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1. (WO2005093125) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR AUSBILDUNG DÜNNER SCHICHTEN AUS SILIZIUMNITRID AUF SUBSTRATOBERFLÄCHEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/093125    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2005/000549
Veröffentlichungsdatum: 06.10.2005 Internationales Anmeldedatum: 22.03.2005
IPC:
C23C 16/34 (2006.01), C23C 16/44 (2006.01), C23C 16/452 (2006.01)
Anmelder: FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZÜR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE/DE]; Hansastrasse 27c, 80686 München (DE) (For All Designated States Except US).
ROGLER, Daniela [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HOPFE, Volkmar [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MÄDER, Gerrit [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: ROGLER, Daniela; (DE).
HOPFE, Volkmar; (DE).
MÄDER, Gerrit; (DE)
Vertreter: PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Gostritzer Strasse 61-63, 01217 Dresden (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 015 217.9 23.03.2004 DE
Titel (DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR AUSBILDUNG DÜNNER SCHICHTEN AUS SILIZIUMNITRID AUF SUBSTRATOBERFLÄCHEN
(EN) METHOD AND DEVICE FOR FORMING THIN SILICON NITRIDE LAYERS ON THE SURFACE OF SUBSTRATES
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR FORMER DE FINES COUCHES DE NITRURE DE SILICIUM SUR DES SURFACES SUPPORTS
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung dünner Schichten aus Siliziumnitrid auf Substratoberflächen (3), wobei die Schichtausbildung aus der Gasphase bei dem jeweiligen Atmosphärendruck entsprechenden Bedingungen erfolgen soll. Erfindungsgemäss wird dabei einer Plasmaquelle (82) zur Plasmabildung ein aus einem atomaren und einem molekularen Gas gebildetes Gasgemisch zugeführt. Letztlich in das gebildete und auf die jeweilige zu beschichtende Oberfläche strömende Plasma eine Precursormischung, die Ammoniak, Stickstoff und/oder Argon enthält sowie ein elementorganisches Silan zugeführt werden. Das jeweilige elemDie Erfindung betrifft ein Verfahren und Vorrichtung zur Ausbildung dünner Schchten aus Siliziumnitrid auf Substratoberflächen, wobei die Schichtausbildung aus der Gasphase bei dem jeweiligen Atmosphärendruck entsprechenden Bedingungen erfolgen soll. Gemäss der gestellten Aufgabe sollen solche Schichten verbesserte optische, mechanische Eigenschaften und eine relativ hohe Reinheit des die Schicht bildenden Siliziumnitrides aufweisen und ausserdem eine erhöhte Abscheiderate erreicht werden können. Erfindungsgemäss wird dabei einer Plasmaquelle zur Pla abildung ein aus einem atomaren molekularen Gas gebildetes Gasgemisch zugeführt. Letztlich in das gebildete und auf die jeweilige zu beschichtende Oberfläche strömende Plasma eine Precursormischung, die Ammoniak, Stickstoff und/oder Argon enthält sowie ein elementorganisches Silan zugeführt werden. Das jeweilige elementorganiscIpe Silan kann aber auch unmittelbar in die Plasmaquelle als weiterer Precursor zugegeben werden. Dabei soll der Volumenstrom für zugeführtes Ammoniak mindestens 200-fach grösser, als der Volumenstrom für zugeführtes elementorganisches Silan sein und es soll auch eine Relativbewegung einer Vorrichtung mit der dis Plasma gebildet wird und der zu beschichtenden Substratoberfläche durchgeführt werden.
(EN)The invention relates to a method and device for forming thin silicon nitride layers on the surfaces of substrates (3), wherein the layers are formed from the gas phase in conditions corresponding to atmospheric pressure. According to the invention, a gas mixture consisting of an atomic and molecular gas is added to a plasma source (82) for the formation of plasma. A precursor mixture containing ammonia, nitrogen and/or argon and an element-organic silane are then added to the formed plasma which flows onto the surface to be coated. The invention relates to a method and device for forming thin silicon nitride layers on the surfaces of substrates (3), wherein the layers are formed from the gas phase in conditions corresponding to atmospheric pressure. According to the invention, said layers have improved optical and mechanical properties and the silicon nitride forming the layers is of a relatively high purity and a higher deposition rate is obtained.The respective element-organic silane can, however,also be added directly to the plasma source as another precursor. The volume flow for added ammonia should be at least 200 times greater than the volume flow for added elementary silane and a relative movement of a device, which is used to form the plasma, and the substrate surface that is to be coated is carried out.
(FR)L'invention concerne un procédé et un dispositif pour former de fines couches de nitrure de silicium sur des surfaces supports, la formation de couches en phase gazeuse devant être réalisée dans des conditions correspondantes à la pression atmosphérique ambiante. L'invention vise à réaliser des couches à propriétés mécaniques et optiques améliorées, le nitrure de silicium formant la couche ayant une pureté relativement élevée et la vitesse de dépôt étant augmentée. Selon l'invention, un mélange gazeux formé d'un gaz atomique et d'un gaz moléculaire est amené à une source plasma pour former du plasma. Ensuite, un mélange précurseur contenant de l'ammoniac, de l'azote et/ou de l'argon, ainsi qu'un silane organique élémentaire sont introduits dans le plasma formé s'écoulant sur la surface à enduire. Le silane organique élémentaire peut également être introduit directement dans la source plasma en tant que précurseur additionnel. Le flux volumique de l'ammoniac introduit doit être au moins 200 fois supérieur à celui du silane organique élémentaire. Un mouvement relatif doit être appliqué au dispositif servant à former le plasma et à la surface support à enduire.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)