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1. (WO2005101481) LEISTUNGSHALBLEITER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/101481    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2005/051688
Veröffentlichungsdatum: 27.10.2005 Internationales Anmeldedatum: 18.04.2005
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    17.02.2006    
IPC:
H01L 21/60 (2006.01), H01L 23/488 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
LEIBOLD, Herbert [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHIERLING, Hubert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: LEIBOLD, Herbert; (DE).
SCHIERLING, Hubert; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 019 441.6 19.04.2004 DE
10 2004 023 305.5 11.05.2004 DE
Titel (DE) LEISTUNGSHALBLEITER
(EN) POWER SEMICONDUCTOR
(FR) SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung bezieht sich auf einen Leistungshalbleiter mit einem Substrat (2), dessen Oberflächen mit wenigstens einer elektrisch leitenden Schicht (4, 6) versehen sind, mit wenigsten einem Halbleiterchip (8), der mittels einer Lötverbindung mit einer elektrisch leitenden Schicht (6) des Substrats (2) elektrisch und wärmeleitend verbunden ist, mit einer Folie (12) aus elektrisch isolierenden Material, die eng an den Oberflächen der elektrisch leitenden Schicht (6) und des Halbleiterchips (8) anliegt, und mit einer planaren Kontaktierung, die auf der Folie (12) aufgebracht ist. Erfindungsgemäss ist für die Lötverbindung ein Weichlot vorgesehen, dessen Schmelztemperatur kleiner als eine maximale Betriebstemperatur des Halbleiterchips (8) ist. Somit erhält man einen Leistungshalbleiter, der eine temperaturwechselfeste Kontaktierung des Halbleiterchips (8) aufweist, so dass dieser Leistungshalbleiter bei Lastwechsel wesentlich robuster ist.
(EN)The invention relates to a power semiconductor comprising a substrate (2) whose surfaces are provided with at least one electrically conducting layer (4, 6), at least one semiconductor chip (8) that is connected to an electrically conducting layer (6) of the substrate (2) in an electrically and thermally conducting manner by means of a soldered joint, a film (12) which is made of an electrically isolating material and is in close contact with the surfaces of electrically conducting layer (6) and the semiconductor chip (8), and a planar contact that is applied to the film (12). According to the invention, a soft solder whose melting temperature is lower than a maximum operating temperature of the semiconductor chip (8) is used for the soldered joint such that a semiconductor is obtained that is provided with a semiconductor (8) contact which is resistant to temperature variations, making said power semiconductor substantially more robust in case of load alternations.
(FR)L'invention concerne un semi-conducteur de puissance comprenant : un substrat (2) dont les surfaces sont recouvertes d'au moins une couche électroconductrice (4, 6) ; au moins une puce de semi-conducteur (8) qui est reliée de manière électrique et thermoconductrice avec une couche électroconductrice (6) du substrat (2) au moyen d'une jonction par brasage ; une feuille (12) constituée d'un matériau électro-isolant qui est ajustée de manière serrée sur les surfaces de la couche électroconductrice (6) et de la puce de semi-conducteur (8), et ; une métallisation plane qui est appliquée sur la feuille (12). Selon l'invention, un brasage tendre est prévu pour la jonction par brasage, la température de fusion de ce brasage tendre étant inférieure à la température de fonctionnement maximale de la puce de semi-conducteur (8). Ainsi, la métallisation de la puce de semi-conducteur (8) du semi-conducteur de puissance selon l'invention présente une résistance aux variations thermiques, de manière que ledit semi-conducteur de puissance soit sensiblement plus robuste lorsqu'il est soumis à des variations de charge.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)