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1. (WO2004083110) SENSORELEMENTE MIT FREITRAGENDEN BALKENSTRUKTUREN AUS HALBLEITERN AUF GRUPPE-III-NITRIDBASIS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2004/083110 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2004/002817
Veröffentlichungsdatum: 30.09.2004 Internationales Anmeldedatum: 18.03.2004
IPC:
B81B 3/00 (2006.01)
B Arbeitsverfahren; Transportieren
81
Mikrostrukturtechnik
B
Mikrostrukturbauelemente oder -systeme, z.B. mikromechanische Bauelemente
3
Bauelemente mit flexiblen oder verformbaren Bestandteilen, z.B. mit elastischen Zungen oder Membranen
Anmelder:
MICROGAN GMBH [DE/DE]; Albert-Einstein-Allee 45 89081 Ulm, DE (AllExceptUS)
KUNZE, Mike [DE/DE]; DE (UsOnly)
DAUMILLER, Ingo [DE/DE]; DE (UsOnly)
BENKART, Peter [DE/DE]; DE (UsOnly)
KOHN, Erhard [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
KUNZE, Mike; DE
DAUMILLER, Ingo; DE
BENKART, Peter; DE
KOHN, Erhard; DE
Vertreter:
PFENNING, MEINIG & PARTNER GBR; Mozartstrasse 17 80336 München, DE
Prioritätsdaten:
103 11 757.118.03.2003DE
Titel (DE) SENSORELEMENTE MIT FREITRAGENDEN BALKENSTRUKTUREN AUS HALBLEITERN AUF GRUPPE-III-NITRIDBASIS
(EN) SENSOR ELEMENT WITH SELF-SUPPORTING BAR STRUCTURES MADE OF GROUP III NITRIDE BASED SEMICONDUCTORS
(FR) ELEMENT DE DETECTION A STRUCTURES DE BARRES EN PORTE-A-FAUX COMPRENANT DES SEMI-CONDUCTEURS A BASE D'UN NITRURE DU GROUPE III
Zusammenfassung:
(DE) Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen Sensorelement, das eine Halbleiterstruktur auf Gruppe III-Nitridbasis aufweist. Das Halbleitersensorelement dient der Bestimmung des Drucks, der Temperatur, einer Kraft, einer Auslenkung oder einer Beschleunigung. Es weist eine Substratbasis 1, darauf angeordnet eine homogene Halbleiterschicht auf Gruppe-III Nitridbasis auf, wobei die der Substratbasis 1 zugewandte Oberfläche der homogener Halbleiterschicht 2, 2f zumindest teilweise einen Abstand zu der der homogenen Halbleiterschicht 2, 2f zugewandten Oberfläche der Substratbasis aufweist und zeichnet sich dadurch aus, dass mindestens zwei elektrische Ableitungskontakte 5 zur Ableitung eines durch die homogene Halbleiterschicht 2, 2f erzeugbaren elektrischen Ausgangssignals auf, an und/oder unter der homogenen Halbleiterschicht 2, 2f angeordnet sind oder in diese integriert sind.
(EN) The invention relates to a sensor element which comprises a group III nitride-based semiconductor structure. The semiconductor sensor element is used to determine pressure, temperature, a force, a deflection or an acceleration. It comprises a substrate base (1), a group III nitride based homogeneous semiconductor layer arranged thereon, whereby the surface of homogeneous semiconductor layer (2, 2f) facing the substrate base (1) is arranged at least partially at a distance to the surface of the substrate base facing the homogenous semiconductor layer (2, 2f). The invention is characterized in that at least two electric terminal contacts (5) used to divert an electric output signal which can be produced by the homogeneous semiconductor layer (2, 2f), said contacts being arranged on and/or below the homogeneous semiconductor layer (2, 2f) or integrated therein.
(FR) La présente invention concerne un élément de détection qui présente une structure de semi-conducteur à base de nitrure du groupe III. L'élément de détection à semi-conducteur sert à déterminer la pression, la température, une force, une direction ou une accélération. Il présente un substrat de base (1) sur lequel est appliquée une couche de semi-conducteur homogène à base de nitrure du groupe III. Selon l'invention, la surface de la couche de semi-conducteur homogène (2, 2f), qui est dirigée vers le substrat de base (1) présente au moins par zones un espacement par rapport à la surface du substrat de base, dirigée vers la couche de semi-conducteur homogène (2, 2f). L'invention se caractérise par la présence d'au moins deux contacts électriques de dérivation (5) qui servent à dériver un signal électrique de sortie qui peut être produit par la couche de semi-conducteur homogène (2, 2f), lesdits contacts électriques de dérivation se trouvant sur, contre et/ou sous la couche de semi-conducteur homogène (2, 2f) ou pouvant être intégrés à celle-ci.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
EP1606600JP2006520536US20070176211