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1. WO2006013138 - VERFAHREN ZUR BILDUNG VON SPEICHERSCHICHTEN

Veröffentlichungsnummer WO/2006/013138
Veröffentlichungsdatum 09.02.2006
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2005/053144
Internationales Anmeldedatum 01.07.2005
IPC
H01L 51/40 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
05besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
40Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
H01L 51/30 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
05besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
30Materialauswahl
G11C 13/02 2006.01
GPhysik
11Informationsspeicherung
CStatische Speicher
13Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung von Speicherelementen, soweit sie nicht von den Gruppen G11C11/ , G11C23/ oder G11C25/215
02mit Elementen, deren Wirkungsweise auf chemischen Änderungen beruht
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G11C 13/0014
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
0014comprising cells based on organic memory material
G11C 2213/11
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
2213Indexing scheme relating to G11C13/00 for features not covered by this group
10Resistive cells; Technology aspects
11Metal ion trapping, i.e. using memory material including cavities, pores or spaces in form of tunnels or channels wherein metal ions can be trapped but do not react and form an electro-deposit creating filaments or dendrites
H01L 51/0003
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
0003using liquid deposition, e.g. spin coating
H01L 51/0036
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
0036Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
H01L 51/0051
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0051Charge transfer complexes
Anmelder
  • QIMONDA AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • ENGL, Reimund [DE]/[DE] (UsOnly)
  • SCHUMANN, Jörg [DE]/[DE] (UsOnly)
  • WALTER, Andreas [DE]/[DE] (UsOnly)
  • SEZI, Recai [DE]/[DE] (UsOnly)
  • MALTENBERGER, Anna [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • ENGL, Reimund
  • SCHUMANN, Jörg
  • WALTER, Andreas
  • SEZI, Recai
  • MALTENBERGER, Anna
Vertreter
  • KOTTMANN, Dieter
Prioritätsdaten
10 2004 037 151.230.07.2004DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR BILDUNG VON SPEICHERSCHICHTEN
(EN) METHOD FOR FORMING MEMORY LAYERS
(FR) PROCEDE POUR FORMER DES COUCHES DE MEMOIRE
Zusammenfassung
(DE)
Der Gegenstand der vorliegenden Anmeldung ist ein Verfahren zur Herstellung von Schichten bestehend aus einer ersten Schicht aus einem Metall und einer zweiten Schicht einer or­ganischen Verbindung, wobei das Metall und die organische Verbindung eine Wechselwirkung eingehen, so dass die Schicht als elektroaktive Schicht für nichtflüchtige Speicher dient, wobei die Metallschicht auf ein Substrat abgeschieden und ge­gebenenfalls strukturiert wird, anschließend mit einer orga­nischen Verbindung beschichtet wird und mit einer zweiten or­ganischen Verbindung behandelt wird.
(EN)
The invention relates to a method for producing layers consisting of a first layer made of metal and a second layer made of an organic compound. The metal and the organic compound interact such that the layer acts as an electroactive layer for non-volatile memories. The metal layer is deposited on a substrate and is optionally structured. Subsequently, it is coated with an organic compound and is treated with a second organic compound.
(FR)
L'invention concerne un procédé servant à produire des couches composées d'une première couche en métal et d'une deuxième couche constituée d'un composé organique, le métal et le composé organique interagissant de sorte que la couche sert de couche électroactive pour des mémoires rémanentes. Selon l'invention, la couche métallique est déposée sur un substrat et est éventuellement structurée. Elle est ensuite revêtue d'un composé organique et est traitée à l'aide d'un deuxième composé organique.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten