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1. (WO2005071131) TRANSPARENTE UND LEITFÄHIGE OXIDSCHICHT, HERSTELLUNG SOWIE VERWENDUNG DERSELBEN IN EINER DÜNNSCHICHTSOLARZELLE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/071131    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2005/000059
Veröffentlichungsdatum: 04.08.2005 Internationales Anmeldedatum: 18.01.2005
IPC:
C23C 14/00 (2006.01), C23C 14/08 (2006.01)
Anmelder: FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse, 52425 Jülich (DE) (For All Designated States Except US).
RECH, Bernd [DE/DE]; (DE) (For US Only).
HÜPKES, Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
KLUTH, Oliver [DE/CH]; (CH) (For US Only).
MUELLER, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: RECH, Bernd; (DE).
HÜPKES, Jürgen; (DE).
KLUTH, Oliver; (CH).
MUELLER, Joachim; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH; Fachbereich Patente, 52425 Jülich (DE)
Prioritätsdaten:
10 2004 003 760.4 23.01.2004 DE
Titel (DE) TRANSPARENTE UND LEITFÄHIGE OXIDSCHICHT, HERSTELLUNG SOWIE VERWENDUNG DERSELBEN IN EINER DÜNNSCHICHTSOLARZELLE
(EN) TRANSPARENT AND CONDUCTIVE OXIDE LAYER, PRODUCTION AND USE THEREOF IN A THIN FILM SOLAR CELL
(FR) COUCHE D'OXYDE TRANSPARENTE ET CONDUCTRICE, SA PRODUCTION ET SON UTILISATION DANS UNE CELLULE SOLAIRE EN COUCHE MINCE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer leitfä­higen und transparenten Zinkoxidschicht auf einem Substrat durch reaktives Sputtern, wobei der Prozess einen Hysteresebereich auf­weist. Das Verfahren ist gekennzeichnet durch die Schritte: es wird ein metallisches Zn Target mit einer Dotierung verwen­det, wobei der Dotiergehalt des Targets weniger als 2,3 at-% be­trägt, der Heizer für das Substrat wird so eingestellt, dass eine Sub­strattemperatur oberhalb von 200 °C eingestellt wird, es wird eine dynamische Depositionsrate von mehr als 50 nm*m/min eingestellt, welches einer statischen Depositionsrate von mehr als 190 nm/min entspricht, und es wird ein stabilisierter Arbeitspunkt innerhalb des instabilen Prozessbereich gewählt, der zwischen dem Umkehrpunkt zwischen stabilem, metallischen und instabilem Prozess und dem Wendepunkt der stabilisierten Prozesskurve liegt.
(EN)The invention relates to a method for the production of a conductive and transparent zinc oxide layer on a substrate by reactive sputtering. The process comprises a hysteresis region. Said method is characterised by the following steps: A doped metal Zn target is used, whereby the doping content of the target is less than 2.3 at- %, the heater is adjusted for the substrate in such a manner that a substrate temperature is adjusted to above 200 °C. A dynamic deposition rate is adjusted to more than 50 nm*m/min, which corresponds to a static deposition rate which is greater than 190 nm/min, and a stabilised working point is selected within the unstable process range which is between the turning point between a stable, metal and unstable process and between the inflection point of the stabilised process curve.
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire une couche d'oxyde de zinc conductrice et transparente, sur un substrat, par pulvérisation cathodique réactive, le traitement comportant une plage d'hystérésis. Le procédé selon l'invention est caractérisé en ce qu'il comporte les étapes consistant : à utiliser une cible en Zn métallique ayant subi un processus de dopage, la teneur en agent dopant de cette cible étant inférieure à 2,3 % at. ; à régler le dispositif de chauffage pour le substrat de manière à obtenir une température de substrat supérieure à 200 °C ; à régler la vitesse de dépôt dynamique de façon qu'elle soit supérieure à 50 nm*m/min, ce qui correspond à une vitesse de dépôt statique supérieure à 190 nm/min, et ; à sélectionner un point de fonctionnement stabilisé dans la plage de traitement instable, ce point se trouvant entre le point d'inversion entre un traitement stable, métallique et instable, et le point d'inflexion de la courbe de traitement stabilisée.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)