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1. (WO2004077161) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES RESISTSUBSTRATS
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten

Veröff.-Nr.: WO/2004/077161 Internationale Anmeldenummer PCT/EP2004/001817
Veröffentlichungsdatum: 10.09.2004 Internationales Anmeldedatum: 24.02.2004
IPC:
G02B 5/18 (2006.01) ,G06K 19/16 (2006.01)
G Physik
02
Optik
B
Optische Elemente, Systeme oder Geräte
5
Optische Elemente außer Linsen
18
Beugungsgitter
G Physik
06
Datenverarbeitung; Rechnen; Zählen
K
Erkennen von Daten; Darstellen von Daten; Aufzeichnungsträger; Handhabung von Aufzeichnungsträgern
19
Aufzeichnungsträger für Maschinen, bei denen mindestens ein Teil zur Aufnahme von digitalen Markierungen bestimmt ist
06
gekennzeichnet durch die Art der digitalen Markierung, z.B. Form der Markierung, Art, Code
08
mit verschiedenen Markierungsarten in einem Aufzeichnungsträger, z.B. mit Markierungsarten, von denen die eine mit optischen und die andere mit magnetischen Einrichtungen abtastbar ist
10
wenigstens eine Art der Markierung wird zur Echtheitserkennung benützt, z.B. von Kredit- oder Identitätskarten
14
durch Strahlung
16
von Hologrammen oder Beugungsgittern
Anmelder:
GIESECKE & DEVRIENT GMBH [DE/DE]; Prinzregentenstrasse 159 81677 München, DE (AllExceptUS)
KAULE, Wittich [DE/DE]; DE (UsOnly)
Erfinder:
KAULE, Wittich; DE
Vertreter:
KLUNKER. SCHMITT-NILSON. HIRSCH; Winzererstrasse 106 80797 München, DE
Prioritätsdaten:
103 08 317.026.02.2003DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES RESISTSUBSTRATS
(EN) METHOD FOR PRODUCING RESIST SUBSTRATES
(FR) PROCEDE DE REALISATION D'UN SUBSTRAT DE RESERVE
Zusammenfassung:
(DE) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer Resistschicht in Form einer Reliefstruktur, die eine Beugungsstruktur darstellt. Die Resistschicht grenzt zumindest bereichsweise an eine leitfähige Schicht an, die beim Belichten der Resistschicht mittels eines Elektronenstrahls die Primärelektronen streut und/ oder Sekundärelektronen erzeugt. Bei diesem Verfahren werden das Material der Resistschicht und der leitfähigen Schicht sowie die Belichtungsparameter derart aufeinander abgestimmt, dass die Resistschicht auch ausserhalb des mit dem Elektronenstrahl beaufschlagten Bereichs so belichtet wird, dass die Flanken der Reliefstruktur eine geneigte Form erhalten.
(EN) The invention relates to a method for producing a substrate provided with a resist layer in the form of a relief structure comprising a diffraction structure. Said resist layer interacts with at least areas provided with a conductive layer which diffuses primary electrons and/or produces secondary electrons when the resist layer is exposed to an electron beam effect. For the inventive method, the material of the resist and conductive layers and exposition parameters are co-ordinated therebetween in such a way that the resist layer is also exposed outside the area exposed to the electron beam in such a way that the lateral parts of the relief structure hold an inclined shape.
(FR) La présente invention concerne un procédé de réalisation d'un substrat présentant une couche de réserve qui se présente sous la forme d'une structure en relief qui représente une structure diffraction. Le couche de réserve est en contact au moins par zones avec une couche conductrice qui, lorsque la couche de réserve est exposée à un faisceau d'électrons, diffuse les électrons primaires et/ou produit des électrons secondaires. Dans ce procédé, le matériau constitutif de la couche de réserve et de la couche conductrice, ainsi que les paramètres d'exposition sont accordés entre eux de sorte que la couche de réserve se trouve exposée à l'extérieur de la zone soumise au faisceau d'électrons de sorte que les parties latérales de la structure en relief conservent une forme inclinée.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NA, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW
Afrikanische regionale Organisation für geistiges Eigentum (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasisches Patentamt (EAPO) (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
Europäisches Patentamt (EPA) (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
Afrikanische Organisation für geistiges Eigentum (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG)
Veröffentlichungssprache: Deutsch (DE)
Anmeldesprache: Deutsch (DE)
Auch veröffentlicht als:
EP1599764RU02334261US20060257583CN1754128AU2004214638