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1. (WO2006003011) OBERFLÄCHENMITTIERENDER HALBLEITERLASER MIT LATERALER WÄRMEABFUHR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2006/003011    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2005/007312
Veröffentlichungsdatum: 12.01.2006 Internationales Anmeldedatum: 06.07.2005
IPC:
H01S 5/183 (2006.01), H01S 5/024 (2006.01)
Anmelder: UNIVERSITÄT ULM [DE/DE]; Albert-Einstein-Allee 5, 89081 Ulm (DE) (For All Designated States Except US).
MÄHNSS, Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: MÄHNSS, Jürgen; (DE)
Vertreter: PFENNING, MEINIG & PARTNER GbR; Patent- und Rechtsanwälte, Theresienhöhe 13, 80339 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 032 696.7 06.07.2004 DE
Titel (DE) OBERFLÄCHENMITTIERENDER HALBLEITERLASER MIT LATERALER WÄRMEABFUHR
(EN) SURFACE-EMITTING SEMICONDUCTOR LASER WITH LATERAL HEAT DISSIPATION
(FR) LASER A SEMICONDUCTEURS A EMISSION PAR LA SURFACE ET EVACUATION DE CHALEUR LATERALE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen oberflächenemittierenden Halbleiterlaser mit vertikalem Resonator und mit seitlicher Wärmeabfuhr. Ein erfindungsgemäßer Laser weist auf einem Substrat (10) einen ersten Bragg-Spiegelstapel (11), eine aktive laseremittierende Schicht (13) und einen zweiten Bragg-Spiegelstapel (16) auf und ist dadurch gekennzeichnet, dass aus dem zweiten Bragg-Spiegelstapel, der aktiven Schicht und dem ersten Bragg-Spiegelstapel eine Mesa ausgeätzt ist, welche auf Höhe des ersten Bragg-Spiegelstapels, der aktiven Schicht und des zweiten Bragg-Spiegelstapels eine Seitenfläche (2) ausbildet, auf der eine elektrische Isolationsschicht (30) aus einem nicht leitenden und nicht halbleitenden Material angeordnet ist.
(EN)The invention relates to a surface-emitting semiconductor laser with lateral heat dissipation and a vertical resonator. The inventive laser comprises a first Bragg reflector stack (11), an active laser-emitting layer (13), and a second Bragg reflector stack (16), on a substrate (10), and is characterised in that a mesa is etched out of the second Bragg reflector stack, the active layer and the first Bragg reflector stack, said mesa forming a lateral surface (2) at the height of the first Bragg reflector stack, the active layer, and the second Bragg reflector stack. An electrical insulation layer (30) consisting of a non-conductive and non-semiconductive material is arranged on said lateral surface.
(FR)L'invention concerne un laser à semiconducteurs à émission par la surface, à résonateur vertical et à évacuation de chaleur latérale. Un tel laser comporte un substrat (10), une première pile de réflecteurs de Bragg (11), une couche à émission laser active (13) et une deuxième pile de réflecteurs de Bragg (16). Ledit laser est caractérisé en ce qu'une mesa est gravée à partir de la deuxième pile de réflecteurs de Bragg, de la couche active et de la première pile de réflecteurs de Bragg, formant une surface latérale (2) à la hauteur de la deuxième pile de réflecteurs de Bragg, de la couche active et de la première pile de réflecteurs de Bragg, une couche d'isolation électrique (30) réalisée dans un matériau ni conducteur, ni semiconducteur, étant disposée sur ladite surface latérale.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)