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1. WO2003096399 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES UND DANACH HERGESTELLTES HALBLEITERBAUELEMENT

Veröffentlichungsnummer WO/2003/096399
Veröffentlichungsdatum 20.11.2003
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2003/003979
Internationales Anmeldedatum 16.04.2003
IPC
H01L 21/285 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
28Herstellung von Elektroden auf Halbleiterkörpern unter Verwendung von Verfahren oder Vorrichtungen, soweit nicht in H01L21/20-H01L21/268167
283Ablagerung von leitenden oder isolierenden Materialien für Elektroden
285aus der Gasphase oder Dampfphase, z.B. Kondensation
H01L 21/338 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
04Bauelemente mit mindestens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang, Verarmungsschicht, Anreicherungsschicht
18Bauelemente mit Halbleiterkörpern aus Elementen der Gruppe IV des Periodensystems oder AIIIBV-Verbindungen mit oder ohne Fremdstoffe, z.B. Dotierungsmaterialien
334Mehrstufenprozess zur Herstellung von unipolaren Bauelementen
335Feldeffekt-Transistoren
338mit einem Schottky-Gate
H01L 29/423 2006.01
HSektion H Elektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
29Halbleiterbauelemente, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; Kondensatoren oder Widerstände mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. PN-Übergang mit Verarmungsschicht oder Anreicherungsschicht; Einzelheiten von Halbleiterkörpern oder von Elektroden auf diesen Halbleiterkörpern
40Elektroden
41gekennzeichnet durch ihre Form, relative Größe oder Anordnung
423wobei die Elektroden den gleichzurichtenden, zu verstärkenden oder zu schaltenden Strom nicht führen
CPC
H01L 21/28587
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
21Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
04the devices having at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
18the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic System or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
28Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
283Deposition of conductive or insulating materials for electrodes ; conducting electric current
285from a gas or vapour, e.g. condensation
28506of conductive layers
28575on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
28587characterised by the sectional shape, e.g. T, inverted T
H01L 29/42316
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
40Electrodes ; ; Multistep manufacturing processes therefor
41characterised by their shape, relative sizes or dispositions
423not carrying the current to be rectified, amplified or switched
42312Gate electrodes for field effect devices
42316for field-effect transistors
H01L 29/66863
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
29Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof; ; Multistep manufacturing processes therefor
66Types of semiconductor device ; ; Multistep manufacturing processes therefor
66007Multistep manufacturing processes
66075of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
66227the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
66409Unipolar field-effect transistors
66848with a Schottky gate, i.e. MESFET
66856with an active layer made of a group 13/15 material
66863Lateral single gate transistors
Anmelder
  • UNITED MONOLITHIC SEMICONDUCTORS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • BEHAMMER, Dag [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • BEHAMMER, Dag
Vertreter
  • WEBER, Gerhard
Prioritätsdaten
102 20 999.511.05.2002DE
103 04 722.006.02.2003DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTES UND DANACH HERGESTELLTES HALBLEITERBAUELEMENT
(EN) METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT, AND SEMICONDUCTOR COMPONENT PRODUCED BY THE SAME
(FR) PROCEDE DE PRODUCTION D'UN COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR AINSI PRODUIT
Zusammenfassung
(DE)
Für ein Halbleiter-Bauelement mit einer zumindest annähernd T-förmigen Elektrode wird ein Verfahren zur Erzeugung eines präzise skalierbaren Gatekopfes und zur Verringerung parasitärer Kapazitäten angegeben.
(EN)
The invention relates to a method for producing a gate head which can be precisely scaled and for reducing parasitic capacities, for a semiconductor component comprising an at least approximately T-shaped electrode.
(FR)
L'invention concerne un procédé de production d'une tête de grille de calibrage précis et de réduction des capacités parasites permettant d'obtenir un composant semi-conducteur pourvu d'une électrode au moins approximativement en T.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten