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1. WO2004106403 - HOCHREINE, IONENFREIE HALBLEITENDE POLYTHIOPENE, VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG UND DEREN VERWENDUNG ZUR HERSTELLUNG ELEKTRONISCHER BAUELEMENTE

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Veröffentlichungsnummer WO/2004/106403
Veröffentlichungsdatum 09.12.2004
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2004/004769
Internationales Anmeldedatum 05.05.2004
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 24.03.2005
IPC
C08G 61/12 2006.01
CSektion C Chemie; Hüttenwesen
08Organische makromolekulare Verbindungen; deren Herstellung oder chemische Verarbeitung; Massen auf deren Basis
GMakromolekulare Verbindungen, anders erhalten als durch Reaktionen, an denen nur ungesättigte Kohlenstoff-Kohlenstoff-Bindungen beteiligt sind
61Makromolekulare Verbindungen, die durch Reaktionen erhalten werden, die eine Kohlenstoff- Kohlenstoff-Bindung in der Hauptkette des Makromoleküls bilden
12Makromolekulare Verbindungen, die andere Atome als Kohlenstoff in der Hauptkette des Makromoleküls enthalten
H01L 51/30 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
05besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
30Materialauswahl
H01L 51/40 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
51Festkörperbauelemente, die organische Materialien oder eine Kombination von organischen mit anderen Materialien als aktives Medium aufweisen; Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
05besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
40Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von derartigen Bauelementen oder Teilen davon
CPC
C08G 61/126
CCHEMISTRY; METALLURGY
08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
61Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
12Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
122derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
123derived from five-membered heterocyclic compounds
126with a five-membered ring containing one sulfur atom in the ring
H01L 51/0003
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0001Processes specially adapted for the manufacture or treatment of devices or of parts thereof
0002Deposition of organic semiconductor materials on a substrate
0003using liquid deposition, e.g. spin coating
H01L 51/0036
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
0032Selection of organic semiconducting materials, e.g. organic light sensitive or organic light emitting materials
0034Organic polymers or oligomers
0035comprising aromatic, heteroaromatic, or arrylic chains, e.g. polyaniline
0036Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
H01L 51/0579
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0575the devices being controllable only by variation of the electric current supplied or the electric potential applied, to one or more of the electrodes carrying the current to be rectified, amplified, oscillated or switched, e.g. two-terminal devices
0579Schottky diodes
H01L 51/5012
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
50specially adapted for light emission, e.g. organic light emitting diodes [OLED] or polymer light emitting devices [PLED]
5012Electroluminescent [EL] layer
Y02E 10/549
YSECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
10Energy generation through renewable energy sources
50Photovoltaic [PV] energy
549Organic PV cells
Anmelder
  • FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FÖRDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V. [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • JANIETZ, Silvia [DE]/[DE] (UsOnly)
  • KRÜGER, Hartmut [DE]/[DE] (UsOnly)
  • WEDEL, Armin [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • JANIETZ, Silvia
  • KRÜGER, Hartmut
  • WEDEL, Armin
Vertreter
  • ALBRECHT, Thomas
Prioritätsdaten
103 24 554.530.05.2003DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HOCHREINE, IONENFREIE HALBLEITENDE POLYTHIOPENE, VERFAHREN ZU DEREN HERSTELLUNG UND DEREN VERWENDUNG ZUR HERSTELLUNG ELEKTRONISCHER BAUELEMENTE
(EN) HIGHLY PURE, ION-FREE SEMICONDUCTING POLYTHIOPHENES, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND USE THEREOF FOR THE PRODUCTION OF ELECTRONIC COMPONENTS
(FR) POLYTHIOPHENES SEMI-CONDUCTEURS A HAUTE PURETE ET EXEMPTS D'IONS, PROCEDE DE PRODUCTION DESDITS POLYTHIOPHENES ET LEUR UTILISATION POUR LA FABRICATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES
Zusammenfassung
