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1. (WO2003089945) SCHALTUNGSTEIL MIT MINDESTENS ZWEI MAGNETORESISTIVEN SCHICHTELEMENTEN MIT INVERTIERTEN AUSGANGSSIGNALEN
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/089945    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2003/001138
Veröffentlichungsdatum: 30.10.2003 Internationales Anmeldedatum: 07.04.2003
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    06.10.2003    
IPC:
G01R 33/09 (2006.01), H03K 19/168 (2006.01), H03K 19/18 (2006.01)
Anmelder: SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE/DE]; Wittelsbacherplatz 2, 80333 München (DE) (For All Designated States Except US).
BANGERT, Joachim [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: BANGERT, Joachim; (DE)
Allgemeiner
Vertreter:
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT; Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Prioritätsdaten:
102 17 598.5 19.04.2002 DE
102 17 593.4 19.04.2002 DE
Titel (DE) SCHALTUNGSTEIL MIT MINDESTENS ZWEI MAGNETORESISTIVEN SCHICHTELEMENTEN MIT INVERTIERTEN AUSGANGSSIGNALEN
(EN) CIRCUIT PART COMPRISING AT LEAST TWO MAGNETORESISTIVE LAYER ELEMENTS WITH INVERTED OUTPUT SIGNALS
(FR) PARTIE DE CIRCUIT COMPRENANT AU MOINS DEUX ELEMENTS COUCHES MAGNETORESISTANTS AYANT DES SIGNAUX DE SORTIE INVERSES
Zusammenfassung: front page image
(DE)Schaltungsteil mit mindestens zwei magnetoresistiven Schichtelementen mit invertierten Ausgangssignalen. Der Schaltungsteil (B) enthält mindestens zwei Schichtelemente (E1-E4), die jeweils einen erhöhten magnetoresistiven XMR-Effekt, beispielsweise TMR-Effekt zeigen und eine Dünnschichtenfolge mit einer weichmagnetischen Detektionsschicht, einer magnetisch härteren Referenzschichtund, einer dazwischenliegenden entkoppelnden Zwischenschicht aufweisen. Die beiden Schichtelemente sollen vom Vorzeichen her zueinander invertierte Ausgangssignale erzeugen. Hierzu ist die Einstellung der unterschiedlichen Vorzeichen des magnetoresistiven Effektes der beiden Schichtelemente (E1, E2 bzw. E3, E4) mittels unterschiedlichen Schichtaufbaus zumindest ihrer Detektionsschichten oder Zwischenschichten vorgegeben.
(EN)The circuit part (B) contains at least two layer elements (E1-E4), which respectively exhibit an increased magnetoresistive XMR effect, for example, a TMR effect and comprise a thin series of layers with: a magnetically soft detection layer; a magnetically harder reference layer, and; a decoupling intermediate layer located therebetween. Both layer elements should generate output signals whose signs are inverted with regard to one another. To this end, the setting of the different signs of the magnetoresistive effect of both layer elements (E1, E2 or E3, E4) is predetermined by means of a varied layer structure of at least the detection layers or intermediate layers thereof.
(FR)L'invention concerne une partie circuit comprenant au moins deux éléments couches magnétorésistants ayant des signaux de sortie inversés. La partie circuit (B) contient au moins deux éléments couches (E1-E4) ayant respectivement un effet XMR magnétorésistant augmenté, par exemple, un effet TMR et une succession de minces couches comprenant une couche de détection magnétique douce, une couche de référence magnétiquement dure et, intercalée entre les deux, une couche intermédiaire déconnectée. Les deux éléments couches doivent, à partir du signe générer des signaux de sortie inversés. A cet effet, le réglage des différents signes de l'effet magnétoresistant des deux éléments couches (E1, E2 ou E3, E4) sont obtenus à l'aide de différentes constructions en couches au moins de leurs couches de détection ou couches intermédiaires.
Designierte Staaten: CN, JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)