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1. (WO2005101496) VERFAHREN ZUM STRUKTURIERTEN AUFBRINGEN EINER LAMINIERBAREN FOLIE AUF EIN SUBSTRAT FÜR EIN HALBLEITERMODUL
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/101496    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2005/003325
Veröffentlichungsdatum: 27.10.2005 Internationales Anmeldedatum: 30.03.2005
IPC:
H01L 23/31 (2006.01), H01L 23/538 (2006.01), H01L 21/48 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01)
Anmelder: EUPEC EUROPÄISCHE GESELLSCHAFT FÜR LEISTUNGSHALBLEITER MBH [DE/DE]; Max-Planck-strasse 5, 59581 Warstein (DE) (For All Designated States Except US).
LICHT, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KEMPER. Alfred [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: LICHT, Thomas; (DE).
KEMPER. Alfred; (DE)
Vertreter: SCHMUCKERMAIER, Bernhard; Westphal, Mussgnug & Partner, Mozarstrasse 8, 80336 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 018 468.2 16.04.2004 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM STRUKTURIERTEN AUFBRINGEN EINER LAMINIERBAREN FOLIE AUF EIN SUBSTRAT FÜR EIN HALBLEITERMODUL
(EN) METHOD FOR STRUCTURED APPLICATION OF A LAMINATABLE FILM TO A SUBSTRATE FOR A SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) PROCEDE D'APPLICATION STRUCTUREE D'UN FILM STRATIFIABLE SUR UN SUBSTRAT POUR UN MODULE A SEMI-CONDUCTEURS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Verfahren zum strukturierten Aufbringen einer laminierbaren Zwischenschicht (9) auf ein Substrat (1) für ein Halbleitermodul, bei dem auf das Substrat (1) grossflächig eine Trennschicht (8) mittelbar oder unmittelbar aufgebracht wird, die Zwischenschicht (9) mittels Laminieren auf das Substrat (1) einschliesslich der Trennschicht(en) (8) grossflächig aufgebracht wird, an Stellen des Substrats (1), an denen Aussparungen der Zwischenschicht (9) vorgesehen sind, die Zwischenschicht (9) geöffnet wird, und die Trennschicht (8) an diesen Stellen entfernt wird.
(EN)A method for structured application of a laminatable intermediate layer (9) to a substrate (1) for a semiconductor module, wherein a separating layer is indirectly or directly applied to said substrate (1) over a large surface, the intermediate layer (9) is applied to the substrate (1), including the separating layer(s), by means of lamination, over a large surface, the intermediate layer (9) is opened in places on said substrate (1), where recesses are provided for the intermediate layer (9), and the separating layer (8) is removed in said places.
(FR)L'invention concerne un procédé d'application structurée d'une couche intermédiaire (9) stratifiable sur un substrat (1) pour un module à semi-conducteurs. Selon ce procédé, une couche de séparation (8) est appliquée directement ou indirectement sur le substrat (1) sur une grande surface, la couche intermédiaire (9) est appliquée par stratification sur le substrat (1) et la ou les couches de séparation (8) sur une grande surface, la couche intermédiaire (9) est ouverte à des emplacements du substrat (1) au niveau desquels des évidements de ladite couche intermédiaire (9) sont prévus et la couche de séparation (8) est éliminée au niveau de ces emplacements.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)