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1. WO2006012839 - RESISTIV ARBEITENDER SPEICHER FÜR LOW-VOLTAGE-ANWENDUNGEN

Veröffentlichungsnummer WO/2006/012839
Veröffentlichungsdatum 09.02.2006
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2005/001277
Internationales Anmeldedatum 20.07.2005
IPC
G11C 13/02 2006.01
GPhysik
11Informationsspeicherung
CStatische Speicher
13Digitale Speicher, gekennzeichnet durch die Verwendung von Speicherelementen, soweit sie nicht von den Gruppen G11C11/ , G11C23/ oder G11C25/215
02mit Elementen, deren Wirkungsweise auf chemischen Änderungen beruht
H01L 51/00 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
H01L 51/30 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
05besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
30Materialauswahl
H01L 27/28 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
28mit Schaltungselementen, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen Materialien mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen
CPC
B82Y 10/00
BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
82NANOTECHNOLOGY
YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
10Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
G11C 13/0014
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
0014comprising cells based on organic memory material
G11C 13/0016
GPHYSICS
11INFORMATION STORAGE
CSTATIC STORES
13Digital stores characterised by the use of storage elements not covered by groups G11C11/00, G11C23/00 - G11C25/00
0002using resistive RAM [RRAM] elements
0009RRAM elements whose operation depends upon chemical change
0014comprising cells based on organic memory material
0016comprising polymers
H01L 27/285
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
285Integrated circuits with a common active layer, e.g. cross point devices
H01L 51/0035
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
H01L 51/0051
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
005Macromolecular systems with low molecular weight, e.g. cyanine dyes, coumarine dyes, tetrathiafulvalene
0051Charge transfer complexes
Anmelder
  • QIMONDA AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • WALTER, Andreas [DE]/[DE] (UsOnly)
  • WEITZ, Thomas [DE]/[DE] (UsOnly)
  • ENGL, Reinmund [DE]/[DE] (UsOnly)
  • SEZI, Recai [DE]/[DE] (UsOnly)
  • MALTENBERGER, Anna [DE]/[DE] (UsOnly)
  • SCHUMANN, Jörg [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • WALTER, Andreas
  • WEITZ, Thomas
  • ENGL, Reinmund
  • SEZI, Recai
  • MALTENBERGER, Anna
  • SCHUMANN, Jörg
Vertreter
  • KOTTMANN, Dieter
Prioritätsdaten
10 2004 037 150.430.07.2004DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) RESISTIV ARBEITENDER SPEICHER FÜR LOW-VOLTAGE-ANWENDUNGEN
(EN) RESISTIVE MEMORY FOR LOW VOLTAGE APPLICATIONS
(FR) MEMOIRE RESISTIVE POUR APPLICATIONS BASSE TENSION
Zusammenfassung
(DE)
Es werden neue Speicherzellen bereitgestellt, die zwei Elektroden aufweisen und eine dazwischen angeordnete Schicht aus einem aktiven Material, das (a) [1,2]Dithiolo-[4,3-c]-1,2dithiol-3,6-dithion, (b) (2,4,7-Trinitro-9-fluornyliden)malonsäuredinitril; und gegebenenfalls (c) ein Polymer enthält. Des Weiteren wird ein Verfahren zur Herstellung der erfindungsgemäßen Zellen bereitgestellt sowie die neue Verwendung einer Zusammensetzung, die als aktives Material für die Speicherzellen verwendet werden kann.
(EN)
The invention relates to novel memory cells comprising two electrodes and a layer composed of an active material that is located between said electrodes. The active material contains (a) [1,2]dithiolo-[4,3-c]-1,2-dithiol-3,6-dithione, (b) (2,4,7-trinitro-9-fluoronylidene) malonitrile and optionally (c) a polymer. The invention also relates to a method for producing the inventive cells and to the novel use of a composition that can be used as the active material for the memory cells.
(FR)
L'invention concerne de nouvelles cellules de mémoire comportant deux électrodes et une couche intermédiaire en matière active contenant [1,2]dithiolo-[4,3-c]-1,2dithiol-3,6-dithione, du dinitrile d'acide malonique (2,4,7-trinitro-9-fluoronylidene) et éventuellement un polymère. La présente invention porte également sur un procédé pour produire ces cellules et sur l'utilisation nouvelle d'un composé servant de matière active pour lesdites cellules de mémoire.
Auch veröffentlicht als
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten