WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2004109801) LEISTUNGSHALBLEITERMODUL
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2004/109801    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2004/003375
Veröffentlichungsdatum: 16.12.2004 Internationales Anmeldedatum: 31.03.2004
IPC:
H01L 25/07 (2006.01)
Anmelder: EUPEC [DE/DE]; Europäische Gesellschaft für Leistungshalbleiter mbH, Max-Planck-Str. 5, 59581 Warstein (DE) (For All Designated States Except US).
STOLZE, Thilo [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: STOLZE, Thilo; (DE)
Vertreter: SCHMUCKERMAIER, Bernhard; Westphal, Mussgnug & Partner, Mozartstrasse 8, 80336 München (DE)
Prioritätsdaten:
103 26 176.1 10.06.2003 DE
Titel (DE) LEISTUNGSHALBLEITERMODUL
(EN) POWER SEMICONDUCTOR MODULE
(FR) MODULE SEMI-CONDUCTEUR DE PUISSANCE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Das Leistungshalbleitermodul umfasst ein Substrat (1), auf das mehrere Andruckelemente (16, 17, 18, 19) an verschiedenen Substratstellen (10, 11, 12, 13) mechanischen Druck (F) in Richtung auf ein Kühlelement ausüben, um die Substratunterseite (lb) zur Wärmeabfuhr auf das Kühlelement zu pressen. Um die einzelnen Substratstellen mit im wesentlichen gleicher Kraft und von Bauteiltoleranzen unbeeinflusst zu beaufschlagen, wirken die Andruckelemente federnd auf die Substratstellen ein, wobei die Andruckelemente (16, 17, 18, 19) an einem ersten Gehäuseteil (21) angeformt sind, das gegenüber einem zweiten Gehäuseteil (22) relativ beweglich ist, und das zweite Gehäuseteil (22) Abstandselemente (30, 31, 32, 33) aufweist, die eine Auflagefläche (34) für das erste Gehäuseteil (21) in festem Abstand relativ zu dem Substrat (1) definieren.
(EN)The invention relates to a power semiconductor module comprising a substrate (1) on which several pressure elements (16, 17, 18, 19) perform a mechanical pressure (F) at different areas (10, 11, 12, 13) thereof in a direction of a cooling element in order to press the underside (1b) of the substrate and reject heat towards said cooling element. In order to apply an essentially even and non-influenced by the component tolerances force to each area of the substrate, the pressure elements perform an elastic action on the substrate areas. Said invention is characterised in that the pressure elements (16, 17, 18, 19) are formed on the first part (21) of a housing which is movable with respect to the second part (22) thereof provided with spacing elements (30, 31, 32, 33) defining a supporting surface (34) in such a way that the first part (21) of the housing is fixed at a certain distance from the substrate (1).
(FR)L'invention concerne un module semi-conducteur de puissance qui comprend un substrat (1), sur lequel plusieurs éléments presseurs (16, 17, 18, 19), en différents emplacements du substrat (10, 11, 12, 13), exercent une pression mécanique (F) en direction d'un élément de refroidissement, pour comprimer la face inférieure du substrat (lb) et évacuer la chaleur en direction d'un élément de refroidissement. Afin de soumettre chaque emplacement du substrat à une force sensiblement identique et non influencée par les tolérances des composants, les éléments presseurs agissent de manière élastique sur les emplacements du substrat. L'invention est caractérisée en ce que les éléments presseurs (16, 17, 18, 19) sont formés sur une première partie de boîtier (21), mobile relativement à une deuxième partie de boîtier (22), laquelle (22) comporte des éléments d'espacement (30, 31, 32, 33) qui définissent une surface d'appui (34) pour la première partie de boîtier (21) à une distance fixe du substrat (1).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)