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1. WO2006015567 - SCHICHTANORDNUNG FÜR EIN LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2006/015567
Veröffentlichungsdatum 16.02.2006
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2005/001076
Internationales Anmeldedatum 16.06.2005
IPC
H01L 51/50 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
50besonders ausgebildet zur Lichtemission, z.B. organische lichtemittierende Dioden (OLED) oder polymere lichtemittierende Bauelemente (PLED)
CPC
H01L 2251/308
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2251Indexing scheme relating to organic semiconductor devices covered by group H01L51/00
30Materials
301Inorganic materials
303Oxides, e.g. metal oxides
305Transparent conductive oxides [TCO]
308composed of indium oxides, e.g. ITO
H01L 51/0051
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0051Charge transfer complexes
H01L 51/0052
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0052Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
H01L 51/0059
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0059Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine
H01L 51/0062
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0062aromatic compounds comprising a hetero atom, e.g.: N,P,S
H01L 51/0072
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0062aromatic compounds comprising a hetero atom, e.g.: N,P,S
0071Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
0072comprising only nitrogen in the heteroaromatic polycondensed ringsystem, e.g. phenanthroline, carbazole
Anmelder
  • NOVALED AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • TECHNISCHE UNIVERSITÄT DRESDEN [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • HE, Gufeng [CN]/[DE] (UsOnly)
  • PFEIFFER, Martin [DE]/[DE] (UsOnly)
  • BLOCHWITZ-NIMOTH, Jan [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • HE, Gufeng
  • PFEIFFER, Martin
  • BLOCHWITZ-NIMOTH, Jan
Vertreter
  • BITTNER, Thomas
Prioritätsdaten
04019276.713.08.2004EP
10 2004 039 594.213.08.2004DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) SCHICHTANORDNUNG FÜR EIN LICHTEMITTIERENDES BAUELEMENT
(EN) LAYER ARRANGEMENT FOR A LIGHT-EMITTING COMPONENT
(FR) ENSEMBLE DE COUCHES POUR UN COMPOSANT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung bezieht sich auf eine Schichtanordnung für ein lichtemittierendes Bauelement, insbesondere eine phosphoreszierende organische Leuchtdiode, mit einem löcherinjizierenden Kontakt und einem elektroneninjizierenden Kontakt, die jeweils mit einem lichtemittierenden Bereich verbunden sind, wobei in dem lichtemittierenden Bereich eine lichtemittierende Schicht aus einem Material (M1) und eine andere lichtemittierende Schicht aus einem anderen Material (M2) gebildet sind, wobei das Material (M1) ambipolar und bevorzugt Löcher transportierend gebildet ist und das andere Material (M2) ambipolar und bevorzugt Elektronen transportierend gebildet ist; in dem lichtemittierenden Bereich mit dem Material (M1) und dem anderen Material (M2) ein Heteroübergang gebildet ist; eine Grenzfläche zwischen dem Material (M1) und dem anderen Material (M2) von der Art 'staggered Typ II' ist; das Material (M1) und das andere Material (M2) eine jeweilige Beimischung eines oder mehrerer Triplett-Emitter-Dotanden enthalten; und eine Energiebarriere für einen Löcherübertrag von dem Material (M1) in das andere Material (M2) und eine Energiebarriere für einen Elektronenübertrag von dem anderen Material (M2) in das Material (Ml) jeweils kleiner als etwa 0.4eV sind.
(EN)
The invention relates to a layer arrangement for a light-emitting component, especially a phosphorescent organic light-emitting diode, which comprises a hole-injecting contact and an electron-injecting contact, each linked with a light-emitting area. Said light-emitting area comprises a light-emitting layer from a material (M1) and another light-emitting layer from another material (M2), the material (M1) being ambipolar and preferably adapted to transport holes and the other material (M2) being ambipolar and adapted to transport electrons. A heterojunction is configured in the light-emitting area comprising the material (M1) and the other material (M2). A boundary surface between the material (M1) and the other material (M2) is of the staggered type II. The material (M1) and the other material (M2) contains admixed thereto one or more triplet emitter doping agents. An energy barrier for hole migration from the material (M1) to the other material (M2) and an energy barrier for electron migration from the other material (M2) to the material (M1) are each smaller than approximately 0.4 eV.
(FR)
Ensemble de couches pour un composant émetteur de lumière, en particulier une diode électroluminescente organique phosphorescente, qui possède un contact injecteur de trous d'électrons et un contact injecteur d'électrons, reliés chacun à une zone émettrice de lumière. Ladite zone émettrice de lumière comporte une couche émettrice de lumière constituée d'une matière (M1) et une autre couche émettrice de lumière constituée d'une autre matière (M2), la matière (M1) étant ambipolaire et de préférence conçue pour transporter des trous et l'autre matière (M2) étant ambipolaire et de préférence conçue pour transporter des électrons. Une hétérojonction est formée dans la zone émettrice de lumière pourvue de la matière (M1) et de l'autre matière (M2). Une surface limite entre la matière (M1) et l'autre matière (M2) est du type II décalé. La matière (M1) et l'autre matière (M2) contiennent chacune une matière ajoutée constituée d'un ou plusieurs agents dopants émetteurs à l'état triplet, et une barrière d'énergie pour le transfert de trous de la matière (M1) dans l'autre matière (M2) et une barrière d'énergie pour un transfert d'électrons de l'autre matière (M2) dans la matière (M1) sont chacune inférieure à environ 0,4 eV.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten