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1. (WO2004040904) OPTOELEKTRONISCHER SENSOR
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2004/040904    Internationale Anmeldenummer    PCT/CH2003/000704
Veröffentlichungsdatum: 13.05.2004 Internationales Anmeldedatum: 28.10.2003
IPC:
H01L 27/146 (2006.01), H04N 3/15 (2006.01)
Anmelder: PHOTONFOCUS AG [CH/CH]; Bahnhofplatz 10, CH-8853 Lachen (CH) (For All Designated States Except US).
WÄNY, Martin [CH/CH]; (CH) (For US Only).
SCHWIDER, Peter, Mario [DE/CH]; (CH) (For US Only)
Erfinder: WÄNY, Martin; (CH).
SCHWIDER, Peter, Mario; (CH)
Vertreter: BREMI, Tobias; Isler & Pedrazzini AG, Gotthardstrasse 53, Postfach 6940, CH-8023 Zürich (CH)
Prioritätsdaten:
1810/02 29.10.2002 CH
Titel (DE) OPTOELEKTRONISCHER SENSOR
(EN) OPTOELECTRONIC SENSOR
(FR) CAPTEUR OPTOELECTRONIQUE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Beschrieben wird ein optoelektronischer Sensor umfassend wenigstens eine Fotodiode (1), welche über einen ersten Transistor (T1) oder eine erste Diode (D1) mit einem ersten Potenzial (Vreset,Vreset1) verbunden werden kann, wobei die Fotodiode (1) ausserdem über einen zweiten Transistor (T2) mit dem Eingang eines Ausleseverstärkers (T3) verbunden werden kann, und wobei weiterhin zwischen diesem zweiten Transistor (T2) und dem Eingang des Ausleseverstärkers (T3) ein dritter Transistor (T5) angeordnet ist, über welchen der Eingang des Ausleseverstärkers (T3) mit einem zweiten Potenzial (Vreset, Vreset2) verbunden werden kann. Dabei sind ausserdem Mittel (C2) vorhanden, welche ein temporäres Speichern des integrierten Signalwertes bis zum Auslesezeitpunkt erlauben. Dadurch ergibt sich ein optoelektronischer Sensor mit einem grossen dynamischen Bereich, das heisst bei welchem die Einpfindlichkeit bei kleinen Signalen erhöht ist und bei welchem die Empfindlichkeit bei grossen Signalen reduziert ist und der die Möglichkeit bietet, den Signalwert nach der Integration bis zum Auslesezeitpunkt im Pixel zu speichern (so genannte 'Global Shutter' Belichtungssteuerung).
(EN)Disclosed is an optoelectronic sensor comprising at least one photodiode (1) which can be connected to a first potential (Vreset,Vreset1) via a first transistor (T1) or a first diode (D1). Said photodiode (1) can also be connected to the input of a readout amplifier (T3) via a second transistor (T2). A third transistor (T5), via which the input of the readout amplifier (T3) can be connected to a second potential (Vreset, Vreset2), is disposed between the second transistor (T2) and the input of the readout amplifier (T3). The inventive optoelectronic sensor further comprises means (C2) for temporarily storing the integrated signal value until readout time, whereby an optoelectronic sensor having a great dynamic range is created, i.e. the sensitivity thereof towards small signals is increased while the sensitivity thereof towards large signals is reduced, said optoelectronic sensor additionally allowing the signal value to be stored in the pixel until readout time following integration (global shutter exposure control).
(FR)La présente invention concerne un capteur optoélectronique comprenant au moins une photodiode (1) qui peut être raccordée à un premier potentiel (Vreset,Vreset1) par un premier transistor (T1) ou par une première diode (D1) et qui peut être raccordée à l'entrée d'un amplificateur de lecture (T3) par un deuxième transistor (T2). Un troisième transistor (T5) est monté entre le deuxième transistor (T2) et l'entrée de l'amplificateur de lecture (T3) et permet de raccorder l'entrée de l'amplificateur de lecture (T3) à un second potentiel (Vreset, Vreset2). Ce capteur optoélectronique comprend également des systèmes (C2) qui permettent de stocker temporairement la valeur de signal intégrée jusqu'à un moment de lecture. Le capteur optoélectronique selon cette invention présente une grande plage dynamique, c'est-à-dire que la sensibilité est augmentée en cas de petits signaux et est réduite en cas de grands signaux et qu'il est possible de stocker en pixels la valeur du signal après l'intégration jusqu'à un moment de lecture (commande d'exposition « global shutter »).
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)