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1. (WO2005098920) WÄSSRIGE LÖSUNG ZUR ENTFERNUNG VON POST-ETCH RESIDUE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/098920    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2005/002511
Veröffentlichungsdatum: 20.10.2005 Internationales Anmeldedatum: 10.03.2005
IPC:
H01L 21/3213 (2006.01), H01L 21/311 (2006.01), C11D 11/00 (2006.01)
Anmelder: BASF AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Carl-Bosch-Strasse 38, 67056 Ludwigshafen (DE) (For All Designated States Except US).
MELLIES, Raimund [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: MELLIES, Raimund; (DE)
Prioritätsdaten:
04007627.5 30.03.2004 EP
Titel (DE) WÄSSRIGE LÖSUNG ZUR ENTFERNUNG VON POST-ETCH RESIDUE
(EN) AQUEOUS SOLUTION FOR REMOVING POST-ETCH RESIDUE
(FR) SOLUTION AQUEUSE D'ELIMINATION DE RESIDUS DE POST-GRAVURE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die vorliegende Erfindung betrifft eine neue Lösung zur Entfernung von Post­Etch-Residues mit verbesserten Eigenschaften und deren Verwendung in der Halbleiterherstellung. Die Erfindung betrifft insbesondere eine wässrige Lö­sung mit verringerter Ätzrate gegenüber Metallisierungen und gegenüber Oberflächen, die von Post-Etch-Residues und Partikeln während des Herstel­lungsprozesses von Halbleitern befreit werden müssen.
(EN)The invention relates to a novel solution for removing post-etch-residue, having improved properties, and to the use thereof in the production of semi-conductors. The invention also relates to an aqueous solution having a reduced etching rate in relation to metallisations and in relation to surfaces, which must be released from post-etch residues and particles during the production process of semi-conductors.
(FR)L'invention concerne une nouvelle solution d'élimination de résidus de post-gravure aux qualités améliorées et leur utilisation dans la production de semi-conducteurs. L'invention concerne notamment une solution aqueuse avec un taux de gravure réduit par rapport aux métallisations et aux surfaces qui doivent être libérées des résidus de post-gravure et des particules pendant le procédé de production de semi-conducteurs.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)