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1. WO2003089155 - VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM HÄRTEN EINER BESCHICHTUNG

Anmerkung: Text basiert auf automatischer optischer Zeichenerkennung (OCR). Verwenden Sie bitte aus rechtlichen Gründen die PDF-Version.

[ DE ]

PATENTANSPRUCHE

1. Verfahren zum Härten einer Beschichtung (100) an einem Werkstück
(102),

d a d u r c h k e n n z e i c h n e t, daß das Werkstück (102) in einem Plasmaerzeugungsraum (104) angeordnet wird und daß in dem Plasmaerzeugungsraum (104) ein Plasma erzeugt wird, mittels dessen die Beschichtung (100) zumindest teilweise gehärtet wird.

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Beschichtung (100) strahlungshärtbar ist und daß in dem Plasma eine zum Härten der Beschichtung (100) geeignete Strahlung erzeugt wird.

3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Plasma eine elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 850 nm, insbesondere im Bereich von ungefähr 50 nm bis ungefähr 700 nm, vorzugsweise im Bereich von ungefähr 150 nm bis ungefähr 700 nm, besonders bevorzugt im Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 600 nm, erzeugt wird.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück mit einer Beschichtung (100) versehen ist, die durch eine elektromagnetische Strahlung, welche zumindest einen Anteil von UV-Strahlung umfaßt, härtbar ist.

5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck in dem Plasmaerzeugungsraum (104) auf einen Wert von höchstens ungefähr 100 Pa, vorzugsweise von höchstens ungefähr 1 Pa, insbesondere von höchstens ungefähr 0,1 Pa, eingestellt wird.

6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmaerzeugungsraum (104) als Prozeßgas Stickstoff und/oder ein Edelgas, vorzugsweise Argon, enthält.

7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmaerzeugungsraum (104) ein Prozeßgas enthält, dem ein
Additiv, beispielsweise ein Metall und/oder ein Metallhalogenid, zugesetzt worden ist.

8. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma durch Einkopplung von elektromagnetischer Strahlung in den Plasmaerzeugungsraum (104) mittels mindestens einer Einkopplungseinrichtung (132, 132') erzeugt wird.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma durch Einkopplung von Mikrowellenstrahlung, vorzugsweise mit einer
Frequenz im Bereich von ungefähr 1 GHz bis ungefähr 10 GHz, insbesondere im Bereich von ungefähr 2 GHz bis ungefähr 3 GHz, erzeugt wird.

10. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 oder 9, dadurch gekennzeichnet, daß die elektromagnetische Strahlung mittels eines Magnetrons (140) erzeugt wird.

11. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein Magnetfeld zur Erzeugung eines ECR-Effektes erzeugt wird.

12. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die elektromagnetische Strahlung mittels mehrerer Einkopplungseinrichtungen (132, 132') in den Plasmaerzeugungsraum (104) eingekoppelt wird.

13. Verfahren nach einem der Ansprüche 8 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) einen Hohlraum (152) mit einer Zugangsöffnung (154) aufweist und daß elektromagnetische Strahlung mittels mindestens einer Einkopplungseinrichtung (132) so in den Plasmaerzeugungsraum (104) eingekoppelt wird, daß die elektromagnetische Strahlung durch die Zugangsöffnung (154) in den Hohlraum (152) des Werkstücks (102) gelangt.

14. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß dem Plasmaerzeugungsraum (104) während des Härtungsvorganges ein zu ionisierendes Gas zugeführt wird.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß das zu ionisierende Gas dem Plasmaerzeugungsraum (104) mittels einer Einspeiseinrichtung (144) zugeführt wird, die einer Einkopplungseinrichtung
(132, 132') benachbart ist, mittels welcher eine elektromagnetische
Strahlung in den Plasmaerzeugungsraum (104) eingekoppelt wird.

16. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) in eine Vorkammer (160) eingebracht und für den Härtungsvorgang aus der Vorkammer (160) in den Plasmaerzeugungsraum (104) überführt wird.

17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorkammer (160) nach dem Einbringen des Werkstücks (102) evakuiert wird.

