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1. WO2003090279 - HALBLEITERBAUELEMENT MIT INTEGRIERTER GITTERFÖRMIGER KAPAZITÄTSSTRUKTUR

Veröffentlichungsnummer WO/2003/090279
Veröffentlichungsdatum 30.10.2003
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2003/001171
Internationales Anmeldedatum 09.04.2003
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 20.10.2003
IPC
H01L 21/02 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
21Verfahren oder Geräte, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung von Halbleiter- oder Festkörperbauelementen oder Teilen davon
02Herstellung oder Behandlung von Halbleiterbauelementen oder Teilen davon
H01L 23/522 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
23Einzelheiten von Halbleiter- oder anderen Festkörperbauelementen
52Anordnungen zur Stromleitung innerhalb des im Betrieb befindlichen Bauelements von einem Schaltungselement zum anderen
522einschließlich externer Verbindungsleitungen, die aus einer mehrschichtigen Anordnung aus leitenden und isolierenden Schichten aufgebaut und untrennbar an dem Halbleiterkörper angebracht sind
H01L 27/08 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
02mit Halbleiterschaltungselementen, besonders ausgebildet zum Gleichrichten, Verstärken, Schalten oder zur Schwingungserzeugung mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht; mit integrierten passiven Schaltungselementen mit wenigstens einer Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht
04wobei das Substrat aus einem Halbleiterkörper besteht
08ausschließlich mit Halbleiterschaltungselementen einer Art
CPC
H01L 23/5222
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
23Details of semiconductor or other solid state devices
52Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another ; , i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
522including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
5222Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
H01L 27/0805
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
02including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
04the substrate being a semiconductor body
08including only semiconductor components of a single kind
0805Capacitors only
H01L 28/82
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
28Passive two-terminal components without a potential-jump or surface barrier for integrated circuits; Details thereof; Multistep manufacturing processes therefor
40Capacitors
60Electrodes
82with an enlarged surface, e.g. formed by texturisation
H01L 2924/0002
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
2924Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
0001Technical content checked by a classifier
0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Anmelder
  • INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • DA DALT, Nicola [IT]/[AT] (UsOnly)
Erfinder
  • DA DALT, Nicola
Vertreter
  • LAMBSDORFF, Matthias
Prioritätsdaten
102 17 565.919.04.2002DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) HALBLEITERBAUELEMENT MIT INTEGRIERTER GITTERFÖRMIGER KAPAZITÄTSSTRUKTUR
(EN) SEMICONDUCTOR COMPONENT COMPRISING AN INTEGRATED LATTICED CAPACITANCE STRUCTURE
(FR) COMPOSANT A SEMI-CONDUCTEURS COMPORTANT UNE STRUCTURE CAPACITIVE INTEGREE EN FORME DE GRILLE
Zusammenfassung
(DE)
In einer Isolationsschicht, welche auf einem Halbleitersubstrat ausgebildet ist, ist eine Kapazitätsstruktur (K) ausgebildet. Die Kapazitätsstruktur (K) weist zumindest eine erste Teilstruktur (T1a) auf, die einen metallischen gitterförmigen Bereich (G1a bis G1c) und elektrisch leitende Bereiche (P1a bis P1c) aufweist, die in den Aussparungen des gitterförmigen Bereichs (G1a bis G1c) angeordnet sind, wobei der gitterförmige Bereich (G1a bis G1c) mit einer ersten und die elektrisch leitenden Bereiche (P1a bis P1c) mit einer zweiten Anschlussleitung elektrisch verbunden sind.
(EN)
According to the invention, an insulation layer formed on a semiconductor substrate is provided with a capacitance structure (K). Said capacitance structure (K) comprises at least one first partial structure (T1a) which has a metallic latticed region (G1a to G1c) and electroconductive regions (P1a to P1c) which are arranged in the recesses of the latticed region (G1a to G1c). Said latticed region (G1a to G1c) is connected to a first connection line and the electroconductive regions (P1a to P1c) are connected to a second connection line.
(FR)
Selon l'invention, une couche d'isolation créée sur un substrat à semi-conducteur contient une structure capacitive (K). Ladite structure capacitive (K) présente au moins une première structure partielle (T1a) comportant une zone métallique en forme de grille (G1a à G1c) et des zones électroconductrices (P1a à P1c) logées dans les cavités de la zone en forme de grille (G1a à G1c). Ladite zone en forme de grille (G1a à G1c) est connectée électriquement à une première ligne de raccordement et les zones électroconductrices (P1a à P1c) sont connectées à une deuxième ligne de raccordement.
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