WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2004097066) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN VON HALBLEITERSCHICHTEN MIT ZWEI PROZESSGASEN, VON DENEN DAS EINE VORKONDITIONIERT IST
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

Veröff.-Nr.: WO/2004/097066 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2004/002994
Veröffentlichungsdatum: 11.11.2004 Internationales Anmeldedatum: 22.03.2004
IPC:
C23C 16/30 (2006.01) ,C23C 16/44 (2006.01) ,C23C 16/452 (2006.01)
Anmelder: STRAUCH, Gerd[DE/DE]; DE (UsOnly)
KÄPPELER, Johannes[DE/DE]; DE (UsOnly)
REINHOLD, Markus[DE/DE]; DE (UsOnly)
SCHULTE, Bernd[DE/DE]; DE (UsOnly)
AIXTRON AG[DE/DE]; Kackertstrasse 15-17 52072 Aachen, DE (AllExceptUS)
Erfinder: STRAUCH, Gerd; DE
KÄPPELER, Johannes; DE
REINHOLD, Markus; DE
SCHULTE, Bernd; DE
Vertreter: GRUNDMANN, Dirk; Rieder & Partner Corneliusstrasse 45 42329 Wuppertal, DE
Prioritätsdaten:
103 20 597.730.04.2003DE
Titel (EN) METHOD AND DEVICE FOR DEPOSITING SEMICONDUCTOR LAYERS USING TWO PROCESS GASES, OF WHICH ONE IS PRECONDITIONED
(FR) PROCEDE ET DISPOSITIF POUR DEPOSER DES COUCHES SEMI-CONDUCTRICES AU MOYEN DE DEUX GAZ DE PROCEDE DONT UN EST PRECONDITIONNE
(DE) VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ABSCHEIDEN VON HALBLEITERSCHICHTEN MIT ZWEI PROZESSGASEN, VON DENEN DAS EINE VORKONDITIONIERT IST
Zusammenfassung: front page image
(EN) The invention relates to a method and device for depositing at least one layer, particularly a semiconductor layer, onto at least one substrate (5), which is situated inside a process chamber (2) of a reactor (1) while being supported by a substrate holder (4). The layer is comprised of at least two material components provided in a fixed stoichiometric ratio, which are each introduced into the reactor (1) in the form of a first and a second reaction gas, and a portion of the decomposition products form the layer, whereby the supply of the first reaction gas, which has a low thermal activation energy, determines the growth rate of the layer, and the second reaction gas, which has a high thermal activation energy, is supplied in excess and is preconditioned, in particular, by an independent supply of energy. The first reaction gas flows in a direction (11) toward the substrate holder (4) through a multitude of openings (6), which are distributed over a surface (18) of a gas inlet element (3), said surface being located opposite the substrate holder (4). According to the invention, the second process gas is preconditioned with a plasma before entering the process chamber (1), and it enters the process chamber (2) at the edge (19) of the substrate holder (4) directly thereabove and flows parallel to the substrate holder surface.
(FR) L'invention concerne un procédé et un dispositif permettant de déposer au moins une couche, en particulier une couche semi-conductrice sur au moins un substrat (5) maintenu par un porte-substrat (4) dans une chambre de traitement (2) d'un réacteur (1). Cette couche est constituée d'au moins deux composants présents dans un rapport stoechiométrique fixe, lesquels sont introduits dans le réacteur (1) sous la forme d'un premier et d'un second gaz de réaction, une partie des produits de décomposition formant ladite couche. L'apport du premier gaz de réaction, qui présente une énergie d'activation thermique faible, détermine la vitesse de croissance de la couche et le second gaz de réaction, qui présente une énergie d'activation thermique élevée, est acheminé en excès et il est en particulier préconditionné par un approvisionnement en énergie indépendant. Le premier gaz de réaction s'écoule en direction (11) du porte-substrat (4) par une pluralité d'ouvertures (6) réparties sur une face (18) d'un organe d'admission de gaz (3) qui est située en vis-à-vis du porte-substrat (4). Selon l'invention, le second gaz de procédé est préconditionné à l'aide d'un plasma avant de pénétrer dans la chambre de traitement (2), puis il pénètre au niveau du bord (19) du porte-substrat (4) directement au-dessus de celui-ci dans la chambre de traitement (2) et s'écoule parallèlement à la surface du porte-substrat (4).
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren wie eine Vorrichtung zum Abscheiden mindestens einer Schicht, insbesondere Halbleiterschicht auf mindestens einem in einer Prozesskammer (2) eines Reaktors (1) von einem Substrathalter (4) getragenen Substrat (5), wobei die Schicht aus mindestens zwei in einem festen stöchiometrischen Verhältnis stehenden Materialkomponenten besteht, die jeweils in Form eines ersten und eines zweiten Reaktionsgases in den Reaktor (1) eingeleitet werden und ein Teil der Zerlegungsprodukte die Schicht bildet, wobei das Angebot des ersten, eine niedrige thermische Aktivierungsenergie aufweisenden Reaktionsgases die Wachstumsrate der Schicht bestimmt und das zweite, eine hohe thermische Aktivierungsenergie aufweisende Reaktionsgas im Oberschuss angeboten und insbesondere durch unabhängige Energiezufuhr vorkonditioniert wird, wobei das erste Reaktionsgas durch eine Vielzahl von Öffnungen (6), die verteilt auf einer dem Substrathalter (4) gegenüberliegenden Fläche (18) eines Gaseinlassorganes (3) angeordnet sind, in Richtung (11) auf den Substrathalter (4) strömt. Erfindungsgemä&bgr; wird das zweite Prozessgas vor dem Eintritt in die Prozesskammer (2) mit einem Plasma vorkonditioniert. Es tritt am Rande (19) des Substrathalters (4) unmittelbar oberhalb desselben in die Prozesskammer (2) ein und strömt parallel zur Substrathalteroberfläche.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
African Regional Intellectual Property Organization (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasische Patentorganisation (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPO) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)