WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2005076363) HALBLEITER-STRUKTUR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/076363    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2005/000080
Veröffentlichungsdatum: 18.08.2005 Internationales Anmeldedatum: 21.01.2005
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    05.12.2005    
IPC:
H01L 29/12 (2006.01), H01L 29/775 (2006.01), H01L 33/06 (2010.01), H01L 33/24 (2010.01), H01S 5/34 (2006.01)
Anmelder: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse, 52425 Jülich (DE) (For All Designated States Except US).
INDLEKOFER, Michael [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LÜTH, Hans [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FÖRSTER, Arnold [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: INDLEKOFER, Michael; (DE).
LÜTH, Hans; (DE).
FÖRSTER, Arnold; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH; Fachbereich Patente, Wilhelm-Johnen-Strasse, 52425 Jülich (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 005 363.4 03.02.2004 DE
Titel (DE) HALBLEITER-STRUKTUR
(EN) SEMICONDUCTOR STRUCTURE
(FR) STRUCTURE A SEMI-CONDUCTEUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Halbleiter-Struktur. Die Halbleiter-Struktur weist mindestens einen ersten Materialbereich und einen zweiten Materialbereich auf, wobei der zweite Materialbereich den ersten Materialbereich epitaktisch umschliesst und eine Grenzfläche ausbildet. Die Struktur ist dadurch gekennzeichnet, dass Fermi-Level-Pinning an der, der Grenzfläche beider Materialbereiche gegenüberliegenden, nicht epitaktischen Grenzfläche des zweiten Materialbereichs vorliegt und der erste Materialbereich einen Quantentopf für freie Ladungsträger ausbildet. Dadurch wird vorteilhaft bewirkt, dass eine steuerbare Ladungsträger-Konzentration im quantentopf eingestellt werden kann.
(EN)The invention concerns a semiconductor structure comprising at least one first material region and a second material region, whereby the second material region epitaxially surrounds the first material region and forms a boundary surface. The structure is characterized in that Fermi level pinning is present on the non-epitaxial boundary surface of the second material region located opposite the boundary surface of both material regions, and the first material region forms a quantum well for free charge carriers. This advantageously results in enabling a controllable charge carrier concentration to be set in the quantum well.
(FR)La présente invention concerne une structure à semi-conducteur présentant au moins une première zone de matière et une seconde zone de matière, la seconde zone de matière entourant la première zone de matière de façon épitactique, et formant une surface limite. La structure se caractérise en ce que l'ancrage du niveau de Fermi se trouve au niveau de la surface limite non épitactique de la seconde zone de matière, qui est opposée à la surface limite des deux zones de matière, et la première zone de matière constitue un puits quantique pour des porteurs de charge libres. On obtient ainsi une concentration en porteurs de charge dans le puits quantique, qui peut être régulée.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)