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1. (WO2005057658) METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, NONCONTACT THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND IDTAG AND COIN INCLUDING THE NONCONTACT THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2005/057658 Internationale Anmeldenummer PCT/JP2004/018978
Veröffentlichungsdatum: 23.06.2005 Internationales Anmeldedatum: 14.12.2004
IPC:
G06K 19/077 (2006.01) ,H01L 21/336 (2006.01) ,H01L 21/84 (2006.01) ,H01L 27/12 (2006.01)
G Physik
06
Datenverarbeitung; Rechnen; Zählen
K
Erkennen von Daten; Darstellen von Daten; Aufzeichnungsträger; Handhabung von Aufzeichnungsträgern
19
Aufzeichnungsträger für Maschinen, bei denen mindestens ein Teil zur Aufnahme von digitalen Markierungen bestimmt ist
06
gekennzeichnet durch die Art der digitalen Markierung, z.B. Form der Markierung, Art, Code
067
Aufzeichnungsträger mit leitenden Markierungen, gedruckten Schaltungen oder Halbleiter-Schaltkreiselementen, z.B. Kredit- oder Identitätskarten
07
mit integrierten Schaltkreisbausteinen
077
Konstruktive Einzelheiten, z.B. Einbau von Schaltkreisen im Träger
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
334
Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen
335
Feldeffekt-Transistoren
336
mit einem isolierten Gate
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
70
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind, oder von bestimmten Teilen hiervon; Herstellung von integrierten Schaltungsanordnungen oder von bestimmten Teilen hiervon
77
Herstellung oder Behandlung von Bauelementanordnungen bestehend aus einer Vielzahl von einzelnen Schaltungselementen oder integrierten Schaltungen, die in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildet sind
78
mit nachfolgender Unterteilung des Substrats in eine Vielzahl einzelner Bauelemente
82
zur Herstellung von Bauelementen, die jeweils aus einer Vielzahl von Schaltungselementen bestehen, z.B. integrierte Schaltungen
84
wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. aus einem isolierenden Körper besteht
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27
Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen [integrierte Schaltungen]
02
mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
12
wobei das Substrat kein Halbleiterkörper ist, z.B. ein isolierender Körper
Anmelder:
SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi Kanagawa 2430036, JP (AllExceptUS)
YAMAZAKI, Shunpei [JP/JP]; JP (UsOnly)
KOMORI, Miho [JP/JP]; JP (UsOnly)
SATOU, Yurika [JP/JP]; JP (UsOnly)
HOSOKI, Kazue [JP/JP]; JP (UsOnly)
OGITA, Kaori [JP/JP]; JP (UsOnly)
Erfinder:
YAMAZAKI, Shunpei; JP
KOMORI, Miho; JP
SATOU, Yurika; JP
HOSOKI, Kazue; JP
OGITA, Kaori; JP
Prioritätsdaten:
2003-41731715.12.2003JP
Titel (EN) METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE, NONCONTACT THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND IDTAG AND COIN INCLUDING THE NONCONTACT THIN FILM INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
(FR) PROCEDE DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A FILM MINCE, DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A FILM MINCE SANS CONTACT ET PROCEDE DE FABRICATION DUDIT DISPOSITIF ET ETIQUETTE ID ET PIECE COMPRENANT LE DISPOSITIF DE CIRCUIT INTEGRE A FILM MINCE SANS CONTACT
Zusammenfassung:
(EN) To provide a thin film integrated circuit which is mass produced at low cost, a method for manufacturing a thin film integrated circuit according to the invention includes the steps of: forming a peel-off layer over a substrate; forming a base film over the peel-off layer; forming a plurality of thin film integrated circuits over the base film; forming a groove at the boundary between the plurality of thin film integrated circuits; and introducing a gas or a liquid containing halogen fluoride into the groove, thereby removing the peel-off layer; thus, the plurality of thin film integrated circuits are separated from each other.
(FR) Afin d'obtenir un circuit intégré à film mince à production massive et à faible coût, on met en oeuvre un procédé de fabrication d'un circuit intégré à film mince consistant à: former une couche pelable sur un substrat; former un film de base sur ladite couche; former une pluralité de circuits intégrés à film mince sur le film de base; former une rainure à la limite entre la pluralité de circuits intégrés à film mince; et introduire un gaz ou un liquide contenant un fluorure d'halogène dans la rainure, ce qui a pour effet de retirer la couche pelable; la pluralité de circuits intégrés à film mince sont alors séparés.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Englisch (EN)
Anmeldesprache: Englisch (EN)
Auch veröffentlicht als:
KR1020070001093JP2005203762US20070166954CN1894796KR1020110129499