WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2006008080) HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM AUF MINDESTENS EINER OBERFLÄCHE ANGEORDNETEN ELEKTRISCHEN KONTAKT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2006/008080    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2005/007711
Veröffentlichungsdatum: 26.01.2006 Internationales Anmeldedatum: 15.07.2005
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    09.05.2006    
IPC:
H01L 33/38 (2010.01)
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E. V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c, 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
METTE, Ansgar [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GLUNZ, Stephan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
PREU, Ralf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHETTER, Christian [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: METTE, Ansgar; (DE).
GLUNZ, Stephan; (DE).
PREU, Ralf; (DE).
SCHETTER, Christian; (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 034 435.3 16.07.2004 DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT EINEM AUF MINDESTENS EINER OBERFLÄCHE ANGEORDNETEN ELEKTRISCHEN KONTAKT
(EN) SEMICONDUCTOR ELEMENT WITH AN ELECTRIC CONTACT ARRANGED ON AT LEAST ONE SURFACE
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR POURVU D'UN CONTACT ELECTRIQUE SITUE SUR AU MOINS UNE SURFACE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem auf mindestens einer Oberfläche angeordneten elektrischen Kontakt, bei welchem über diese Oberfläche sowohl elektrische als auch optische Leistung in das Halbleiterbauelement ein- und/oder auskoppelbar ist, wobei der Kontakt an mindestens einer auf der Oberfläche angeordneten Kante angeordnet und durch galvanische oder außenstromlose Abscheidung eines Metalls oder einer Legierung erhältlich ist. Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelementes, bei welchem zunächst eine Kante an einer Oberfläche des Halbleiters ausgebildet wird und nachfolgend ein Kontakt galvanisch oder außenstromlos bei gleichzeitiger Einstrahlung von Licht an der Kante abgeschieden wird.
(EN)The invention relates to a semiconductor element provided with an electric contact arranged on at least one surface, wherein electric and optical power can be introduced into the semiconductor element and/or decoupled therefrom via said surface. The contact is arranged on at least one edge disposed on the surface and can be obtained by galvanic or electroless deposition of a metal or alloy. The invention also relates to a method for the production of a semiconductor element, wherein initially one edge is formed on a surface of the semiconductor, whereupon a contact is galvanically or electrolessly deposited on the edge with irradiation of light.
(FR)Composant semi-conducteur pourvu d'un contact électrique situé sur au moins une surface, dans lequel une puissance tant électrique qu'optique peut être introduite, par l'intermédiaire de cette surface, dans le composant semi-conducteur ou découplée de ce dernier, le contact se trouvant sur au moins une arête située sur la surface et pouvant être obtenu par dépôt galvanique ou sans courant externe d'un métal ou d'un alliage. La présente invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un composant semi-conducteur selon lequel une arête est d'abord formée sur une surface du semi-conducteur, puis un contact est déposé sur l'arête par galvanisation ou sans courant externe, avec exposition simultanée à de la lumière.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)