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1. (WO2004037446) GASPHASENABSCHEIDUNG VON PERFLUORIERTEN ALKYLSILANEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2004/037446    Internationale Anmeldenummer    PCT/EP2003/011553
Veröffentlichungsdatum: 06.05.2004 Internationales Anmeldedatum: 17.10.2003
IPC:
B05D 1/18 (2006.01), B05D 3/14 (2006.01), B05D 7/24 (2006.01)
Anmelder: ECOLE POLYTECHNIQUE FEDERALE DE LAUSANNE [CH/CH]; CM-ECUBLENS, CH-1015 Lausanne (CH) (For All Designated States Except US).
HOFFMANN, Patrik [DE/DE]; (CH) (For US Only).
KULIG, Gerit [DE/DE]; (CH) (For US Only).
BARBIERI, Laura [IT/IT]; (CH) (For US Only)
Erfinder: HOFFMANN, Patrik; (CH).
KULIG, Gerit; (CH).
BARBIERI, Laura; (CH)
Vertreter: HERTZ, Oliver; V. Bezold & Sozien, Akademiestrasse 7, 80799 München (DE)
Prioritätsdaten:
102 48 775.8 18.10.2002 DE
Titel (DE) GASPHASENABSCHEIDUNG VON PERFLUORIERTEN ALKYLSILANEN
(EN) GAS PHASE DEPOSITION OF PERFLUORINATED ALKYL SILANES
(FR) DEPOT EN PHASE GAZEUSE D'ALKYLSILANES PERFLUORES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Ein Verfahren zur Gasphasenabscheidung von partiell fluorierten oder perfluorierten Alkylsilanen auf einem Substrat in einer Reaktorkammer umfasst die Schritte, Reinigung des Substrates, Hydratation des Substrates mit Wasserdampf, Trocknung des Substrates und Silanisierung des Substrates durch Abscheidung des Alkylsilans aus der Gasphase, wobei die Reinigung des Substrates ein Plasmaätzen umfasst und die Hydratation unmittelbar nach dem Plasmaätzen erfolgt.
(EN)A method for the gas phase deposition of partially-fluorinated or perfluorinated alkyl silanes onto a substrate in a reaction chamber, comprises the following steps: cleaning the substrate, hydration of the substrate with steam, drying the substrate and silanisation of the substrate by deposition of the alkyl silane from the gas phase. The cleaning of the substrate is a plasma etching process and the hydration occurs directly after the plasma etching.
(FR)Procédé de dépôt en phase gazeuse d'alkylsilanes partiellement fluorés ou perfluorés sur un substrat dans une chambre de réacteur, qui comprend le nettoyage du substrat, l'hydratation du substrat à l'aide de vapeur d'eau, le séchage du substrat et la silanisation du substrat par dépôt de l'alkylsilane présent dans la phase gazeuse, le nettoyage du substrat comportant un décapage au plasma et l'hydratation ayant lieu immédiatement après le décapage au plasma.
Designierte Staaten: AE, AG, AL, AM, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BR, BY, BZ, CA, CH, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DZ, EC, EE, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KP, KR, KZ, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, MA, MD, MG, MK, MN, MW, MX, MZ, NI, NO, NZ, OM, PG, PH, PL, PT, RO, RU, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SY, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, YU, ZA, ZM, ZW.
African Regional Intellectual Property Organization (GH, GM, KE, LS, MW, MZ, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Eurasian Patent Organization (AM, AZ, BY, KG, KZ, MD, RU, TJ, TM)
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR)
African Intellectual Property Organization (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)