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1. (WO2006002988) SENSOR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SENSORS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2006/002988    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2005/007262
Veröffentlichungsdatum: 12.01.2006 Internationales Anmeldedatum: 05.07.2005
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    27.12.2005    
IPC:
G01L 9/16 (2006.01), G01L 1/12 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Strasse 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
ZIMMER, Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHMITT, Stephan [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RÜHRIG, Manfred [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: ZIMMER, Jürgen; (DE).
SCHMITT, Stephan; (DE).
RÜHRIG, Manfred; (DE)
Vertreter: SCHENK, Markus; Postfach 246, 82043 Pullach bei München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 032 484.0 05.07.2004 DE
Titel (DE) SENSOR UND VERFAHREN ZUM HERSTELLEN EINES SENSORS
(EN) SENSOR AND METHOD FOR PRODUCING SAID SENSOR
(FR) CAPTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN CAPTEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Ein Sensor umfasst ein Substrat (100), in dem ein mechanisch verformbarer Bereich (102) gebildet ist. Ein erstes magnetostriktives Mehrschicht-Sensorelement (104a) und ein zweites magnetostriktives Mehrschicht-Sensorelement (104b) sind in dem mechanisch verformbaren Bereich gebildet, wobei das erste magnetostriktive Mehrschicht-Sensorelement (104a) und das zweite magnetostriktive Mehrschicht-Sensorelement (104b) miteinander verschaltet sind und derart ausgebildet sind, dass bei einem Erzeugen einer mechanischen Verformung des mechanisch verformbaren Bereichs (102) sich der elektrische Widerstand des ersten magnetostriktiven Mehrschicht-Sensorelements (104a) gegenläufig zu dem elektrischen Widerstand des zweiten magnetostriktiven Mehrschicht-Sensorelements (104b) ändert oder der elektrische Widerstand des ersten magnetostriktiven Mehrschicht-Sensorelements (104a) unverändert bleibt.
(EN)A sensor comprises a substrate (100) in which a mechanically deformable area (102) is provided. A first magnetostrictive multilayer sensor element (104a) and a second magnetostrictive multilayer sensor element (104b) are configured in said mechanically deformable area, the first magnetostrictive multilayer sensor element (104a) and the second magnetostrictive multilayer sensor element (104b) being interconnected and configured in such a manner that, when a mechanical deformation of the mechanically deformable area (102) is carried out, the electrical resistance of the first magnetostrictive multilayer sensor element (104a) is modified contrary to the electrical resistance of the second magnetostrictive multilayer sensor element (104b) or the electrical resistance of the first magnetostrictive multilayer sensor element (104a) remains unchanged.
(FR)Un capteur comporte un substrat (100) dans lequel est formée une zone mécaniquement déformable (102). Un premier élément capteur multicouche magnétostrictif (104a) et un second élément capteur multicouche magnétostrictif (104b) sont formés dans la zone mécaniquement déformable. Le premier élément capteur multicouche magnétostrictif (104a) et le second élément capteur multicouche magnétostrictif (104b) sont connectés l'un à l'autre et conçus de manière telle qu'en cas de production d'une déformation mécanique de la zone mécaniquement déformable (102), la résistance électrique du premier élément capteur multicouche magnétostrictif (104a) se modifie de manière contraire à la résistance électrique du second élément capteur multicouche magnétostrictif (104b) ou alors, la résistance du premier élément capteur multicouche magnétostrictif (104a) reste inchangée.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)