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1. (WO2004077578) BELEUCHTUNGSMODUL AUF LEUCHTDIODEN-BASIS UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2004/077578 Internationale Anmeldenummer PCT/DE2004/000040
Veröffentlichungsdatum: 10.09.2004 Internationales Anmeldedatum: 15.01.2004
IPC:
H01L 33/48 (2010.01) ,H01L 25/075 (2006.01) ,H01L 33/54 (2010.01)
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
25
Baugruppen, die aus einer Mehrzahl von einzelnen Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen bestehen
03
wobei alle Bauelemente von einer Art sind, wie sie in der gleichen Untergruppe einer der Gruppen H01L27/-H01L51/148
04
wobei die Bauelemente keine gesonderten Gehäuse besitzen
075
wobei die Bauelemente von einer Art sind, wie sie in Gruppe H01L33/87
H Elektrotechnik
01
Grundlegende elektrische Bauteile
L
Halbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
33
Halbleiterbauelemente mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, besonders ausgebildet zur Lichtemission; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Bauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
48
charakterisiert durch das Gehäuse
52
Einkapselungen
54
mit besonderer Form
Anmelder:
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE/DE]; Wernerwerkstrasse 2 93049 Regensburg, DE (AllExceptUS)
HÄRLE, Volker [DE/DE]; DE (UsOnly)
HAHN, Berthold [DE/DE]; DE (UsOnly)
LUGAUER, Hans-Jürgen [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
HÄRLE, Volker; DE
HAHN, Berthold; DE
LUGAUER, Hans-Jürgen; DE
Vertreter:
EPPING HERMANN FISCHER PATENTANWALTSGESELLSCHAFT MBH; P.O. Box 200734 80007 München, DE
Prioritätsdaten:
103 08 866.028.02.2003DE
Titel (DE) BELEUCHTUNGSMODUL AUF LEUCHTDIODEN-BASIS UND VERFAHREN ZU DESSEN HERSTELLUNG
(EN) LIGHTING MODULE BASED ON LIGHT-EMITTING DIODES AND METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF
(FR) MODULE D'ECLAIRAGE ET PROCEDE DE FABRICATION
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung bezieht sich auf ein Beleuchtungsmodul mit zumindest einem auf einem elektrische Anschlussleiter aufweisenden Chipträger aufgebrachten Dünnfilm-Leuchtdiodenchip, der eine erste une eine zweite elektrische Anschlussseite sowie eine epitaktisch hergestellte Halbleiterschichtfolge aufweist. Die Halbleiterschichtfolge weist eine n-leitende Halbleiterschicht, eine p-leitende Halbleiterschicht und einen zwischen diesen beiden Halbleiterschichten angeordneten elektromagnetische Strahlung erzeugenden Bereich auf und ist auf einem Träger angeordnet. Zudem weist sie an einer zu dem Träger hin gewandten Hauptfläche eine reflektierende Schicht auf, die zumindest einen Teil der in der Halbleiterschichtfolge erzeugten elektromagnetischen Strahlung in diese zurückreflektiert. Die Halbleiterschichtfolge weist mindestens eine Halbleiterschicht mit zumindest einer mikrostrukturierten, rauhen Fläche auf. Die Auskoppelfläche des Dünnfilm-Leuchtdiodenchips ist im Wesentlichen durch eine von der reflektierenden Schicht abgewandten Hauptfläche definiert und ist frei von Gehäusematerial wie Verguss- oder Verkapselungsmaterial.
(EN) The invention relates to a lighting module comprising at least one thin-film light-emitting diode chip, which is placed on a chip support provided with electrical supply conductors and which has a first and a second electrical connection side and as well as an epitaxially produced semiconductor layered construction. The semiconductor layered construction has an n-conducting semiconductor layer, a p-conducting semiconductor layer, and a region, which is situated between these two semiconductor layers, produces electromagnetic radiation, and which is placed on a support. In addition, the lighting module comprises a reflective layer. This reflective layer is located on a main surface facing the support and reflects at least a portion of the electromagnetic radiation, which is produced in the semiconductor layered construction, back into said the semiconductor layered construction. The semiconductor layered construction comprises at least one semiconductor layer having at least one microstructured rough surface. The decoupling surface of the thin-film light-emitting diode is defined, in essence, by a main surface facing away from the reflective layer and does not contain housing material such as potting material or encapsulating material.
(FR) L'invention concerne un module d'éclairage comportant au moins une puce de diode d'éclairage en couche mince appliquée sur un support de puce présentant un conducteur de connexion électrique, ladite puce présentant un premier et un deuxième côté de connexion et une suite de couches à semiconducteurs fabriquée de façon épitactique. La suite de couches à semiconducteurs présente une couche à semiconducteurs de type N, une couche à semiconducteurs de type P et une zone située entre ces deux couches, produisant un rayonnement électromagnétique, et est disposée sur un support. Ladite suite de couches à semiconducteurs présente par ailleurs une couche réflectrice sur une surface principale orientée vers le support, qui réfléchit au moins une partie du rayonnement électromagnétique en question, ainsi qu'au moins une couche à semiconducteurs comportant au moins une surface rugueuse microstructurée. La surface d'émission de la puce selon l'invention est essentiellement définie par une surface principale opposée à la couche réflectrice et est exempte de matériaux de boîtier tels que des matériaux d'enrobage ou d'encapsulage.
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Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
KR1020050114632EP1597776JP2006519481US20060163601CN1754268