade aus einer bipolaren oder elektronentransportierenden Struktur und einer bipolaren oder löchertransportierenden Struktur ist, und
das Dyaden-Material Untereinheiten mit getrennten π-Elektronensystemen aufweist.

Dieses lichtemittierende Bauelement nach dem Ausführungsbeispiel 5 wird vorzugsweise so gebildet, dass eine der Untereinheiten der Dyade bevorzugt zusätzliche Löcher aufnehmen kann, so dass sich eine HOMO-Wellenfunktion auf die eine der Untereinheiten konzentriert, und dass eine andere der Untereinheiten der Dyade bevorzugt zusätzliche Elektronen aufnehmen kann, so dass sich die LUMO-Wellenfunktion auf diese konzentriert (Donor-Akzeptor-Dyade).

Auch eine derart gebildete Ambipolarität des Transports im lichtemitteirenden Bereich führt zur Verbesserung, da bei Ambipolarität generell die Generationszone verbreitert wird und sich nicht mehr ausschließlich auf die unmittelbare Umgebung einer Grenzfläche konzentriert. Dies gilt vor allem dann, wenn bei einem Material die Ladungsträgerbeweglichkeiten unabhängig voneinander eingestellt werden, um möglichst ausgeglichene Verhältnisse und somit eine bevorzugte Erzeugung in der Mitte der EML zu erreichen. Dies wird mit der Verwen-düng von Donor-Akzeptor-Dyaden (DADs) aus zwei Teilen mit komplementärem Transportcharakter gewährleistet, da die Untereinheiten für den Elektronen- und den Löchertransport einzeln optimiert werden können.

Darüber hinaus weist die Verwendung von Dyaden für die Effizienz von phosphoreszierenden OLEDs die folgenden Vorteile auf. Grundsätzlich ist für OLEDs eine geringe Betriebsspannung anzustreben. Die Energie eines Ladungsträgerpaares auf dem Transportmaterial (Matrix) der Emissionszone soll möglichst nur wenig größer als die Triplett-Energie des Phosphores-zenzdotanden sein. Gleichzeitig muß das unterste Triplettniveau der Transportmaterialien in der Emissionszone eine höhere Energie aufweisen als das Triplettniveau des Emitterdotanden, da sonst das Triplett-Exziton des Emitters durch das Matrixmaterial gelöscht wird. Diese beiden Forderungen widersprechen sich insofern, als die Triplett-Energie durch Austauschwechselwirkung generell deutlich tiefer liegt als die Singulett-Energie (optische Energielücke) bzw. die Energie des freien Ladungsträgerpaares (elektrische Energielücke). Hierbei skaliert die Differenz zwischen Singulett- und Triplett-Energie mit der räumlichen Überlappung von HOMO und LUMO. Die Differenz wird somit für die Dyaden, bei denen sich das HOMO auf eine andere Untereinheit beschränkt als das LUMO, vernachlässigbar klein. Bei einem hinreichend großen Abstand sowohl der HOMO- als auch der LUMO-Energien der Untereinheiten ist der niedrigste Singulett- Anregungszustand der DAD ein Charge-Transfer-Exziton, welches eine geringere Exzitonenbindungsenergie aufweist als ein molekulares Frenkel-Exziton, so dass auch optische und elektrische Energielücke näher aneinander rücken. Insgesamt kann also die Differenz zwischen der elektrischen Energielücke der Matrix und der Triplett-Energie des Phosphoreszentdotanden bei Verwendung von DADs im Vergleich zu Materialien mit stark überlappenden HOMO- und LUMO -Orbitalen deutlich verringert werden.

Eine mögliche Realisierung einer solchen DAD ist ein spiroverknüpftes Molekül aus CBP und einer TAZ-Einheit, was in Fig. 4 gezeigt ist. Die elektrische Energielücke ist durch das HOMO von CBP und das LUMO von TAZ gegeben, während die niedrigsten Singulett- und Triplett- Anregungen den Werten der beiden Komponenten entsprechen.

