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1. (WO2005071757) HALBLEITERBAUELEMENT MIT TEMPORÄREM FELDSTOPPBEREICH UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/071757    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2005/000093
Veröffentlichungsdatum: 04.08.2005 Internationales Anmeldedatum: 24.01.2005
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    07.11.2005    
IPC:
H01L 29/32 (2006.01), H01L 29/861 (2006.01), H01L 29/868 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
SCHULZE, Hans-Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
LUTZ, Josef [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SCHULZE, Hans-Joachim; (DE).
LUTZ, Josef; (DE)
Vertreter: KOTTMANN, Dieter; Müller Hoffmann & Partner, Innere Wiener Str. 17, 81667 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 004 045.1 27.01.2004 DE
Titel (DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT TEMPORÄREM FELDSTOPPBEREICH UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING A TEMPORARY FIELD STOPPING AREA, AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) ELEMENT SEMI-CONDUCTEUR A ZONE DIAPHRAGME DE CHAMP TEMPORAIRE ET PROCEDE DE REALISATION ASSOCIE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem temporär vergrabenen temporär n-dotierten Bereich (9), der nur beim Abschalten vom leitenden in den sperrenden Zustand des Halbleiterbauelementes wirksam ist und ein Abreißen des Tailstromes verhindert, um so die Weichheit des Abschaltens zu verbessern. Dieser temporär wirksame Bereich wird durch Implantation von K-Zentren (Z) geschaffen.
(EN)The invention relates to a semiconductor component comprising a temporarily buried temporarily n-doped area (9) which is effective only during switching off from the conducting into the blocking state of the semiconductor while preventing the tail current from chopping, thus improving smoothness of the switching-off process. Said temporarily active area is created by implanting K centers (Z).
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur comportant une zone (9) noyée temporairement n-dotée, laquelle n'agit que lorsque l'élément semi-conducteur passe de l'état conducteur à l'état de blocage, ladite zone empêchant une interruption du courant de queue pour améliorer ainsi la souplesse de l'arrêt. Cette zone à action temporaire est réalisée par implantation de centres K (Z).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)