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1. (WO2006003086) INTEGRIERTE SCHALTUNGSANORDNUNG MIT PIN-DIODE UND HERSTELLUNGVERFAHREN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2006/003086    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2005/052809
Veröffentlichungsdatum: 12.01.2006 Internationales Anmeldedatum: 17.06.2005
IPC:
H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 31/105 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
LANGGUTH, Gernot [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MÜLLER, Karlheinz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
WILLE, Holger [DE/US]; (US) (For US Only)
Erfinder: LANGGUTH, Gernot; (DE).
MÜLLER, Karlheinz; (DE).
WILLE, Holger; (US)
Vertreter: KARL, Frank; Patentanwälte Kindermann, Postfach 100234, 85593 Baldham (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 031 606.6 30.06.2004 DE
Titel (DE) INTEGRIERTE SCHALTUNGSANORDNUNG MIT PIN-DIODE UND HERSTELLUNGVERFAHREN
(EN) INTEGRATED CIRCUIT ARRANGEMENT COMPRISING A PIN DIODE, AND PRODUCTION METHOD
(FR) ENSEMBLE CIRCUIT INTEGRE DOTE D'UNE DIODE PIN ET PROCEDE DE REALISATION ASSOCIE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Erläutert wird unter anderem eine integrierte Schaltungsan­ordnung (10), die eine pin-Fotodiode (14) und einen kochdo­tierten Anschlussbereich (62) eines Bipolartransistors (58) enthält. Durch eine geschickte Verfahrensführung wird ein Zwischenbereich (30) der pin-Diode (14) mit einer großen Tiefe und ohne Autodoping in einem mittleren Bereich herge­stellt.
(EN)Disclosed is an integrated circuit arrangement (10), among other things, comprising a pin photodiode (14) and a highly doped connecting area (62) of a bipolar transistor (58). An ingenious method allows a very deep intermediate area (30) of the pin diode (14) to be produced without autodoping in a central area.
(FR)L'invention concerne, entre autres, un ensemble circuit intégré (10) comprenant une photodiode PIN (14) et une zone de raccordement (62) fortement dopée d'un transistor bipolaire (58). Un procédé de réalisation astucieux permet de créer une zone intermédiaire (30) de la diode PIN (14) avec une profondeur importante et sans autodopage dans une zone médiane.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)