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1. (WO2004079753) REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT UND EUV-LITHOGRAPHIEGERÄT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2004/079753 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/EP2004/002014
Veröffentlichungsdatum: 16.09.2004 Internationales Anmeldedatum: 01.03.2004
IPC:
G03F 7/20 (2006.01) ,G21K 1/06 (2006.01)
G Physik
03
Fotografie; Kinematografie; vergleichbare Techniken unter Verwendung von nicht optischen Wellen; Elektrografie; Holografie
F
Fotomechanische Herstellung strukturierter oder gemusterter Oberflächen, z.B. zum Drucken, zum Herstellen von Halbleiterbauelementen; Materialien dafür; Kopiervorlagen dafür; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
7
Fotomechanische, z.B. fotolithografische Herstellung von strukturierten oder gemusterten Oberflächen, z.B. Druckflächen; Materialien dafür, z.B. mit Fotolacken [Resists]; Vorrichtungen besonders ausgebildet dafür
20
Belichten; Vorrichtungen dafür
G Physik
21
Kernphysik; Kerntechnik
K
Verfahren und Vorrichtungen zur Handhabung von Teilchen oder ionisierender Strahlung, soweit nicht anderweitig vorgesehen; Bestrahlungsvorrichtungen; Gamma- oder Röntgenstrahlmikroskope
1
Anordnungen zur Handhabung von ionisierender Strahlung oder von Teilchen, z.B. Fokussieren oder Moderieren
06
unter Anwendung von Beugung, Brechung oder Reflexion, z.B. Monochromatoren
Anmelder:
CARL ZEISS SMT AG [DE/DE]; Carl-Zeiss-Strasse 22 73447 Oberkochen, DE (AllExceptUS)
TRENKLER, Johann [DE/DE]; DE (UsOnly)
MANN, Hans-Jürgen [DE/DE]; DE (UsOnly)
NOTHELFER, Udo [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
TRENKLER, Johann; DE
MANN, Hans-Jürgen; DE
NOTHELFER, Udo; DE
Vertreter:
FUCHS, Jürgen, H. ; Söhnleinstr. 8 65201 Wiesbaden, DE
Prioritätsdaten:
103 09 084.303.03.2003DE
Titel (DE) REFLEKTIVES OPTISCHES ELEMENT UND EUV-LITHOGRAPHIEGERÄT
(EN) REFLECTIVE OPTICAL ELEMENT AND EUV LITHOGRAPHY APPLIANCE
(FR) ELEMENT OPTIQUE REFLECHISSANT ET APPAREIL DE LITHOGRAPHIE EUV
Zusammenfassung:
(DE) Es wird ein reflektives optisches Element sowie ein ein solches enthaltendes EUV-Lithographiegerät vorgeschlagen, das eine geringe Neigung zu Kontaminationen zeigt. Erfindungsgemäss weist das reflektive optische Element ein Deckschichtsystem aus einer oder mehreren Schichten auf. Die optischen Eigenschaften des Deckschichtsystems liegen zwischen denen eines Spacers und eines Absorbers bzw. entsprechen denen eines Spacers. Die Wahl eines Materials mit einem möglichst kleinen Imaginärteil und einem Realteil möglichst nahe 1 beim Brechungsindex führt in Abhängigkeit von der Deckschichtsystemdicke zwischen zwei Dicken di und d2 zu einem plateauförmigen Reflektivitätsverlauf. Die Dicke des Deckschichtsystems wird kleiner d2 gewählt.
(EN) The invention relates to a reflective optical element and an EUV lithography appliance containing one such element, said appliance displaying a low propensity to contamination. According to the invention, the reflective optical element has a protective layer system consisting of at least one layer. The optical characteristics of the protective layer system are between those of a spacer and an absorber or correspond to those of a spacer. The selection of a material with the smallest possible imaginary part and a real part which is as close to 1 as possible in terms of the refractive index leads to a plateau-type reflectivity course according to the thickness of the protective layer system between two thicknesses d1 and d2. The thickness of the protective layer system is selected in such a way that it is less than d2.
(FR) L'invention concerne un élément optique ainsi qu'un appareil de lithographie EUV contenant ledit élément optique, présentant une faible propension à la contamination. Selon l'invention, l'élément optique réfléchissant présente un système de couches de protection comprenant plusieurs couches. Les propriétés optiques dudit système de couches de protection se situent entre celles d'un intercalaire et d'un absorbeur ou correspondent à celles d'un intercalaire. Le choix de la matière présentant la partie imaginaire la plus petite et une partie réelle la plus proche de 1 en indice de réfraction provoque un processus de réfléctivité sous forme de plateau, en fonction de l'épaisseur du système de couches de protection comprenant deux épaisseurs d1 et d2. L'épaisseur du système de couche de protection utilisée correspond à petit d2.
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Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
JP2006519386US20060066940DE112004000320US20180224585