Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
Einige Inhalte dieser Anwendung sind derzeit nicht verfügbar.
Wenn diese Situation weiterhin besteht, kontaktieren Sie uns bitte unterFeedback&Kontakt
1. (WO2004077448) VERFAHREN ZUM AUSLESEN VON UNIFORM-CHANNEL-PROGRAM-FLASH MEMORY ZELLEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2004/077448 Internationale Veröffentlichungsnummer: PCT/DE2004/000297
Veröffentlichungsdatum: 10.09.2004 Internationales Anmeldedatum: 17.02.2004
IPC:
G11C 16/26 (2006.01)
G Physik
11
Informationsspeicherung
C
Statische Speicher
16
Löschbare, programmierbare Festwertspeicher
02
elektrisch programmierbar
06
Hilfsschaltungen, z.B. für Schreiben in den Speicher
26
Abtast- oder Leseschaltungen; Datenausgabeschaltungen
Anmelder:
INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53 81669 München, DE (AllExceptUS)
GRATZ, Achim [DE/DE]; DE (UsOnly)
ROEHRICH, Mayk [DE/DE]; DE (UsOnly)
KNOBLOCH, Klaus [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
GRATZ, Achim; DE
ROEHRICH, Mayk; DE
KNOBLOCH, Klaus; DE
Vertreter:
HUDLER, Frank; Patentanwälte Lippert, Stachow, Schmidt & Partner Krenkelstr. 3 01309 Dresden, DE
Prioritätsdaten:
103 08 856.327.02.2003DE
103 36 785.308.08.2003DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUM AUSLESEN VON UNIFORM-CHANNEL-PROGRAM-FLASH MEMORY ZELLEN
(EN) METHOD FOR READING UNIFORM CHANNEL PROGRAM (UCP) FLASH MEMORY CELLS
(FR) PROCEDE DE SELECTION DE CELLULES DE MEMOIRE FLASH-PROGRAMME DE CANAL UNIFORME
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Auslesen von UCP-Flash Memory Zellen. Die erfindungsgemäße Lösung der Aufgabenstellung, die Speicherdichte zu erhöhen, indem die Verringerung der Zellengröße durch Veränderungen der Struktur der Speicherzelle so vorgenommen wird, dass auch grundlegend andere Lese-Verfahren einbezogen werden, wird dadurch gelöst, dass im Falle der ausgewählten lokalen Bitleitungen ein, durch ein jeweiliges Lesepotenzial über eine Wort-Leitung an seinem Gate angesteuerter Speicherzellentransistor, welcher einer Bit-Spalte zugehörig ist, die aus jeweils paarweise mit ihren Drain- und Source-Anschlüssen parallel geschalteten Speicherzellentransistoren besteht und deren Drain-Anschlüsse über die lokale Bitleitung verbunden sind und deren Source-Anschlüsse nicht an einem festen Potenzial liegen, dadurch in einem Auslesevorgang ausgelesen wird, dass eine von der Größe der auf dem Floating-Gate des angesteuerten Speicherzellentransistors gespeicherten Ladung abhängige kapazitive Belastung der lokalen Bitleitung erzeugt wird, wobei je nach Größe der besagten kapazitiven Belastung der lokalen Bitleitung auf dieser ein resultierendes Auslese-Signal bereitgestellt wird, das von einem an der lokalen Bitleitung angeschlossenen Leseblock als gültig auszugebender LOW- bzw. HIGH-Pegel eines Bit-Signales bewertet wird, welches mit der Bit-Belegung des Speicherzellen-Transistors korrespondiert, die durch die Grösse der auf dem Floating-Gate gespeicherten Ladung repräsentiert wird.
(EN) The invention relates to a method for reading UCP flash memory cells. The aim of the invention is to increase the packing density, whilst reducing the cell size by modifying the structure of the memory cell to allow a fundamental incorporation of other read methods. To achieve this, in the case of the selected local bit lines, a memory cell transistor, which is controlled by a respective read potential applied to its gate via a word line and is allocated to a bit column, the latter consisting of memory cell transistors, connected in pairs in parallel by their drain and source terminals, whereby their drain terminals are connected via the local bit line and their source terminals are not supplied with a fixed potential, is read in a read operation in such a way that a capacitive load of the local bit line is generated based on the magnitude of the charge that is stored in the floating gate of the controlled memory cell transistor. A read signal is provided in the local bit line in accordance with the magnitude of said capacitive load and said signal is interpreted by a read block that is connected to the local bit line as a valid emittable LOW or HIGH level of a bit signal corresponding to the bit assignment of the memory cell transistor, said assignment being represented by the magnitude of the charge that is stored in the floating gate.
(FR) L'invention concerne un procédé de sélection de cellules de mémoire flash-programme de canal uniforme (UCP). L'invention vise à augmenter la densité de mémorisation en réduisant la taille des cellules par modification de la structure de la cellule mémoire telle que fondamentalement d'autres procédés de sélection peuvent être intégrés. Pour ce faire et dans le cas de lignes locale de bits sélectionnées, un transistor de cellules de mémoire qui est commandé au niveau de sa grille par un potentiel de sélection respectif via une ligne de mots, ce transistor étant associé à un espace de bits qui est constitué de transistors de cellules de mémoire respectivement montés par paires en parallèle par ses bornes de drain et de source et dont les bornes de drain sont reliées par la ligne locale de bits et dont les bornes de source ne sont pas réglées sur un potentiel fixe, soit sélectionné dans un processus de sélection de telle façon qu'une charge capacitive de la ligne locale de bits soit générée en fonction de la taille de la charge enregistrée sur la grille flottante du transistor de cellules de mémoire commandé. Selon la taille de la charge capacitive de la ligne locale de bits, un signal de sélection résultant est mis à dispositif sur cette ligne et est évalué par un bloc de lecture lié à la ligne locale de bits en tant que niveau faible ou élevé d'un signal de bit émis de façon valable. Ce signal correspond à l'affectation des bits du transistor de cellules de mémoire, laquelle affectation est représentée par la taille de la charge mémorisée sur la grille de flottaison.
front page image
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Also published as:
EP1597733US20060039199