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1. (WO2005076319) HALBLEITERBAUTEIL MIT EINEM HALBLEITERCHIPSTAPEL AUF EINER UMVERDRAHTUNGSPLATTE UND HERSTELLUNG DESSELBEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/076319    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2005/000175
Veröffentlichungsdatum: 18.08.2005 Internationales Anmeldedatum: 03.02.2005
IPC:
H01L 23/498 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
BIRZER, Christian [DE/DE]; (DE) (For US Only).
POHL, Jens [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BIRZER, Christian; (DE).
POHL, Jens; (DE)
Vertreter: SCHWEIGER, Martin; Schweiger & Partner, Karl-Theodor-Str. 69, 80803 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 005 586.6 04.02.2004 DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUTEIL MIT EINEM HALBLEITERCHIPSTAPEL AUF EINER UMVERDRAHTUNGSPLATTE UND HERSTELLUNG DESSELBEN
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A SEMICONDUCTOR CHIP STACK ON A WIRING FRAME AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
(FR) COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR A EMPILEMENT DE PUCES A SEMI-CONDUCTEUR SUR UNE PLAQUE DE MODIFICATION DE CABLAGE, ET SON PROCEDE DE FABRICATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil (4) mit einem Halbleiterchipstapel (1) auf einer Umverdrahtungsplatte (2). Auf der Unterseite (3) ist eine Außenkontaktfläche (5) angeordnet, die mehrere voneinander räumlich getrennte Außenkontaktflächen-Bereiche (6, 7) aufweist. Die einzelnen Außenkontaktflächen-Bereiche (6, 7) sind den einzelnen Halbleiterchips (10, 11) des Halbleiterchipstapels (1) zugeordnet, wobei die Außenkontakt-Bereiche (6, 7) einer einzelnen Außenkontaktfläche (5) einen gemeinsamen Außenkontakt (14) aufweisen, der die Außenkontaktflächen-Bereiche (6, 7) elektrisch verbindet.
(EN)The invention relates to a semiconductor (4) comprising a semiconductor chip stack (1) on a wiring frame (2). An external contact surface (5) is located on the lower side (3) and comprises a plurality of spatially separate external contact surface areas (6, 7). Said individual external contact surface areas (6, 7) are associated with the individual semiconductor chips (10, 11) of the semiconductor chip stack (1). The external contact surface areas (6, 7) of an individual external contact surface (5) have a common external contact (14) which electrically connects the external contact surface areas (6, 7).
(FR)L'invention concerne un composant semi-conducteur (4) à empilement de puces à semi-conducteur (1) sur une plaque de modification de câblage (2). A la partie inférieure (3), il est prévu une surface de contact extérieur (5) présentant plusieurs zones de contact extérieur (6, 7) séparées spatialement l'une de l'autre. Les zones de contact extérieur individuelles (6, 7) sont associées aux puces à semi-conducteur individuelles (10, 11) de l'empilement de puces à semi-conducteur (1), de sorte que les zones de contact extérieur (6, 7) d'une surface de contact extérieure individuelle (5) présentent un contact extérieur commun (14) connectant électriquement lesdites zones de surfaces de contact extérieur (6, 7).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)