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1. (WO2005036719) UMRICHTERSCHALTUNG ZUR SCHALTUNG EINER VIELZAHL VON SCHALTSPANNUNGSNIVEAUS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/036719    Internationale Anmeldenummer    PCT/CH2003/000768
Veröffentlichungsdatum: 21.04.2005 Internationales Anmeldedatum: 20.11.2003
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    07.04.2005    
IPC:
H02M 7/48 (2007.01)
Anmelder: ABB RESEARCH LTD [CH/CH]; Affolternstrasse 52, CH-8050 Zürich (CH) (For All Designated States Except US).
BARBOSA, Peter [BR/CH]; (CH) (For US Only).
STEINKE, Jürgen [DE/DE]; (DE) (For US Only).
STEIMER, Peter [CH/CH]; (CH) (For US Only).
MEYSENC, Luc [FR/CH]; (CH) (For US Only).
MEYNARD, Thierry [FR/FR]; (FR) (For US Only)
Erfinder: BARBOSA, Peter; (CH).
STEINKE, Jürgen; (DE).
STEIMER, Peter; (CH).
MEYSENC, Luc; (CH).
MEYNARD, Thierry; (FR)
Vertreter: ABB SCHWEIZ AG; Intellectual Property (CH-LC/IP), Brown Boveri Strasse 6, CH-5400 Baden (CH)
Prioritätsdaten:
03405748.9 17.10.2003 EP
Titel (DE) UMRICHTERSCHALTUNG ZUR SCHALTUNG EINER VIELZAHL VON SCHALTSPANNUNGSNIVEAUS
(EN) CONVERTER CIRCUIT FOR CONNECTING A PLURALITY OF SWITCHING VOLTAGE LEVELS
(FR) CIRCUIT CONVERTISSEUR POUR COMMANDER UNE PLURALITE DE NIVEAUX DE TENSION DE COMMUTATION
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird eine Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus angegeben, Umrichterschaltung zur Schaltung einer Vielzahl von Schaltspannungsniveaus, die n für jede Phase (R, S, T) vorgesehene erste Schaltgruppen (1.1,..., 1.n) aufweist, wobei die n-te erste Schaltgruppe (1.n) durch einen ersten Leistungshalbleiterschalter (2) und einen zweiten Leistungshalbleiterschalter (3) gebildet ist und die erste erste Schaltgruppe (1.1) bis zur (n-1)-ten Schaltgruppe (1.(n-1)) jeweils durch einen ersten Leistungshalbleiterschalter (2) und einen zweiten Leistungshalbleiterschalter (3) und durch einen mit dem ersten und zwei­ten Leistungshalbleiterschalter (2, 3) verbundenen Kondensator (4) gebildet sind, wobei jede der n ersten Schaltgruppen (1.1,..., 1.n) parallel mit der jeweils benachbarten ersten Schalt­gruppe (1.1,...,1.n) verbunden ist und der erste und der zweite Leistungshalbleiterschalter (2, 3) der ersten ersten Schaltgruppe (1.1) miteinander verbunden sind. Zur Verringerung der gespeicherten elektrischen Energie der Umrichterschaltung ist n ≥ 1 und sind p zweite Schaltgruppen (5.1, ..., 5.p) und p dritte Schaltgruppen (6.1, ..., 6.p) vorgesehen, welche je­weils durch einen ersten Leistungshalbleiterschalter (2) und einen zweiten Leistungshalblei­terschalter (3) und durch einen mit dem ersten und zweiten Leistungshalbleiterschalter (2, 3) verbundenen Kondensator (4) gebildet sind, wobei p ≥ 1 ist und jede der p zweiten Schalt­gruppen (5.1, ..., 5.p) parallel mit der jeweils benachbarten zweiten Schaltgruppe (5.1, ..., 5.p) verbunden ist und jede der p dritten Schaltgruppen (6.1, ..., 6.p) parallel mit der jeweils benachbarten dritten Schaltgruppe (6.1,..., 6.p) verbunden ist und die erste zweite Schalt­gruppe (5.1) mit dem ersten Leistungshalbleiterschalter (2) der n-ten ersten Schaltgruppe (1.n) verbunden ist und die erste dritte Schaltgruppe (6.1) mit dem zweiten Leistungshalblei­terschalter (3) der n-ten ersten Schaltgruppe (1.n) verbunden ist. Ferner ist der Kondensator (4) der p-ten zweiten Schaltgruppe (5.p) mit dem Kondensator (4) der p-ten dritten Schalt­gruppe (6.p) seriell verbunden.
