(DE) Die erfindung betrifft eine Wärmesenke aus einem diamanthaltigen Verbundwerkstoff. Neben einem Diamantanteil von 40-90 Vol.% enthält der Verbundwerkstoff 0,005 bis 12 Vol.% einer Silizium Kohlenstoffverbindung, 7 bis 49 Vol.% einer Ag-, Au- oder Al-reichen Phase und kleiner 5 Vol.% einer weiteren Phase, wobei das Volumenverhältnis der Ag-, Au- oder Al-reichen Phase zu Siliziumkarbid grösser 4 ist und zumindest 60 % der Diamantoberfläche von der Silizium Kohlenstoffverbindung bedeckt ist. Bevorzugte Herstellverfahren umfassen drucklose und druckunterstützte Infiltrationstechniken. Der Bauteil eignet sich insbesondere als Wärmesenke für Halbleiterkomponenten.
(EN) The invention relates to a heat sink comprised of a diamond-containing composite material. In addition to having a diamond proportion of 40 to 90 % by volume, the composite material contains 0.005 to 12 % by volume of a silicon carbon compound, 7 to 49 % by weight of an Ag-rich, Au-rich or Al-rich phase, and less than 5 % by volume of another phase, whereby the volume ratio of the Ag-rich, Au-rich or Al-rich phase to silicon carbide is greater than 4, and at least 60 % of the surface of the diamond is covered by the silicon carbon compound. Preferred production methods involve pressureless and pressure-assisted infiltration techniques. This part is suited for use, in particular, as a heat sink for semiconductor components.
(FR) L'invention concerne un dissipateur thermique constitué d'un matériau composite à base de diamant, la proportion de diamant étant comprise entre 40 et 90 % en volume. Ledit matériau composite comprend en outre 0,005 à 12 % en volume d'un composé silicium-carbone, 7 à 49 % en volume d'une phase riche en Ag, Au ou Al et moins de 5 % en volume d'une autre phase, le rapport volumique entre la phase riche en Ag, Au ou Al et le carbure de silicium étant supérieur à 4 et le composé silicium-carbone recouvrant au moins 60 % de la surface du diamant. Les procédés de production utilisés sont de préférence des techniques d'infiltration avec ou sans pression. Ce dissipateur thermique peut être utilisé en particulier pour des composants à semi-conducteurs.