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1. (WO2005076290) HALBLEITENDES BAND UND VERWENDUNG DAVON
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/076290    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/EP2005/050467
Veröffentlichungsdatum: 18.08.2005 Internationales Anmeldedatum: 03.02.2005
IPC:
H01B 1/20 (2006.01), H01B 3/00 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
KAPITZA, Heinrich [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MUHRER, Volker [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MÜLLER, Norbert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: KAPITZA, Heinrich; (DE).
MUHRER, Volker; (DE).
MÜLLER, Norbert; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 005 548.3 04.02.2004 DE
Titel (DE) HALBLEITENDES BAND UND VERWENDUNG DAVON
(EN) SEMICONDUCTING WINDING STRIP AND USE THEREOF
(FR) BANDE SEMICONDUCTRICE CONTENANT DU MICA REVETU D'OXYDE DE ZINC DOPE A L'ANTIMOINE ET UTILISATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein halbleitendes Wickelband, insbesondere eines, das zum Potentialausgleich bei Hochspannungstransformatoren geeignet ist. Der Füllstoff wird so gewählt, dass bei seiner Sättigungskonzentration im Bindemittel ein halbleitendes Band erhalten wird. So werden, im Hinblick auf ihren spezifischen Widerstand gut reproduzierbare Bänder erhalten.
(EN)The invention relates to a semiconducting winding strip which is suitable for equipotential bonding in high-voltage transformers. The filling material is selected in such a way that a semiconducting strip is obtained by saturation concentration in a binding agent, enabling good reproducible strips to be obtained, particularly with respect to the specific resistance thereof.
(FR)L'invention concerne une bande d'enroulement semiconductrice, notamment une bande destinée à l'équilibrage de potentiel dans des transformateurs haute tension. La charge est choisie de telle manière qu'on obtient une bande semiconductrice lorsque la charge atteint sa concentration de saturation dans le liant. Les bandes ainsi obtenues présentent une bonne reproductibilité en ce qui concerne leur résistance spécifique.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)