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1. (WO2006000180) BONDFOLIE UND HALBLEITERBAUTEIL MIT BONDFOLIE SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2006/000180    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2005/001031
Veröffentlichungsdatum: 05.01.2006 Internationales Anmeldedatum: 09.06.2005
IPC:
H01L 23/498 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
BAUER, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ENGLING, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HAIMERL, Alfred [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KESSLER, Angela [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MAHLER, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHOBER, Wolfgang [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BAUER, Michael; (DE).
ENGLING, Thomas; (DE).
HAIMERL, Alfred; (DE).
KESSLER, Angela; (DE).
MAHLER, Joachim; (DE).
SCHOBER, Wolfgang; (DE)
Vertreter: SCHÄFER, Horst; c/o Kanzlei Schweiger & Partner, Karl-Theodor-Str. 69, 80803 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 030 383.5 23.06.2004 DE
Titel (DE) BONDFOLIE UND HALBLEITERBAUTEIL MIT BONDFOLIE SOWIE VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG
(EN) BONDING FILM, SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A BONDING FILM, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) FEUILLE D'INTERCONNEXION, DISPOSITIF A SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT UNE FEUILLE D'INTERCONNEXION, ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Bondfolie (1, 21) und ein Halbleiterbauteil (20) mit Bondfolie (1, 21), sowie ein Verfahren zu deren Herstellung. Dabei dient die Bondfolie (1, 21) zum Kontaktieren von Halbleiterchips (2), wobei die Bondfolie (1, 21) in ihrer flächigen Erstreckung größer als der Halbleiterchip (2) ist. Im Randbereich (17), der außerhalb des Halbleiterchips (2) angeordnet ist, weist die Bondfolie (1, 21) Randanschlussflächen (10) auf, die über Verdrahtungsleitungen (8, 9) mit Kontaktanschlussflächen (5) in Verbindung stehen. Diese Kontaktanschlussflächen (5) entsprechen in Anordnung und Größe einer Anordnung und Größe von Kontaktflächen (6) des Halbleiterchips (2) und stehen mit diesen stoffschlüssig in Verbindung. Ein Halbleiterbauteil (20) weist zwei Bondfolien (1, 21) auf, wobei eine obere Bondfolie (1) die Oberseiten (16) und Randseiten des Halbleiterchips (2) bedeckt und eine untere Bondfolie (21) die Rückseite (15) des Halbleiterchips (2) kontaktiert und abdeckt.
(EN)The invention relates to a bonding film (1, 21), a semiconductor component (20) comprising a bonding film (1, 21), and a method for the production thereof. Said bonding film (1, 21) is used for contacting semiconductor chips (2), the planar dimensions of the bonding film (1, 21) being greater than the semiconductor chip (2). The bonding film (1, 21) is provided with peripheral terminal faces (10) in the border region (17) located outside the semiconductor chip (2), said peripheral terminal faces (10) being connected to terminal contact faces (5) via wiring cables (8, 9). The arrangement and size of said terminal contact faces (5) correspond to an arrangement and size of contact areas (6) of the semiconductor chip (2), the terminal contact faces (5) being in a bonding connection to said contact areas (6) of the semiconductor chip (2). An inventive semiconductor component (20) comprises two bonding films (1, 21). An upper bonding film (1) covers the top faces (16) and peripheral faces of the semiconductor chip (2) while a lower bonding film (21) contacts and covers the rear face (15) of the semiconductor chip (2).
(FR)L'invention concerne une feuille d'interconnexion (1, 21) et un dispositif à semi-conducteur (20) comportant une feuille d'interconnexion (1, 21), ainsi qu'un procédé de production correspondant. La feuille d'interconnexion (1, 21) sert à la mise en contact de puces de semi-conducteur (2), les dimensions planes de ladite feuille d'interconnexion (1, 21) étant supérieures à celles de la puce de semi-conducteur (2). La feuille d'interconnexion (1, 21) comporte des surfaces de raccordement périphérique (10) dans la zone périphérique (17) disposée à l'extérieur de la puce de semi-conducteur (2), ces surfaces de raccordement périphérique étant reliées à des surfaces de raccordement de contact (5) par l'intermédiaire de câblages (8, 9). L'agencement et les dimensions de ces surfaces de raccordement de contact (5) correspondent à l'agencement et aux dimensions des surfaces de contact (6) de la puce de semi-conducteur (2), et les surfaces de raccordement de contact sont reliées aux surfaces de contact par liaison de matière. Un dispositif à semi-conducteur (20) selon l'invention comprend deux feuilles d'interconnexion (1, 21) : une feuille d'interconnexion supérieure (1) recouvre les faces supérieures (16) et les faces périphériques de la puce de semi-conducteur (2), tandis qu'une feuille inférieure (21) vient au contact de la face inférieure (15) de la puce de semi-conducteur (2) et la recouvre.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)