In Bearbeitung

Bitte warten ...

Einstellungen

Einstellungen

Gehe zu Anmeldung

1. WO2006002606 - HALBLEITERBAUTEIL MIT EINEM GEHÄUSE UND EINEM TEILWEISE IN EINE KUNSTSTOFFGEHÄUSEMASSE EINGEBETTETEN HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN

Veröffentlichungsnummer WO/2006/002606
Veröffentlichungsdatum 12.01.2006
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2005/001040
Internationales Anmeldedatum 09.06.2005
IPC
H01L 23/427 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiterbauelementen oder anderen Festkörperbauelementen
34Anordnungen zum Kühlen, Heizen, Belüften oder zur Temperaturkompensation
42Füllungen oder Hilfsmittel in den Gehäusen, die so ausgewählt oder angeordnet sind, dass sie die Heizwirkung oder Kühlwirkung erhöhen
427Kühlung durch Zustandsänderung, z.B. Verwendung von Wärmerohren
CPC
H01L 2224/4824
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
48of an individual wire connector
481Disposition
48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
48221the body and the item being stacked
48225the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
4824Connecting between the body and an opposite side of the item with respect to the body
H01L 2224/73215
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2224Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
732Location after the connecting process
73201on the same surface
73215Layer and wire connectors
H01L 23/427
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
34Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; ; Temperature sensing arrangements
42Fillings or auxiliary members in containers ; or encapsulations; selected or arranged to facilitate heating or cooling
427Cooling by change of state, e.g. use of heat pipes
H01L 2924/01322
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
013Alloys
0132Binary Alloys
01322Eutectic Alloys, i.e. obtained by a liquid transforming into two solid phases
H01L 2924/15311
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
151Die mounting substrate
153Connection portion
1531the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
15311being a ball array, e.g. BGA
Anmelder
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • CARMONA, Manuel [ES]/[DE] (UsOnly)
  • LEGEN, Anton [DE]/[DE] (UsOnly)
  • WENNEMUTH, Ingo [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • CARMONA, Manuel
  • LEGEN, Anton
  • WENNEMUTH, Ingo
Vertreter
  • SCHÄFER, Horst
Prioritätsdaten
10 2004 031 889.130.06.2004DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HALBLEITERBAUTEIL MIT EINEM GEHÄUSE UND EINEM TEILWEISE IN EINE KUNSTSTOFFGEHÄUSEMASSE EINGEBETTETEN HALBLEITERCHIP UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DESSELBEN
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A HOUSING AND A SEMICONDUCTOR CHIP THAT IS PARTIALLY EMBEDDED IN A PLASTIC HOUSING SUBSTANCE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR COMPRENANT UN LOGEMENT ET UNE PUCE DE SEMI-CONDUCTEUR PARTIELLEMENT INTEGREE DANS UNE SUBSTANCE DE LOGEMENT PLASTIQUE, ET PROCEDE DE PRODUCTION DE CE DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil (1) mit einem Gehäuse (2) und einem teilweise in eine Kunststoffgehäusemasse (3) eingebetteten Halbleiterchip (4) sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben. Die Kunststoffgehäusemasse (3) weist mindestens eine Wirtskomponente (5) mit einer Erweichungstemperatur und eine Einlagerungskomponente (6) mit einer Phasenänderungstemperatur auf. Dabei ist die Erweichungstemperatur der Wirtskomponente (5) größer als die Phasenänderungstemperatur der Einlagerungskomponente (6).
(EN)
The invention relates to a semiconductor component (1) comprising a housing (2) and a semiconductor chip (4) that is partially embedded in a plastic housing substance (3), in addition to a method for producing said component. The plastic housing substance (3) comprises at least one host component (5) with a softening temperature and an intercalation component (6) with a phase change temperature. The softening temperature of the host component (5) is higher than the phase change temperature of the intercalation component (6).
(FR)
L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (1) comprenant un logement (2) et une puce de semi-conducteur (4) qui est partiellement intégrée dans une substance de logement plastique (3). Cette invention concerne également un procédé de production de ce dispositif à semi-conducteur. La substance de logement plastique (3) comprend au moins un composant hôte (5) présentant une température d'amollissement, et un composant d'insertion (6) présentant une température de changement de phase. La température d'amollissement du composant hôte (5) est supérieure à la température de changement de phase du composant d'insertion (6).
Auch veröffentlicht als
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten