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1. (WO2006000498) MIKROSTRUKTURIERTER INFRAROT-SENSOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2006/000498    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2005/052142
Veröffentlichungsdatum: 05.01.2006 Internationales Anmeldedatum: 11.05.2005
IPC:
G01J 5/10 (2006.01), G01J 5/20 (2006.01)
Anmelder: ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE) (For All Designated States Except US).
FRANZ, Jochen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
REICHENBACH, Frank [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MAURER, Dieter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HOEFER, Holger [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHWEIKER, Markus-Alexander [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: FRANZ, Jochen; (DE).
REICHENBACH, Frank; (DE).
MAURER, Dieter; (DE).
HOEFER, Holger; (DE).
SCHWEIKER, Markus-Alexander; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
ROBERT BOSCH GMBH; Postfach 30 02 20, 70442 Stuttgart (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 031 315.6 29.06.2004 DE
Titel (DE) MIKROSTRUKTURIERTER INFRAROT-SENSOR
(EN) MICROSTRUCTURED INFRA-RED SENSOR
(FR) CAPTEUR A INFRAROUGE MICROSTRUCTURE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft einen Infrarot-Sensor, mit mindestens einer Mess-Struktur (11) aus z.B. einem Sensorchip (10), der eine Mess­-Struktur (11) aufweist, und einem Kappenchip (20), der auf dem Sensorchip (10) befestigt ist und mit dem Sensorchip (10) einen Sensorraum (23) defi­niert, wobei auf der Oberseite (24) des Kappenchips (20) eine Blende (25, 32) mit einem inneren Blendenbereich (25b, 32b) und einem den inneren Blendenbe­reich (25b, 32b) umgebenden äußeren Blendenbereich (25a, 32a) ausgebildet ist, wobei der innere Blendenbereich (25b, 32b) oberhalb der Mess-Struktur (11) ausgebildet ist und für zu detektierende Infrarot-Strahlung (IR 1) transparent ist und der äußere Blendenbereich (25a, 32a) für einfallende Infrarot­-Strahlung (IR2) zumindest teilweise intransparent ist. Hierbei kann der äußere Blendenbereich insbesondere als reflektive Be­schichtung aus Metall oder einer dielektrischen Schicht, als reflektierende Strukturierung durch Gräben mit schrägen Flächen oder absorbierender Strukturierung ausgebildet sein.
(EN)The invention relates to an infra-red sensor comprising at least one measuring structure (11) consisting of e.g. a sensor chip (10) with a measuring structure (11) and a cap chip (20), which is fixed onto the sensor chip (10) and together with the latter (10) defines a sensor chamber (23). An aperture (25, 32), comprising an inner aperture region (25b, 32b) and an outer aperture region (25a, 32a) that surrounds the latter (25b, 32b), is configured on the upper face (24) of the cap chip (20). The inner aperture region (25b, 32b) is configured above the measuring structure (11) and is transparent to the infra-red radiation (IR 1) that is to be detected and the outer aperture region (25a, 32a) is at least partially intransparent to incident infra-red radiation (IR2). The outer aperture region can be configured in particular as a reflective coating consisting of metal or a dielectric layer, or as a reflective structure composed of trenches with oblique surfaces or an absorbent structure.
(FR)L'invention concerne un capteur à infrarouge comportant au moins une structure de mesure (11) composée par ex. d'une puce de capteur (10) présentant une structure de mesure (11), et d'une puce à capot (10) fixée sur la puce de capteur (10) et définissant un espace de capteur (23) avec celle-ci. Le côté supérieur (24) de la puce à capot (20) comporte un diaphragme (25, 32) présentant une zone de diaphragme intérieure (25b, 32b) et une zone de diaphragme extérieure (25a, 32a) entourant la zone de diaphragme intérieure (25b, 32b). La zone de diaphragme intérieure (25b, 32b) est disposée au-dessus de la structure de mesure (11) et transparente à un rayonnement infrarouge (IR1) à détecter, et la zone de diaphragme extérieure (25a, 32a) est au moins partiellement opaque au rayonnent infrarouge incident (IR2). La zone de diaphragme extérieure peut notamment être conçue en tant que revêtement réfléchissant en métal, ou en tant que couche diélectrique, en tant que structure réfléchissante comportant des tranchées pourvues de surfaces obliques ou en tant que structure absorbante.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)