Energieniveauschemata

Im folgenden werden unter Bezugnahme auf die Fig. 5 bis 12 Energieniveauschemata für ver-schiedene Ausführungsformen beschrieben, die die vorangehend beschriebenen Ausführungsbeispiele zumindest zum Teil sowie weitere Ausfuhrungsformen umfassen.

Fig. 5 zeigt eine schematische Darstellung für Energieniveaus für a) eine einfaches Material mit einem zusammenhängenden π-Elektronensystem, für b) Untereinheiten D (Donor-Unter-einheit) und A (Akzeptor-Untereinheit) einer DAD, bei der mindestens einer der energetischen Abstände zwischen HOMO-Niveaus oder LUMO-Niveaus der Untereinheiten so klein ist, vorzugsweise kleiner als etwa 0.5eV, dass der niedrigste Singulett-Anregungszustand ein Frenkel-Exziton auf einer der Untereinheiten ist, sowie für c) Untereinheiten D (Donor-Untereinheit) und A (Akzeptor-Untereinheit) einer DAD, bei der mindestens einer der ener-getischen Abstände zwischen HOMO-Niveaus oder LUMO-Niveaus der Untereinheiten so groß ist, vorzugsweise größer als etwa 0.4eV, dass der niedrigste Singulett-Anregungszustand ein Charge-Transfer-Exziton aus einem Elektron auf der Untereinheit A und einem Loch auf der Untereinheit D ist.

Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 5 c) beschreibt eine energetisch optimale Situation, die zu minimalen Betriebsspannungen führt. Für die Effizienz des Energieübertrags oder das Vermeiden von Löschprozessen an Charge-Transfer-Exzitonen, die oft zu erheblichen vibroni-schen Relaxationsprozessen führen, kann es aber sinnvoll sein, zu der energetisch weniger optimalen Situation überzugehen, die in Fig. 5 b) definiert ist und bei der der niedrigste Anregungszustand ein Frenkel-Exziton auf einer der Untereinheiten ist, da einer der energetischen Abstände („offset") kleiner ist als die Frenkel-Exzitonen-Bindungsenergie. Ein Vorteil bezüglich der Betriebsspannung im Vergleich zu einfachen Materialien mit hoher räumlicher HOMO-LUMO-Überlappung bleibt trotzdem erhalten: Hier ist zwar die Differenz zwischen Singulett- und Triplett-Anregung nicht reduziert, aber optische und elektriche Energielücke rücken näher zusammen.

Um Verwechslungen zwischen Einteilchen-Niveaus und Energien von Anregungszuständen zu vermeiden, wurden die Niveaus in Fig. 5 für Elektronen / Löcher mit Ee / Eh bezeichnet. Dies entspricht im wesentlichen den LUMO- / HOMO-Energien der Untereinheiten, wobei vor allem der Begriff LUMO in der Literatur nicht einheitlich verwendet wird, während die Anregungsenergien je nach Spin-Multiplizität mit Sn bzw. Tn bezeichnet sind. CT bezeichnet die Energie eines Charge-Transfer-Exzitons aus einem Elektron auf der Untereinheit A und einem Loch auf der Untereinheit D, welche weitgehend unabhängig von der Spin-Multiplizität ist. Im Fall b) und c) in Fig. 5 hat die Matrix bei gleich bleibender Triplett-Energie eine kleinere elektrische Energielücke (Egel), so dass die phosphoreszierende Leuchtdiode bei geringerer Betriebsspannung arbeiten kann.

Fig. 6 zeigt eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbeispiel, bei dem das Material (Ml) für eine der Schichten EMLl in der Emissionszone ein ambipolares, einkomponentiges Material enthält und das andere Material (M2) für eine andere der Schichten EML2 in der Emissionszone eine "electron-only Matrix" enthält, wobei ein Löchertransport mittels Hüpfen zwischen Dotandenzuständen ausführbar ist.