18. Verfahren nach einem der Ansprüche 16 oder 17, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) in der Vorkammer (160) mit elektromagnetischer Strahlung, insbesondere mit Mikrowellenstrahlung, beaufschlagt wird.

19. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 18, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) nach dem Härtungsvorgang aus dem Plasmaerzeugungsraum (104) in eine Ausschleuskammer (162) überführt wird.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausschleuskammer (162) vor dem Überführen des Werkstücks (102) in die Ausschleuskammer (162) evakuiert wird.

21. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 20, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) nicht-planar ausgebildet ist.

22. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 21, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) mindestens eine Hinterschneidung und/oder mindestens einen abgeschatteten Bereich aufweist.

23. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 22, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) ein elektrisch leitfähiges Material umfaßt.

24. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 23, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) ein metallisches Material umfaßt.

25. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 24, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) ein Kunststoffmaterial und/oder Holz umfaßt.

26. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 25, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmaerzeugungsraum (104) als Prozeßgas Stickstoff, Helium und/oder Argon enthält.

27. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 26, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmaerzeugungsraum (104) ein Prozeßgas enthält, dessen Zusammensetzung während des Härtungsvorganges variiert.

28. Verfahren nach Anspruch 27, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung des Prozeßgases so variiert, daß der Schwerpunkt der in dem Plasma während des Härtungsvorgangs erzeugten elektromagnetischen Strahlung während einer ersten Phase des Härtungsvorgangs bei einer ersten Wellenlänge liegt und während einer späteren, zweiten
Phase des Härtungsvorgangs bei einer zweiten Weilenlänge liegt, wobei die zweite Wellenlänge von der ersten Wellenlänge verschieden ist.

29. Verfahren nach Anspruch 28, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite
Wellenlänge kleiner ist als die erste Wellenlänge.

30. Verfahren nach einem der Ansprüche 27 bis 29, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung des Prozeßgases so variiert wird, daß sich der Schwerpunkt der in dem Plasma während des Härtungsvorgangs erzeugten elektromagnetischen Strahlung mit wachsender Härtungsdauer zu kleineren Wellenlängen hin verschiebt.

31. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 30, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmaerzeugungsraum (104) zu dem Zeitpunkt, in dem das
Plasma gezündet wird, Argon, vorzugsweise im wesentlichen ausschließlich Argon, enthält.

32. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 31, dadurch gekennzeichnet, daß dem Plasmaerzeugungsraum (104) über eine oder mehrere Einspeiseinrichtungen (144) ein oder mehrere Gase und/oder ein Gasgemisch zugeführt werden.

33. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 32, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma durch Einkopplung von elektromagnetischer Strahlung in den Plasmaerzeugungsraum (104) mittels mehrerer Einkopplungseinrichtungen (132, 132') erzeugt wird, wobei mindestens zwei der Einkopplungseinrichtungen (132, 132') voneinander verschiedene Einkopplungs- leistungen aufweisen.

34. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 33, dadurch gekennzeichnet, daß das Plasma durch Einkopplung von elektromagnetischer Strahlung in den Plasmaerzeugungsraum (104) mittels mehrerer Einkopplungseinrichtungen (132, 132') erzeugt wird, wobei mindestens zwei der Einkopplungseinrichtungen (132, 132') von unterschiedlicher Bauart sind.

35. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 34, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Plasmaerzeugungsraum (104) mindestens ein Reflektor
(202) zum Reflektieren der in dem Plasma erzeugten elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist.

36. Verfahren nach Anspruch 35, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Plasmaerzeugungsraum (104) mindestens eine Spiegelfolie als Reflektor
(202) vorgesehen ist.

37. Verfahren nach einem der Ansprüche 35 oder 36, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teilbereich der Begrenzungswände des Plasmaerzeugungsraums (104) als Reflektor (202) ausgebildet ist.

38. Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 37, dadurch gekennzeichnet, daß der mindestens eine Reflektor (202) als reflektierendes Material
Aluminium und/oder Edelstahl umfaßt.

39. Verfahren nach einem der Ansprüche 35 bis 38, dadurch gekennzeichnet, daß der mindestens eine Reflektor (202) aus dem Plasmaerzeugungsraum (104) entnehmbar ist.

40. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 39, dadurch gekennzeichnet, daß Gas aus dem Plasmaerzeugungsraum (104) über eine oder mehrere Absaugeinrichtungen (208) abgesaugt wird.

41. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 40, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck in dem Plasmaerzeugungsraum (104) mitteis mindestens einer Absaugeinrichtung (208) mit einer Drosselklappe (200) variiert wird.

42. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 41, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) mittels einer zumindest teilweise elektrisch isolierenden Halterung (212) elektrisch von den Begrenzungswänden des
Plasmabegrenzungsraums (104) getrennt wird.

43. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 42, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) auf ein von dem elektrischen Potential der Begrenzungswände des Plasmaerzeugungsraums (104) verschiedenes
elektrisches Potential gelegt wird.

44. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 43, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) mittels einer elektrisch leitfähigen Halterung elektrisch leitend mit den Begrenzungswänden des Plasmaerzeugungsraums (104) verbunden wird.

45. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 44, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) auf dasselbe elektrische Potential wie die Begrenzungswände des Plasmaerzeugungsraums (104) gelegt wird.

46. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 45, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) auf Massepotential gelegt wird.

47. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 46, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) mit einer Beschichtung (100) versehen ist, die durch elektromagnetische Strahlung, welche zumindest einen Anteil von UV-Strahlung umfaßt, oder durch Wärme oder durch eine Kombination von elektromagnetischer Strahlung, welche zumindest einen Anteil von
UV-Strahlung umfaßt, und Wärme härtbar ist.

48. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 47, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) vor, während und/oder nach der Erzeugung des Plasmas mit einer elektromagnetischen Strahlung, die nicht in dem
Plasma erzeugt wird, beaufschlagt wird.

49. Verfahren nach Anspruch 48, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) vor, während und/oder nach der Erzeugung des Plasmas mit Mikrowellenstrahlung und/oder mit Infrarot- Strahlung, die nicht in dem
Plasma erzeugt wird, beaufschlagt wird.

50. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 48, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) vor, nach und/oder während der Erzeugung des Piasmas getrocknet wird.

51. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 50, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) vor der Erzeugung des Plasmas mit einem unterhalb des Atmosphärendruckes liegenden Druck, vorzugsweise mit einem Druck im Bereich von ungefähr 2000 Pa bis ungefähr 50000 Pa, beaufschlagt wird.

52. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 51, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) vor der Erzeugung des Plasmas mit einem unterhalb des Atmosphärendrucks liegenden Druck beaufschlagt wird, welcher höher ist als der Druck, mit dem das Werkstück (102) während der Erzeugung des Plasmas beaufschlagt wird.

53. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 52, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Plasmaerzeugungsraum (104) ein Magnetfeld erzeugt wird.

54. Verfahren nach einem der Anspruch 53, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke des Magnetfelds während des Härtungsvorgangs variiert wird.

55. Verfahren nach einem der Ansprüche 53 oder 54, dadurch gekennzeichnet, daß das Magnetfeld in dem Plasmaerzeugungsraum (104) erst nach Beginn des Härtungsvorgangs erzeugt wird.

56. Verfahren nach einem der Ansprüche 53 bis 55, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke des Magnetfelds in dem Plasmaerzeugungsraum (104) räumlich variiert.

57. Werkstück mit einer Beschichtung (100), die nach dem Verfahren gemäß einem der Ansprüche 1 bis 56 gehärtet worden ist.

58. Vorrichtung zum Härten einer, insbesondere strahlungshärtbaren, Beschichtung (100) an einem Werkstück (102), dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (122) einen Plasmaerzeugungsraum (104), eine Einrichtung (170) zum Einbringen des Werkstücks (102) in den Plasmaerzeugungsraum (104) und eine Einrichtung (132, 132', 136, 140) zum Erzeugen eines Plasmas in dem Plasmaerzeugungsraum (104) umfaßt.

59. Vorrichtung nach Anspruch 58, dadurch gekennzeichnet, daß in dem
Plasmaerzeugungsraum (104) ein Plasma erzeugbar ist, das eine elektromagnetische Strahlung mit einer Wellenlänge im Bereich von ungefähr
50 nm bis ungefähr 850 nm, insbesondere im Bereich von ungefähr
50 nm bis ungefähr 700 nm, vorzugsweise im Bereich von ungefähr
150 nm bis ungefähr 700 nm, besonders bevorzugt im Bereich von ungefähr 200 nm bis ungefähr 600 nm, emittiert.

60. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 oder 59, dadurch gekennzeichnet, daß der Druck eines Prozeßgases in dem Plasmaerzeugungsraum (104) auf einen Wert von höchstens ungefähr 100 Pa, vorzugsweise von höchstens ungefähr 1 Pa, insbesondere von höchstens ungefähr 0,1 Pa, einstellbar ist.

61. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 60, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmaerzeugungsraum (104) als Prozeßgas Stickstoff oder ein Edelgas, vorzugsweise Argon, enthält.

62. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 61, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (122) mindestens eine Einkopplungseinrichtung (132, 132') zum Einkoppeln von elektromagnetischer Strahlung in den
Plasmaerzeugungsraum (104) umfaßt.

63. Vorrichtung nach Anspruch 62, dadurch gekennzeichnet, daß mittels der Einkopplungseinrichtung (132, 132') eine Mikrowellenstrahlung, vorzugsweise mit einer Frequenz im Bereich von ungefähr 1 GHz bis ungefähr 10 GHz, insbesondere im Bereich von ungefähr 2 GHz bis
ungefähr 3 GHz, in den Plasmaerzeugungsraum (104) einkoppelbar ist.

64. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 62 oder 63, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (122) eine Einrichtung (140) zum Erzeugen elektromagnetischer Strahlung umfaßt.

65. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 62 bis 64, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (122) eine Einrichtung (138) zum Erzeugen
eines Magnetfeldes in dem Plasmaerzeugungsraum (104) umfaßt.

66. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 62 bis 65, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (122) mehrere Einkopplungseinrichtungen (132, 132') zum Einkoppeln von elektromagnetischer Strahlung in den Plasmaerzeugungsraum (104) umfaßt.

67. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 62 bis 66, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine Einkopplungseinrichtung (132') so angeordnet und ausgerichtet ist, daß die mittels dieser Einkopplungseinrichtung
(132') in den Plasmaerzeugungsraum (104) eingekoppelte elektromagnetische Strahlung durch eine Zugangsöffnung (154) in einen Hohlraum (152) des in dem Plasmaerzeugungsraum (104) angeordneten Werkstücks (102) gelangt.

68. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 67, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (122) mindestens eine Einspeiseinrichtung (144) zum Zuführen eines zu ionisierenden Gases zu dem Plasmaerzeugungsraum (104) umfaßt.

69. Vorrichtung nach Anspruch 68, dadurch gekennzeichnet, daß die Einspeiseinrichtung (144) benachbart zu einer Einkopplungseinrichtung
(132, 132') angeordnet ist, mittels welcher eine elektromagnetische
Strahlung in den Plasmaerzeugungsraum (104) einkoppelbar ist.

70. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 69, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (122) eine Vorkammer (160) zur Aufnahme des Werkstücks (102) vor dem Härtungsvorgang umfaßt.

71. Vorrichtung nach Anspruch 70, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorkammer (160) evakuierbar ist.

72. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 70 oder 71, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorkammer (160) mit einer Einrichtung (132, 136,
140) zum Beaufschlagen des Werkstücks (102) in der Vorkammer (160) mit einer elektromagnetischen Strahlung, insbesondere mit einer Mikrowellenstrahlung, versehen ist.

73. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 70 bis 72, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (122) eine Fördervorrichtung (170), vorzugsweise eine Rollenbahn, zum Fördern des Werkstücks (102) von der Vorkammer (160) in den Plasmaerzeugungsraum (104) umfaßt.

74. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 73, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (122) eine Ausschleuskammer (162) zur Aufnahme des Werkstücks (102) nach dem Härtungsvorgang umfaßt.

75. Vorrichtung nach Anspruch 74, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausschleuskammer (162) evakuierbar ist.

76. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 74 oder 75, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung (122) eine Fördervorrichtung (170), vorzugsweise eine Rollenbahn, zum Fördern des Werkstücks (102) aus dem Plasmaerzeugungsraum (104) in die Ausschleuskammer (162) umfaßt.

77. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 76, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zum Härten einer Beschichtung (100) an einem nicht-planaren Werkstück (102) ausgebildet ist.

78. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 77, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zum Aushärten einer Beschichtung (100) an einem Werkstück (102), das mindestens eine Hinterschneidung und/oder mindestens einen abgeschatteten Bereich aufweist, ausgebildet ist.

79. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 78, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zum Härten einer Beschichtung (100) an einem Werkstück (102), das ein elektrisch leitfähiges Material umfaßt, ausgebildet ist.

80. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 79, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zum Härten einer Beschichtung (100) an einem Werkstück (102), das ein metallisches Material umfaßt, ausgebildet ist.

81. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 80, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zum Härten einer Beschichtung (100) an einem Werkstück (102), das ein Kunststoffmaterial und/oder Holz umfaßt, ausgebildet ist.

82. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 81, dadurch gekennzeichnet, daß dem Plasmaerzeugungsraum (104) als Prozeßgas Stickstoff, Helium und/oder Argon zuführbar ist.

83. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 82, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmaerzeugungsraum (104) ein Prozeßgas enthält, dessen Zusammensetzung während des Härtungsvorganges variiert.

84. Vorrichtung nach Anspruch 83, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung des Prozeßgases so variiert, daß der Schwerpunkt der in dem Plasma während des Härtungsvorgangs erzeugten elektromagnetischen Strahlung während einer Phase des Härtungsvorgangs bei einer ersten Wellenlänge liegt und während einer späteren, zweiten Phase des Härtungsvorgangs bei einer zweiten Wellenlänge liegt, wobei die zweite Wellenlänge von der ersten Wellenlänge verschieden ist.

85. Vorrichtung nach Anspruch 84, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Wellenlänge kleiner ist als die erste Wellenlänge.

86. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 83 bis 85, dadurch gekennzeichnet, daß die Zusammensetzung des Prozeßgases in dem Plasmaerzeugungsraum (104) so variierbar ist, daß sich der Schwerpunkt der in dem Plasma während des Härtungsvorgangs erzeugten elektromagnetischen Strahlung mit wachsender Härtungsdauer zu kleineren Wellenlängen hin verschiebt.

87. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 86, dadurch gekennzeichnet, daß der Plasmaerzeugungsraum (104) zu dem Zeitpunkt, in dem das Plasma gezündet wird, Argon, vorzugsweise im wesentlichen ausschließlich Argon, enthält.

88. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 87, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine oder mehrere Einspeiseinrichtungen (144) umfaßt, über welche dem Plasmaerzeugungsraum (104) ein oder mehrere Gase und/oder ein Gasgemisch zuführbar sind.

89. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 88, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung mehrere Einkopplungseinrichtungen (132, 132') zum Erzeugen des Plasmas durch Einkopplung von elektromagnetischer Strahlung in den Plasmaerzeugungsraum (104) umfaßt, wobei mindestens zwei der Einkopplungseinrichtungen (132, 132') voneinander verschiedene Einkopplungsleistungen aufweisen.

90. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 89, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung mehrere Einkopplungseinrichtungen (132, 132') zum Erzeugen des Plasmas durch Einkopplung von elektromagnetischer Strahlung in den Plasmaerzeugungsraum (104) umfaßt, wobei mindestens zwei der Einkopplungseinrichtungen (132, 132') von unterschiedlicher Bauart sind.

91. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 90, dadurch gekennzeichnet, daß in dem Plasmaerzeugungsraum (104) mindestens ein Reflektor (202) zum Reflektieren der in dem Plasma erzeugten elektromagnetischen Strahlung vorgesehen ist.

92. Vorrichtung nach Anspruch 91, dadurch gekennzeichnet, daß in dem
Plasmaerzeugungsraum (104) mindestens eine Spiegelfolie als Reflektor vorgesehen ist.

93. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 91 oder 92, dadurch gekennzeichnet, daß zumindest ein Teilbereich der Begrenzungswände des
Plasmaerzeugungsraums (104) als Reflektor (202) ausgebildet ist.

94. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 91 bis 93, dadurch gekennzeichnet, daß der mindestens eine Reflektor (202) als reflektierendes Material Aluminium und/oder Edelstahl umfaßt.

95. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 91 bis 94, dadurch gekennzeichnet, daß der mindestens eine Reflektor (202) aus dem Plasmaerzeugungsraum (104) entnehmbar ist.

96. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 95, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine oder mehrere Absaugeinrichtungen (208) zum Absaugen von Gas aus dem Plasmaerzeugungsraums (104) umfaßt.

97. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 96, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung mindestens eine Absaugeinrichtung (208) mit mindestens einer Drosselklappe (200) zum Variieren des Drucks in dem
Plasmaerzeugungsraum (104) umfaßt.

98. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 97, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine zumindest teilweise elektrisch isolierende
Halterung (212) umfaßt, mittels welcher das Werkstück (102) elektrisch von den Begrenzungswänden des Plasmabegrenzungsraums (104) getrennt ist.

99. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 98, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) auf ein von dem elektrischen Potential der Begrenzungswände des Plasmaerzeugungsraums (104) verschiedenes elektrisches Potential legbar ist.

100. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 99, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine elektrisch leitfähige Halterung (212) umfaßt, mittels weicher das Werkstück (102) elektrisch leitend mit den Begrenzungswänden des Plasmaerzeugungsraums (104) verbunden ist.

101. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 100, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) auf dasselbe elektrische Potential wie die Begrenzungswände des Plasmaerzeugungsraums (104) legbar ist.

102. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 101, dadurch gekennzeichnet, daß das Werkstück (102) auf Massepotential legbar ist.

103. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 102, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung zum Härten einer Beschichtung (100) an dem Werkstück (102), die durch elektromagnetische Strahlung, welche zumindest einen Anteil von UV-Strahlung umfaßt, oder durch Wärme oder durch eine Kombination von elektromagnetischer Strahlung, welche zumindest einen Anteil von UV-Strahlung umfaßt, und Wärme härtbar ist, ausgebildet ist.

104. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 103, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine Einrichtung zum Beaufschlagen des
Werkstücks (102) vor, während und/oder nach der Erzeugung des Plasmas mit einer elektromagnetischen Strahlung, die nicht in dem Plasma erzeugt wird, vorzugsweise mit Mikrowellenstrahlung und/oder mit Infrarot-Strahlung, umfaßt.

105. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 104, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine Einrichtung zum Trocknen des Werkstücks (102) vor, nach und/oder während der Erzeugung des Plasmas umfaßt.

106. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 105, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine Einrichtung zum Beaufschlagen des
Werkstücks (102) mit einem unterhalb des Atmosphärendrucks liegenden Druck, vorzugsweise mit einem Druck im Bereich von ungefähr
2000 Pa bis ungefähr 50000 Pa, vor der Erzeugung des Plasmas umfaßt.

107. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 106, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine Einrichtung zum Beaufschlagen des
Werkstücks (102) mit einem unterhalb des Atmosphärendrucks liegenden Druck, welcher höher ist als der Druck, mit dem das Werkstück
(102) während der Erzeugung des Plasmas beaufschlagt wird, vor der
Erzeugung des Plasmas umfaßt.

108. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 58 bis 107, dadurch gekennzeichnet, daß die Vorrichtung eine Einrichtung zum Erzeugen eines
Magnetfeldes in dem Plasmaerzeugungsraum (104) umfaßt.

109. Vorrichtung nach Anspruch 108, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke des von der Einrichtung zur Erzeugung des Magnetfelds erzeugten
Magnetfeldes während des Härtungsvorgangs variierbar ist.

110. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 108 oder 109, dadurch gekennzeichnet, daß die Erzeugung des Magnetfelds in dem Plasmaerzeugungsraum (104) relativ zu dem Beginn des Härtungsvorgangs verzögerbar ist.

111. Vorrichtung nach einem der Ansprüche 108 bis 110, dadurch gekennzeichnet, daß die Stärke des mittels der Einrichtung zur Erzeugung eines Magnetfelds erzeugten Magnetfeldes in dem Plasmaerzeugungsraum
(104) räumlich variabel ist.