(EN)Disclosed is a converter circuit for connecting a plurality of switching voltage levels. Said converter circuit comprises n first vector groups (1.1,..., 1.n) for each phase (R, S, T). The nth first vector group (1.n) is formed by a first power semiconductor switch (2) and a second power semiconductor switch (3) while the first first vector group (1.1) to the (n-1)th vector group (1.(n-1)) is formed by a first power semiconductor switch (2), a second power semiconductor switch (3), and a capacitor (4) that is connected to the first and second power semiconductor switch (2, 3). Each of the n first vector groups (1.1,..., 1.n) is connected in parallel to the respective adjacent first vector group (1.1,...,1.n) while the first and the second power semiconductor switch (2, 3) of the first first vector group (1.1) are interconnected. In order to reduce the stored electrical power of the converter circuit, n is greater than or equal to 1 while p second vector groups (5.1, ..., 5.p) and p third vector groups (6.1, ..., 6.p) are provided that are respectively formed by a first power semiconductor switch (2), a second power semiconductor switch (3), and a capacitor (4) which is connected to the first and second power semiconductor switch (2, 3), with the provision that p = 1. Each of the p second vector groups (5.1, ..., 5.p) is connected in parallel to the respective adjacent second vector group (5.1, ..., 5.p) while each of the p third vector groups (6.1, ..., 6.p) is connected in parallel to the respective adjacent third vector group (6.1,..., 6.p). The first second vector group (5.1) is connected to the first power semiconductor switch (2) of the nth first vector group (1.n) while the first third vector group (6.1) is connected to the second power semiconductor switch (3) of the nth first vector group (1.n). Moreover, the capacitor (4) of the pth second vector group (5.p) is serially connected to the capacitor (4) of the pth third vector group (6.p).
(FR)L'invention concerne un circuit convertisseur pour commander une pluralité de niveaux de tension de commutation, ce circuit comprenant n premiers groupes de commutation (1.1,..., 1.n) pour chaque phase (R, S, T). Le n premier groupe de commutation (1.n) est formé par un premier commutateur à semi-conducteur de puissance (2) et par un deuxième commutateur à semi-conducteur de puissance (3). Les groupes de commutation du tout premier (1.1) au groupe (n-1) sont chacun formés par un premier commutateur à semi-conducteur de puissance (2) et par un deuxième commutateur à semi-conducteur de puissance (3) ainsi que par un condensateur relié au premier et au deuxième commutateur à semi-conducteur de puissance (2, 3). Chacun des n premiers groupes de commutation (1.1,..., 1.n) est relié en parallèle avec le premier groupe de commutation (1.1,...,1.n) voisin, le premier et le deuxième commutateur à semi-conducteur de puissance (2, 3) du tout premier groupe de commutation (1.1) étant interconnectés. Pour limiter l'énergie électrique stockée par le circuit convertisseur, n = 1 et des p deuxièmes groupes de commutation (5.1, ..., 5.p) et des p troisièmes groupes de commutation (6.1, ..., 6.p) sont formés chacun par un premier commutateur à semi-conducteur de puissance (2) et par un deuxième commutateur à semi-conducteur de puissance (3) ainsi que par un condensateur (4) relié au premier et au deuxième commutateur à semi-conducteur de puissance (2, 3). p = 1 et chacun des p deuxièmes groupes de commutation (5.1, ..., 5.p) est relié en parallèle avec le deuxième groupe de commutation (5.1, ..., 5.p) voisin, et chacun des p troisièmes groupes de commutation (6.1, ..., 6.p) est relié en parallèle avec le troisième groupe de commutation (6.1,..., 6.p) voisin. Le premier deuxième groupe de commutation (5.1) est relié au premier commutateur à semi-conducteur de puissance (2) du n premier groupe de commutation (1.n) et le premier troisième groupe de commutation (6.1) est relié au deuxième commutateur à semi-conducteur de puissance (3) du n premier groupe de commutation (1.n). En outre, le condensateur (4) du p deuxième groupe de commutation (5.p) est relié en série au condensateur (4) du p troisième groupe de commutation (6.p).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)