Eine obere Linie bezeichnet die LUMO-Niveaus, d.h. das jeweilige Elektronentransportni-veau. Die untere Linie bezeichnet die HOMO-Niveaus, d.h. die Löchertransportniveaus. Des weiteren sind eine Anode A und eine Katode K gezeigt, die mittels ihres Fermi-Niveaus symbolisiert sind. Bei den dargestellten Ausfuhrungsbeispiel wird angenommen, dass HTLl p-dotiert und HTL2 n-dotiert sind. Die in Fig. 6 gestrichtelt dargestellten Energieniveaus in den Emissionsschichten EMLl und EML2 symbolisieren die Niveaus der Emitterdotanden. Pfeile 60, 61 deuten auf das Energieniveau, auf dem Ladungsträgertransport stattfindet. Pfeile 62, 63 bezeichnen den bevorzugten Transporttyp eines Materialsystems. Von Bedeutung ist die energetische Anordnung der HOMO- und der LUMO-Energie-Niveaus in den EMLs und die Tatsache, dass der HOMO- Abstand zwischen HTL2 und EMLl sowie der LUMO- Abstand zwischen zwischen ETL2 und EML2 nicht zu groß ist. Dieser Abstand ist vorzugsweise kleiner etwa 0,5eV, bevorzugt kleiner als etwa 0,3eV.

Fig. 7 zeigt eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbeispiel, dem das Material (Ml) für eine der Schichten EMLl in der Emissionszone eine Mischung eines löchertransportierenden Materials, eines elektronentransportierenden Materials und eines Triplett-Emitter-Dotanden enthält und das andere Material (M2) für eine andere der Schichten EML2 in der Emissionszone eine "electron-only Matrix" enthält, wobei ein Löchertransport mittels Hüpfen zwischen Dotandenzuständen ausführbar ist. Die gepunkteten Linien bezeichnen die Energieniveaus des Emitter-Dotanden. Die Strich-Punkt-Linie bezeichnet das Energieniveau einer Elektronentransportkomponente in EMLl. Schließlich bezeichnet die durchgezogene Linie in EMLl das Energieniveau der Löchertransportkompo-nente.

Fig. 8 zeigt eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbeispiel, bei dem das Material (Ml) für eine der Schichten EMLl in der Emissionszone eine "hole-only Matrix" enthält, wobei ein Elektronentransport mittels Hüpfen zwischen Dotan-denzuständen ausführbar ist, und das andere Material (M2) für eine andere der Schichten EML2 in der Emissionszone ein ambipolares, einkomponentiges Material enthält.

Fig. 9 zeigt eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbeispiel, bei dem das Material (Ml) für eine der Schichten EMLl in der Emissionszone eine "hole-only Matrix" enthält, wobei ein Elektronentransport mittels Hüpfen zwischen Dotandenzuständen ausführbar ist, und das andere Material (M2) für eine andere der Schichten EML2 in der Emissionszone eine Mischung eines löchertransportierenden Materials, eines elektronentransportierenden Materials und eines Triplett-Emitter-Dotanden enthält. Die gestrichelten Linien bezeichnen wieder die Energieniveaus des Triplett-Emitter-Dotanden. Die Strich-Punkt-Linien in Fig. 9 bezeichnen die Energieniveaus der Elektronentransportkomponente in der Schicht EML2. Schließlich bezeichnet die durchgezogene Linie in der Schicht EML2 die Energieniveaus der Löchertransportkomponente.

Fig. 10 zeigt eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausfuhrungsbeispiel, bei dem das Material (Ml) für eine der Schichten EMLl in der Emissionszone und das andere Material (M2) für eine andere der Schichten EML2 in der Emissionszone jeweils aus einem einkomponentigen, ambipolaren Material oder einer Mischung eines löcher-transportierenden Materials und eines elektronentransportierenden Materials gebildet sind. Für die Transportmaterialien in den Schichten EMLl und EML2 sind nur die für den Transport wichtigen Energieniveaus dargestellt, nicht aber die unbeteiligten Energieniveaus im Fall von Mischmaterialien.

