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1. (WO2004097955) PULVERISIERTE ORGANISCHE HALBLEITER UND VERFAHREN ZUM AUFDAMPFEN AUF EINEN TRÄGER
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2004/097955    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2004/004039
Veröffentlichungsdatum: 11.11.2004 Internationales Anmeldedatum: 16.04.2004
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    05.02.2005    
IPC:
C23C 14/12 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01), H01L 51/40 (2006.01)
Anmelder: BASF AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; 67056 Ludwigshafen (DE) (For All Designated States Except US).
SACHWEH, Bernd [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RÖSCH, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only).
BOLD, Markus [DE/DE]; (DE) (For US Only).
GESSNER, Thomas [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: SACHWEH, Bernd; (DE).
RÖSCH, Joachim; (DE).
BOLD, Markus; (DE).
GESSNER, Thomas; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
BASF AKTIENGESELLSCHAFT; 67056 Ludwigshafen (DE)
Prioritätsdaten:
103 19 742.7 30.04.2003 DE
Titel (DE) PULVERISIERTE ORGANISCHE HALBLEITER UND VERFAHREN ZUM AUFDAMPFEN AUF EINEN TRÄGER
(EN) PULVERIZED ORGANIC SEMICONDUCTORS AND METHOD FOR VAPOR PHASE DEPOSITION ONTO A SUPPORT
(FR) SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE PULVERISE ET PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR SUR UN SUPPORT
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Aufdampfung von einer oder mehreren Verbindungen auf einen Träger, indem man: i) die Verbindung in festem oder gasförmigen Zustand in einen Trägergasstrom einbringt, ii) die Verbindung in dem Trägergasstrom in gasförmigem Zustand vorliegt, iii) die gasförmige Verbindung niederschlägt, iv) die im Schritt (iii) niedergeschlagene Verbindung erneut in den gasförmigen Zustand überführt und anschliessend v) die gasförmige Verbindung auf dem Träger niederschlägt, wobei man den Trägergastrom enthaltend die gasförmige Verbindung(en) durch Zuführung eines Gasstroms auf eine Temperatur niedriger als die Sublimationstemperatur der Verbindung(en) abkühlt.
(EN)The invention relates to a method for vapor phase deposition of one or several compounds onto a support by i) introducing the compound into a carrier gas stream in a solid or gaseous state, ii) providing said compound in a gaseous state in the carrier gas stream, iii) condensing the gaseous compound, iv) returning the compound condensed in step (iii) into the gaseous state, and then v) condensing the gaseous compound on the support, the carrier gas stream containing the gaseous compound(s) being cooled to a temperature that lies below the sublimation temperature of said compound(s) by adding a gas stream.
(FR)L'invention concerne un procédé de dépôt chimique en phase vapeur d'au moins un composé sur un support. Selon ce procédé, i) on introduit le composé à l'état solide ou gazeux dans un flux de gaz porteur, ii) le composé est présent dans le flux de gaz porteur sous la forme gazeuse, iii) le composé gazeux se condense, iv) le composé condensé obtenu en (iii) est à nouveau converti à l'état gazeux et v) le composé gazeux se dépose sur le support. On refroidit le flux de gaz porteur contenant le/les composé(s) gazeux en introduisant un flux gazeux à une température inférieure à la température de sublimation du/des composé(s).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)