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1. (WO2004082001) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SPANNUNGSRELAXIERTEN SCHICHTSTRUKTUR AUF EINEM NICHT GITTERANGEPASSTEN SUBSTRAT SOWIE VERWENDUNG EINES SOLCHEN SCHICHTSYSTEMS IN ELEKTRONISCHEN UND/ODER OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN
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Veröff.-Nr.: WO/2004/082001 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/DE2004/000200
Veröffentlichungsdatum: 23.09.2004 Internationales Anmeldedatum: 06.02.2004
IPC:
H01L 21/20 (2006.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21
Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02
Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04
Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18
Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
20
Ablagerung von Halbleitermaterialien auf einem Substrat, z.B. epitaxiales Aufwachsen
Anmelder:
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE/DE]; Wilhelm-Johnen-Strasse 52425 Jülich, DE (AllExceptUS)
MANTL, Siegfried [AT/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
MANTL, Siegfried; DE
Allgemeiner
Vertreter:
FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH; Fachbereich Patente 52425 Jülich, DE
Prioritätsdaten:
103 10 740.110.03.2003DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER SPANNUNGSRELAXIERTEN SCHICHTSTRUKTUR AUF EINEM NICHT GITTERANGEPASSTEN SUBSTRAT SOWIE VERWENDUNG EINES SOLCHEN SCHICHTSYSTEMS IN ELEKTRONISCHEN UND/ODER OPTOELEKTRONISCHEN BAUELEMENTEN
(EN) METHOD FOR THE PRODUCTION OF STRESS-RELAXED LAYER STRUCTURE ON A NON-LATTICE ADAPTED SUBSTRATE AND UTILIZATION OF SAID LAYER SYSTEM IN ELECTRONIC AND/OR OPTOELECTRONIC COMPONENTS
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE STRUCTURE LAMELLAIRE LIBERANT LA CONTRAINTE SUR UN SUBSTRAT NON ADAPTE EN GRILLE ET UTILISATION D'UN TEL SYSTEME LAMELLAIRE DANS DES COMPOSANTS ELECTRONIQUES ET/OU OPTOELECTRONIQUES
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer einkristallinen, spannungsrelaxierten Schichtstruktur mit einer oder mehrere Schichten auf einem Substrat mit jeweils unterschiedlicher Gitterstruktur. In einer speziellen Ausgestaltung dient das Verfahren vorteilhaft zur Herstellung von verspanntem Silizium auf einer spannungsrelaxierten Si-Ge-Schichtstruktur. Ferner betrifft die Erfindung die Verwendung eines solchen Schichtsystems in Bauelemente, wie beispielsweise MOSFETs, MODFETs, resonanten Tunneldioden, Photodetektoren oder Quantenkaskadenlasern.
(EN) The invention relates to a method for the production of a monocrystalline, stress-relaxed layer structure having one or several layers on a substrate with different grid structure. In a special embodiment, the method can be advantageously used for the production of relaxed silicon on a stress-relaxed Si-Ge layer structure. The invention also refers to the utilization of said layer system in components such as MOSFETs, MODFETs, resonant tunnel diodes, photodetectors or quantum cascade lasers.
(FR) L'invention concerne un procédé permettant de produire une structure lamellaire monocristalline libérant la contrainte, comportant une ou plusieurs couches sur substrat, avec dans chaque cas, une structure de grille différente. Dans une configuration spéciale, ledit procédé sert avantageusement à produire du silicium contraint sur une structure lamellaire Si-Ge libérant la contrainte. L'invention concerne également l'utilisation d'un tel système lamellaire dans des composants, tels que par exemple des transistors à effet de champ isolé, des transistors à haute mobilité d'électrons, des diodes à effet tunnel résonant, des photodétecteurs ou des lasers à cascade quantique.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
EP1604390JP2006522469US20060166475