(DE)
Hochreine, ionenfreie halbleitende Polythiophene, Verfahren zu deren Herstellung und deren Verwendung zur Herstellung elektronischer Bauelemente. Polythiophene sind als organische Materialien für die Herstellung elektronischer Bauelemente von Interesse; bekannte Herstellungsverfahren führen jedoch zu Verunreinigungen durch Metall- und Halogenidionen, die zu nicht reproduzierbaren Eigenschaften daraus hergestellter elektronischer Bauelemente führen. Es soll daher ein Verfahren zu deren Entfernung bereitgestellt werden. Das erfindungsgemäße Verfahren umfasst die Stufen: (a) Behandeln von Polythiophen mit einer metallorganischen Verbindung in einem inerten Lösungsmittel und anschließendes Isolieren des so behandelten Polythiophens; (b) Auflösen des in der Stufe (a) erhaltenen Polythiophens in einem nicht wasserlöslichen organischen Lösungsmittel und inniges Kontaktieren der so erhaltenen Lösung (organische Phase) mit einer wässrigen Lösung eines Metallionenkomplexierungsmittels (wässrige Phase); (c) Trennen der wässrigen und der organischen Phase und Isolieren des hochreinen, ionenfreien Polythiophens aus der organischen Phase. Erfindungsgemäß wird ein hochreines, ionenfreies Polythiophen mit einem Gesamtgehalt an Halogenen vom weniger als 100 ppm und einem Gesamtgehalt an Metallionen von weniger als 20 ppm bereitgestellt. Die erfindungsgemäßen Polythiophene eignen sich zur Herstellung eines elektronischen Bauelements mit reproduzierbaren Eigenschaften.
(EN)
The invention relates to polythiophenes which are interesting as organic materials for the production of electronic components. However, previously known production methods cause impurities due to metal ions and halide ions, said impurities resulting in non-reproducible properties of electronic components produced from said polythiophenes. Hence, the aim of the invention is to create a method for removing said impurities. Said aim is achieved by a method comprising the following steps: (a) polythiophene is treated with an organometallic compound in an inert solvent, whereupon the treated polythiophene is isolated; (b) the polythiophene obtained in step (a) is dissolved in a water-insoluble organic solvent, and the obtained solution (organic phase) is intimately contacted with an aqueous solution of a metal ion complexing agent (aqueous phase); (c) the aqueous phase and the organic phase are separated, and the highly pure, ion-free polythiophene is isolated from the organic phase. The inventive highly pure, ion-free polythiophene has a total halogen content of less than 100 ppm and a total metal ion content of less than 20 ppm. Said polythiophenes are suitable for the production of an electronic component having reproducible properties.
(FR)
Polythiophènes semi-conducteurs à haute pureté et exempts d'ions, procédé de production desdits polythiophènes et leur utilisation pour la fabrication de composants électroniques. Les polythiophènes présentent un grand intérêt en tant que matériaux organiques pour la fabrication de composants électroniques, mais les procédé de production connus entraînent la présence d'impuretés sous forme d'ions métalliques et d'halogénure qui provoquent la non-reproductibilité des propriétés de composants électroniques fabriqués à partir desdits polythiophènes. L'objet de la présente invention est donc la mise au point d'un procédé d'élimination de ces impuretés. Ce procédé consiste (a) à traiter les polythiophènes avec un composé organométallique dans un solvant inerte, puis à isoler le polythiophène ainsi traité, (b) à dissoudre le polythiophène obtenu à l'étape (a) dans un solvant organique non hydrosoluble et à mettre en contact étroit la solution ainsi obtenue (phase organique) avec une solution aqueuse d'un complexant à ions métalliques (phase aqueuse) et (c) à séparer la phase aqueuse de la phase organique et à isoler le polythiophène à haute pureté et exempt d'ions de la phase organique. Le procédé selon la présente invention permet d'obtenir un polythiophène à haute pureté et exempt d'ions à teneur totale en halogènes inférieure à 100 ppm et à teneur totale en ions métalliques inférieure à 20 ppm. Les polythiophènes selon la présente invention sont adaptés pour la fabrication d'un composant électronique à propriétés reproductibles.
Auch veröffentlicht als
DE000010324554
EP1631611
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten
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