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1. (WO2004104265) CVD-BESCHICHTUNGSVORRICHTUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2004/104265    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2004/050325
Veröffentlichungsdatum: 02.12.2004 Internationales Anmeldedatum: 18.03.2004
IPC:
C23C 16/458 (2006.01)
Anmelder: AIXTRON AG [DE/DE]; Kackertstrasse 15-17, 52072 Aachen (DE) (For All Designated States Except US).
KÄPPELER, Johannes [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: KÄPPELER, Johannes; (DE)
Vertreter: GRUNDMANN, Dirk; Rieder & Partner, Corneliusstrasse 45, 42329 Wuppertal (DE)
Prioritätsdaten:
10323085.8 22.05.2003 DE
Titel (DE) CVD-BESCHICHTUNGSVORRICHTUNG
(EN) CVD COATING DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE REVETEMENT CVD
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft eine Vorrichtung zum Abscheiden insbesondere kristalliner Schichten auf einem oder mehreren, insbesondere ebenfalls Inistalli nen Substraten in einer Prozesskammer (1) mittels in die Prozesskammer (1) eingeleiteten und sich dort insbesondere pyrolytisch umsetzenden Reaktionsgasen, mit einer von einer Seite her beheizbaren Trägerplatte (2), auf welcher unter Ausbildung einer Horizontalfuge (3) mindestens eine Kompensationsplatte (4) aufliegt. Um die Oberflächentemperatur besser beeinflussen zu können, schlägt die Erfindung vor, dass die Fugenhöhe der Horizontalfuge (3) zur Beeinflussung der örtlichen Oberflächentemperatur der Kompensationsplatte (4) variierbar oder örtlich verschieden ist.
(EN)The invention relates to a method for depositing especially crystalline layers on one or more, especially crystalline substrates in a process chamber (1) by means of reaction gases that are introduced into the process chamber (1) and that undergo especially pyrolitic reactions. The device comprises a support plate (2), heated from one side, on which at least one compensation plate (4) rests while forming a horizontal gap (3). In order to be better able to influence the surface temperature, the gap height of the horizontal gap (3) can be varied or is locally variable in order to influence the local surface temperature of the compensation plate (4).
(FR)L'invention concerne un dispositif de dépôt, notamment de couches cristallines, sur un ou plusieurs substrats, principalement, également cristallins, dans une chambre de traitement (1), au moyen de gaz de réaction introduits dans ladite chambre (1) et y réagissant principalement par pyrolyse, comprenant une plaque support (2) pouvant être chauffée à partir d'un côté, sur laquelle vient s'appliquer au moins une plaque de compensation (4), avec ménagement d'un joint horizontal (3). En vue de mieux agir sur la température de la surface, l'invention est caractérisée en ce que la hauteur du joint horizontal (3) peut varier ou être localement différente, en vue d'influencer la température locale en surface de la plaque de compensation (4).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)