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1. (WO2005034215) VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER HARTMASKE UND HARTMASKEN-ANORDNUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2005/034215    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2004/002185
Veröffentlichungsdatum: 14.04.2005 Internationales Anmeldedatum: 30.09.2004
IPC:
H01L 21/033 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
FEHLHABER, Rodger [DE/DE]; (DE) (For US Only).
TEWS, Helmut [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: FEHLHABER, Rodger; (DE).
TEWS, Helmut; (DE)
Vertreter: DOKTER, Eric-Michael; Viering, Jentschura & Partner, Steinsdorfstr. 6, 80538 München (DE)
Prioritätsdaten:
103 45 455.1 30.09.2003 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM ERZEUGEN EINER HARTMASKE UND HARTMASKEN-ANORDNUNG
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF A HARD MASK AND HARD MASK ARRANGEMENT
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MASQUE DUR, ET DISPOSITIF A MASQUE DUR
Zusammenfassung: front page image
(DE)Es wird auf einer strukturierten Photoresist-Schicht mittels eines Atomlagenepitaxie-Verfahrens eine Hartmaskenschicht aufgebracht und ein Teil der Hartmaskenschicht wird entfernt, so dass ein entsprechender Teil der strukturierten Photoresist-Schicht freigelegt wird, welcher anschließend entfernt wird.
(EN)According to the inventive method, a hard mask layer is applied to a structured photoresist layer by means of an atomic layer deposition process, and a portion of the hard mask layer is removed such that a corresponding portion of the structured photoresist layer is exposed. Said exposed portion is then removed.
(FR)Une couche de masque dur est appliquée sur une couche de photorésist structurée, au moyen d'un procédé d'épitaxie en couches atomiques, et une partie de la couche de masque dur est enlevée, de sorte qu'une partie correspondante de la couche de photorésist structurée est mise à nu et est enlevée par la suite.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, NA, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)