Fig. 11 zeigt eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbeispiel, bei dem der Löchertransport in beiden Materialien (Ml) und (M2) für die Schichten EMLl, EML 2 in der Emissionszone durch Hüpfen zwischen Zuständen des Tri-plett-Emitter-Dotanden stattfindet, wobei in dem Material (Ml) ein HOMO-Niveau eines Matrixmaterials näher an einem HOMO-Niveau des Triplett-Emitter-Dotanden gebildet ist als in dem anderen Material (M2), so dass eine Tunnelbarriere für ein Hüpfen zwischen den Triplett-Emitter-Dotanden in dem Material (Ml) in EMLl kleiner als eine Tunnelbarriere für ein Hüpfen zwischen den Dotanden in dem anderen Material (M2) in EML2 ist und so dass die effektive Löcherbeweglichkeit in dem Material (Ml) höher als die effektive Löcherbeweglichkeit in dem anderen Material (M2) ist.

Für die Transportmaterialien in den Schichten EMLl und EML2 sind nur die für den Transport wichtigen Energieniveaus dargestellt, nicht aber die unbeteiligten Energieniveaus im Fall von Mischmaterialien. Die Energieniveaus sind ähnlich wie die Energieniveaus bei dem Ausführungsbeispiel nach Fig. 6 angeordnet, wobei der Unterschied besteht, dass in der Schicht EMLl jetzt ein Löchertransport mittels Hüpfen zwischen den Triplett-Emitter-Dotanden angenommen wird. Ob der Transport mittels Hüpfen zwischen Triplett-Emitter-Dotanden oder als Transport auf der Matrix mit den Dotanden als Haftstellen abläuft, hängt sowohl von der Dotandenkonzentration als auch von der Traptiefe ab, bei der es sich um die energetische Differenz zwischen dem HOMO-Energieniveau der Matrix und dem HOMO-Energieniveau der Triplett-Emitter-Dotanden handelt.

Fig. 12 zeigt eine schematische Darstellung eines Energieniveauschemas für ein Ausführungsbeispiel, bei dem der Elektronentransport in dem Material (Ml) für die Schicht EMLl in der Emissionszone und dem anderen Material (M2) für die Schicht EML2 in der Emissionszone durch Hüpfen zwischen Zuständen des Triplett-Emitter-Dotanden stattfindet, wobei in dem anderen Material (M2) ein LUMO-Niveau eines Matrixmaterials näher an einem LUMO-Ni veau des Triplett-Emitter-Dotanden gebildet ist als in dem Material (Ml), so dass eine Tunnelbarriere für ein Hüpfen von Elektronen zwischen den Triplett-Emitter-Dotanden in dem anderen Material (M2) kleiner als eine Tunnelbarriere für ein Hüpfen zwischen den Dotanden in dem Material (Ml) ist und so dass die effektive Elektronenbeweglichkeit in dem anderen Material (M2) höher als die effektive Elektronenbeweglichkeit in dem Material (Ml) ist.

Für die Transportmaterialien in den Schichten EMLl und EML2 sind in Fig. 12 nur die für den Transport wichtigen Energieniveaus gezeigt, nicht aber die unbeteiligten Energieniveaus im Fall von Mischmaterialien. Die Energieniveaus sind ähnlich dem Ausführungsbeispiel in Fig. 9 angeordnet, wobei der Unterschied besteht, dass in der Schicht EML2 jetzt Elektronen-Transport mittels direktem Hüpfen zwischen den Dotanden ausgeführt wird.

Weitere Materialbeispiele

Nachfolgend werden weitere Beispiele für Materialien angegeben, die in den verschiedenen erläuterten Ausführungsformen angewendet werden können.

