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1. (WO2006003062) VORRICHTUNG FÜR EINE PASSIVE STABILISIERUNG VON VERSORGUNGSSPANNUNGEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2006/003062    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2005/052472
Veröffentlichungsdatum: 12.01.2006 Internationales Anmeldedatum: 31.05.2005
IPC:
H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/02 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
MAROLT, Vinko [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STEPHAN, Ralf-Eckhard [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: MAROLT, Vinko; (DE).
STEPHAN, Ralf-Eckhard; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
102004032708.4 07.07.2004 DE
Titel (DE) VORRICHTUNG FÜR EINE PASSIVE STABILISIERUNG VON VERSORGUNGSSPANNUNGEN EINES HALBLEITERBAUELEMENTS
(EN) DEVICE FOR PASSIVE STABILIZATION OF SEMICONDUCTOR-ELEMENT SUPPLY VOLTAGES
(FR) DISPOSITIF PERMETTANT LA STABILISATION PASSIVE DE TENSIONS D'ALIMENTATION D'UN COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft eine Vorrichtung für eine passive Stabilisierung von Versorgungsspannungen in einem Halbleiterbauelement. Innerhalb der lateralen Bereiche 11, welche für die Verdrahtungen von Standardzellen 10 von Bauelementen verwendet werde, werden in eine erste Schicht 3 aus einem ersten Leitfähigkeitstyp n Bereiche 53, 54 aus einem zweiten Leitfähigkeitstyp p eingebracht. Dabei bilden sich an den Grenzflächen Sperrschichten aus, deren Kapazitäten zum Stützen der Versorgungsspannungen VDD, Gnd genutzt werden. Dazu werden Bereiche 53, 54 des zweiten Leitfähigkeitstyp p entweder mit einem Substrat 1 des selben Leitfähigkeitstyps p verbunden oder mit Wannen 36 innerhalb der Standardzellen 10 verbunden, welche den zweiten Leitfähigkeitstyp n aufweisen.
(EN)The invention relates to a device for passive stabilization of supply voltages in a semiconductor element. Areas (53,54) having a second type of conductivity (p) are created in a first layer (3) having a first type of conductivity (n) inside side areas (11) which are used for the wiring of standard cells (10) of structural components. Barrier layers are thus formed on the defining surfaces, the capacities thereof being used to support the supply voltages (VDD, Gnd). Areas (53, 54) having a second type of conductivity(p) are connected to a substrate (1) having the same type of conductivity (p) or to troughs (36) inside the standard cells (10), having a first type of conductivity (n).
(FR)La présente invention concerne un dispositif permettant la stabilisation passive de tensions d'alimentation d'un composant à semi-conducteur. Selon l'invention, dans les zones latérales (11) qui sont utilisées pour les câblages de cellules standard (110) de composants, des zones (53, 54) d'un second type de conductivité p, sont insérées dans une première couche (3) d'un premier type de conductivité n. Ainsi, au niveau des surfaces limites se forment des couches barrières dont les capacités sont utilisées pour entretenir les tensions d'alimentation (VDD, Gnd). De plus, des zones (53, 54) du second type de conductivité p, sont soit reliées à un substrat (1) du même type de conductivité p, soit reliées à des puits (36) à l'intérieur de cellules standard (10) qui ont le premier type de conductivité n.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)