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1. WO2003088368 - ORTSEMPFINDLICHE GERMANIUMDETEKTOREN MIT MIKROSTRUKTUR AUF BEIDEN KONTAKTFLÄCHEN

Veröffentlichungsnummer WO/2003/088368
Veröffentlichungsdatum 23.10.2003
Internationales Aktenzeichen PCT/EP2003/003485
Internationales Anmeldedatum 03.04.2003
IPC
G01T 1/161 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
TMessung von Kern- oder Röntgenstrahlung
1Messen von Röntgenstrahlung, Gammastrahlung, Teilchenstrahlung oder kosmischer Strahlung
16Messen der Strahlungsintensität
161Anwendungen auf dem Gebiet der Nuklearmedizin, z.B. In-vivo-Zählung
G01T 1/24 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
TMessung von Kern- oder Röntgenstrahlung
1Messen von Röntgenstrahlung, Gammastrahlung, Teilchenstrahlung oder kosmischer Strahlung
16Messen der Strahlungsintensität
24mit Halbleiterdetektoren
G01T 1/29 2006.01
GPhysik
01Messen; Prüfen
TMessung von Kern- oder Röntgenstrahlung
1Messen von Röntgenstrahlung, Gammastrahlung, Teilchenstrahlung oder kosmischer Strahlung
29Messung an Strahlenbündeln, z.B. Lage oder Querschnitt des Bündels; Messung der räumlichen Verteilung von Strahlung
H01L 31/115 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
115Bauelemente, die auf Strahlung mit sehr kurzer Wellenlänge ansprechen, z.B. Röntgenstrahlung, Gammastrahlung oder Teilchenstrahlung
H01L 31/118 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
115Bauelemente, die auf Strahlung mit sehr kurzer Wellenlänge ansprechen, z.B. Röntgenstrahlung, Gammastrahlung oder Teilchenstrahlung
118mit Verwendung einer Oberflächensperrschicht oder eines flachen PN- Übergangs, z.B. Oberflächensperrschichtdetektoren für Alpha-Teilchen
CPC
H01L 31/022408
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
0224Electrodes
022408for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
H01L 31/115
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
115Devices sensitive to very short wavelength, e.g. X-rays, gamma-rays or corpuscular radiation
Anmelder
  • FORSCHUNGSZENTRUM JÜLICH GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • PROTIC, Davor [HR]/[DE] (UsOnly)
  • KRINGS, Thomas [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • PROTIC, Davor
  • KRINGS, Thomas
Vertreter
  • GILLE HRABAL STRUCK NEIDLEIN PROP ROOS
Prioritätsdaten
102 17 426.118.04.2002DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) ORTSEMPFINDLICHE GERMANIUMDETEKTOREN MIT MIKROSTRUKTUR AUF BEIDEN KONTAKTFLÄCHEN
(EN) POSITION-SENSITIVE GERMANIUM DETECTORS HAVING A MICROSTRUCTURE ON BOTH CONTACT SURFACES
(FR) DETECTEURS AU GERMANIUM SENSIBLES A LA POSITION COMPORTANT UNE MICROSTRUCTURE SUR LES DEUX FACES DE CONTACT
Zusammenfassung
(DE)
Die Erfindung betrifft einen ortsauflösenden Detektor für die Messung von geladenen Teilchen mit einem Oberflächenbereich, der durch eine amorphe Schicht und eine darüber befindliche, strukturierte metallische Schicht gebildet ist, dadurch gekennzeichnet, dass die Struktur der metallischen Schicht in die amorphe Schicht hinein fortgesetzt ist.
(EN)
The invention relates to a high-resolution detector used to measure charged particles in a surface area that is formed by an amorphous layer and a superimposed, structured metal layer, whereby the structure of the metal layer extends right into the amorphous layer.
(FR)
L'invention concerne un détecteur sensible à la position, destiné à la mesure de particules chargées, comportant une zone de surface formée par une couche amorphe et par une couche métallique structurée, située au dessus de la couche amorphe. Le détecteur selon l'invention est caractérisé en ce que la structure de la couche métallique se prolonge dans la couche amorphe.
Auch veröffentlicht als
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