In den beschriebenen Ausführungsbeispielen können die folgenden Materialien als bevorzugt oder ausschließlich löchertransportierende Matrixmaterialien in der Emissionszone verwendet werden:

1) Molekül, welches Triarylamine-Einheiten umfasst, insbesondere Derivate von TPD, NPD oder deren Spiro-verkαüpften Dyaden (Sprio-Verknüpfung sind beispielsweise in dem Dokument US 5,840,217 beschrieben), Derivate von TDATA wie m-MTDATA, TNATA, etc. oder Derivate von TDAB (vgl. Y. Shirota, J. Mater. Chem., 10 (I)3 1-25 (2000)).
TDAB:

Starburst = TDAB
1 ,3,5-tris(diphenylamino)benzen

Weitere aromatische Amine sind in den Dokumenten US 2002/098379 und US 6,406,804 beschrieben.

2) Molekül, welches Thiophen-Einheiten umfasst.

3) Molekül, welches Phenylen-Vinylen-Einheiten umfasst.

Als bevorzugt bzw. ausschließlich elektronentransportierende Matrixmaterialien können für die Schichten EML in der Emissionszone die folgenden Komponenten verwendet werden:

1) Oxadiazole
OXD:

\\ //
N — N

2) Triazole
TAZ:
Z I
-Y
χ^/NV
\\ //
N — N

3) Benzothiadiazole

4) Benzimidazoles,

insbesondere N-arylbenzimidazoles wie TPBI

5) Bipyridine


6) Moleküle mit Cyanovinyl-Gruppen (vgl. K. Naito, M. Sakurai, S. Egusa, J. Phys. Chem. A, 101, 2350 (1997)), insbesondere 7- oder 8-Cyano-Para-Phenylenvinylen-Derivate


7) Quinoline

8) Quinoxaline (vgl. M. Redecker, D.D.C. Bradley, M. Jandke, P. Strohriegl, Appl. Phys. Lett., 75 (1), 109-111 (1999))


9) Triarylboryl-Derivate (vgl. Y. Shirota, J. Mater. Chem., 10 (1), 1-25 (2000))


10) Silol-Derivate, insbesondere Derivate von Silacyclopentadien, beispielsweise 2,5- bis(2('),2(')-bipyridin-6-yl)- 1 , 1 -dimethyl-3 ,4-diphenylsilacyclopentadiene
(PyPySPyPy)

oder

l,2-bis(l-methyl-2,3,4,5-tetraphenylsilacyclopentadienyl)ethane
(2PSP)



(vgl. H. Murata, Z.H. Kafafi, M. Uchida, Appl. Phys. Lett., 80 (2), 189-191 (2002))

11) Cyclooctatetraenes (vgl. P. Lu, H.P. Hong, G.P. Cai, P. Djurovich, W.P. Weber, M.E. Thompson, J. Amer. Chem. Soc, 122 (31), 7480-7486 (2000))


12) Chinoide Strukturen, einschließlich chinoide Thiophen-Derivaten

13) Pyrazolines



(vgl. Z.M. Zhang, R.F. Zhang, F. Wu, Y.G. Ma, G.W. Li, WJ. Tian, J.C. Shen, Cliin. Phys. Lett., 17 (6), 454-456 (2000))

14) Andere heterozyklische Verbindungen mit mindestens einem Stickstoff- oder einem Sauer stoff atom als Heteroatom.

15) Ketone

16) Zyclopentadienyl basierte radikalische Elektronentransporter, insbesondere Derivate von Pentaaryl-Zyklopentadien (vgl. US 5,811,833)


17) Benzothiadiazole (vgl. R. Pacios, D.D.C. Bradley, Synth. Met., 127 (1-3), 261-265 (2002))


18) Naphthalen-Dicarbonsäure- Anhydride,


19) Naphthalene-Dicarbonsäure-Imide


und Naphthalene-Dicarbonsäure-Imidazole


20) Perfluorierte Oligo-Para-Phenyle (vgl. AJ. Campbell, D.D.C. Bradley, H. Antoniadis, Appl. Phys. Lett, 79 (14), 2133-2135 (2001))


Weitere mögliche Strukturelemente, die Elektronentransport begünstigen, sind in dem Doku-ment US 2002/098379 beschrieben.

