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1. (WO2005078800) INTEGRIERTE SCHALTUNGSANORDNUNGEN MIT ESD-FESTEM KONDENSATOR UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/078800    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2005/050398
Veröffentlichungsdatum: 25.08.2005 Internationales Anmeldedatum: 31.01.2005
IPC:
H01L 27/08 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
ESMARK, Kai [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GOSSNER, Harald [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RUSS, Christian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHNEIDER, Jens [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: ESMARK, Kai; (DE).
GOSSNER, Harald; (DE).
RUSS, Christian; (DE).
SCHNEIDER, Jens; (DE)
Vertreter: KARL, Frank; Patentanwälte Kindermann, Postfach 100234, 85593 Baldham (DE)
Prioritätsdaten:
102004006484.9 10.02.2004 DE
Titel (DE) INTEGRIERTE SCHALTUNGSANORDNUNGEN MIT ESD-FESTEM KONDENSATOR UND HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) INTEGRATED CIRCUIT ARRANGEMENT WITH ESD-RESISTANT CAPACITOR AND CORRESPONDING METHOD OF PRODUCTION
(FR) CIRCUITS INTEGRES COMPRENANT UN CONDENSATEUR QUI RESISTE AUX DECHARGES ELECTROSTATIQUES, ET PROCEDE DE REALISATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Integrierte Schaltungsanordnungen mit ESD-festem Kondensator und Herstellungsverfahren Erläutert wird unter anderem eine Schaltungsanordnung (10), die in einer n-Wanne (20) einen Kondensator (12) enthält. Eine bestimmte Polung des Kondensators (12) gewährleistet, dass eine Verarmungszone in der Wanne (20) entsteht und der Kondensator (12) eine hohe ESD-Festigkeit hat. Eine ggf. vorhandene Hilfsdotierschicht (26) gewährleistet trotz hoher ESD-Festigkeit eine hohe Flächenkapazität des Kondensators.
(EN)The invention relates to a circuit arrangement (10) that comprises a capacitor (12) inside an n-trough (20). A specific polarization of the capacitor (12) makes sure that a depletion zone is formed in the trough (20) and the capacitor (12) has a high ESD resistance. An optionally present auxiliary doped layer (26) ensures a high area capacitance of the capacitor despite high ESD resistance.
(FR)La présente invention concerne entre autres un circuit intégré (10) qui comprend un condensateur (12) dans un puits de type n (20). Une polarisation donnée du condensateur (12) garantit la formation d'une zone d'appauvrissement dans le puits (20), et une résistance élevée du condensateur (12), aux décharges électrostatiques. La présence éventuelle d'une couche de dopage auxiliaire (26), garantit une capacité de surface importante du condensateur, malgré la résistance élevée aux décharges électrostatiques.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)