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1. (WO2005071754) HALBLEITER-LEISTUNGSSCHALTER SOWIE DAFÜR GEEIGNETES HERSTELLUNGSVERFAHREN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/071754    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2005/000069
Veröffentlichungsdatum: 04.08.2005 Internationales Anmeldedatum: 19.01.2005
IPC:
H01L 21/335 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01), H01L 29/775 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
KREUPL, Franz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SEIDEL, Robert [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: KREUPL, Franz; (DE).
SEIDEL, Robert; (DE)
Vertreter: KOTTMANN, Dieter; Müller Hoffmann & Partner, Innere Wiener Str. 17, 81667 München (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 003 374.9 22.01.2004 DE
Titel (DE) HALBLEITER-LEISTUNGSSCHALTER SOWIE DAFÜR GEEIGNETES HERSTELLUNGSVERFAHREN
(EN) SEMI-CONDUCTOR CIRCUIT AND SUITABLE PRODUCTION METHOD THEREFOR
(FR) DISJONCTEUR A SEMI-CONDUCTEUR, ET PROCEDE DE PRODUCTION CORRESPONDANT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Ein Halbleiter-Leistungsschalter (1) weist einen Sourcekon-takt (2), einen Drainkontakt (3), eine zwischen Sourcekontakt und Drainkontakt vorgesehene Halbleiterstruktur, und ein Gate (5), über das ein Stromfluss zwischen Sourcekontakt (2) und Drainkontakt (3) durch die Halbleiterstruktur hindurch steu-erbar ist, auf. Die Halbleiterstruktur weist mehrere parallel geschaltete Nanodrähte (4) auf, die so angeordnet sind, dass jeder Nanodraht eine elektrische Verbindung zwischen dem Sourcekontakt und dem Drainkontakt ausbildet.
(EN)The invention relates to a semi-conductor circuit (1) comprising a source contact (2), a drain contact (3), a semi-conductor structure which is provided between the source contact and the drain contact, and a gate (5) which enables a current flowing through the semi-conductor circuit between the source contact (2) and the drain contact (3) to be controlled. The semi-conductor structure comprises several nano wires (4) which are connected in a parallel manner and which are arranged such that each nano wire embodies an electric connection between the source contact and the drain contact.
(FR)L'invention concerne un disjoncteur à semi-conducteur (1) comportant un contact source (2), un contact drain (3), une structure semi-conductrice qui est disposée entre le contact source et le contact drain, et une grille (5) qui permet de commander un flux de courant entre le contact source (2) et le contact drain (3) par l'intermédiaire de la structure semi-conductrice. Cette structure semi-conductrice comporte plusieurs nanofils (4) montés en parallèle qui sont disposés de façon que chaque nanofil établisse une connexion électrique entre le contact source et le contact drain.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)