Bei einer weiteren Ausfuhrungsform des lichtemittierenden Bauelementes gehört das bipolare, einkomponentige Material einer der folgenden Materialklassen an:

1) Kovalent gekoppelte Dyade aus einer bipolaren oder elektronen-transportierenden Struktur und einer bipolaren oder löchertransportierenden Struktur, wobei Unterstrukturen getrennte π-Elektronensysteme aufweisen.

Derartige Strukturen sind zum Beispiel als eine Spiro-Verknüpfung einer Donoreinheit und einer Akzeptoreinheit realisiert worden (vgl. beispielsweise DE 44 46 818 Al, R.

Pudzich, J. Salbeck, Synthet. Metal., 138, 21 (2003) und T. P. I Saragi, R. Pudzich, T. Fuhrmann, J. Salbeck, Appl. Phys. Lett., 84, 2334 (2004)). Der Fokus der Arbeiten von Pudzich und Salbeck lag auf der Vereinigung der Funktinen von Ladungsträgertransport und effizienter Emission in einem Molekül und auf der Realisierung von lichtempfmdli- chen Transistoren. Ein möglicher besonders vorteilhafter Einsatz solcher Verbindungen als Matrix für Phosphoreszenz-Emitterdotanden aufgrund des günstigen Verhältnisses aus elektrischer Bandlücke und dem untersten Triplettniveau wird von den Autoren nicht erwähnt.

Dyaden aus elektronenleitenden und löcherleitenden Strukturen sind auch im in dem

Dokument US 6,406,804 erwähnt. Sie sollen laut diesem Patent als Matrix für fluoreszierende Emittermoleküle dienen.

2) Molekül, welches mittels geeigneter Strukturelemente, die ein gemeinsames π-Elektro- nensystem aufweisen, einerseits Untereinheiten, welche bevorzugt zusätzliche Löcher aufnehmen und auf die sich folglich die HOMO-Wellenfunktion konzentriert, und andererseits weitere Untereinheiten aufweist, die bevorzugt zusätzliche Elektronen aufneh- men, auf die sich folglich die LUMO- Wellenfunktion konzentriert (vgl. z.B. Y. Shirota,

M. Kinoshita, T. Noda, K. Okumoto, T. Ohara, J. Amer. Chem. Soc, 122 (44), 11021- 11022 (2000) oder R. Pudzich, J. Salbeck, Synthet. Metal., 138, 21 (2003)).

3) Push-Pull-substituiertes Molekül (Molekül, welches durch geeignete elektronenziehen- de- bzw. elektronenschiebende Substituenten Untereinheiten aufweist, die bevorzugt zusätzliche Löcher aufnehmen und auf die sich folglich die HOMO-Wellenfunktion konzentriert und andere Untereinheiten, die bevorzugt zusätzliche Elektronen aufnehmen, auf die sich folglich die LUMO- Wellenfunktion konzentriert).

4) Molekül, welches Carbazol-Einheiten enthält, insbesondere CBP.


5) Molekül, welches Fluoren-Einheiten enthält (vgl. AJ. Campbell, D.D.C. Bradley, H.

Antoniadis, Appl. Phys. Lett, 79 (14), 2133-2135 (2001)).


6) Molekül, welches Porphyrin- oder Phthalocyanin Einheiten enthält (vgl. A. Ioannidis, J.P. Dodelet, J. Phys. Chem. B, 101 (26), 5100-5107 (1997)).

7) Molekül, welches para-Oligophenyl mit mehr als drei in Parastellung verkoppelte Phe- nyl-Einheiten enthält.

8) Molekül, welches Anthrazen, Tetrazen oder Pentazen-Einheiten enthält.


9) Molekül, welches Perylen enthält.


10) Molekül, welches Pyren enthält.


Die in der vorstehenden Beschreibung und den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebiger Kombination für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen von Bedeutung sein.