(DE) Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil (1) mit einem Gehäuse (2) und einem teilweise in eine Kunststoffgehäusemasse (3) eingebetteten Halbleiterchip (4) sowie ein Verfahren zur Herstellung desselben. Die Kunststoffgehäusemasse (3) weist mindestens eine Wirtskomponente (5) mit einer Erweichungstemperatur und eine Einlagerungskomponente (6) mit einer Phasenänderungstemperatur auf. Dabei ist die Erweichungstemperatur der Wirtskomponente (5) größer als die Phasenänderungstemperatur der Einlagerungskomponente (6).
(EN) The invention relates to a semiconductor component (1) comprising a housing (2) and a semiconductor chip (4) that is partially embedded in a plastic housing substance (3), in addition to a method for producing said component. The plastic housing substance (3) comprises at least one host component (5) with a softening temperature and an intercalation component (6) with a phase change temperature. The softening temperature of the host component (5) is higher than the phase change temperature of the intercalation component (6).
(FR) L'invention concerne un dispositif à semi-conducteur (1) comprenant un logement (2) et une puce de semi-conducteur (4) qui est partiellement intégrée dans une substance de logement plastique (3). Cette invention concerne également un procédé de production de ce dispositif à semi-conducteur. La substance de logement plastique (3) comprend au moins un composant hôte (5) présentant une température d'amollissement, et un composant d'insertion (6) présentant une température de changement de phase. La température d'amollissement du composant hôte (5) est supérieure à la température de changement de phase du composant d'insertion (6).