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1. (WO2003083873) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER REFERENZSCHICHT UND MIT EINER DERARTIGEN REFERENZSCHICHT VERSEHENE MRAM-SPEICHERZELLE
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/083873    Internationale Anmeldenummer    PCT/DE2003/000775
Veröffentlichungsdatum: 09.10.2003 Internationales Anmeldedatum: 11.03.2003
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    28.10.2003    
IPC:
G11C 11/15 (2006.01), G11C 11/16 (2006.01), H01F 41/30 (2006.01)
Anmelder: INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; St.-Martin-Str. 53, 81669 München (DE) (For All Designated States Except US).
KLOSTERMANN, Ulrich [DE/DE]; (DE) (For US Only).
RUEHRIG, Manfred [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: KLOSTERMANN, Ulrich; (DE).
RUEHRIG, Manfred; (DE)
Vertreter: KOTTMANN, Dieter; Müller, Hoffmann & Partner, Patentanwälte, Innere Wiener Str. 17, 81667 München (DE)
Prioritätsdaten:
102 14 159.2 28.03.2002 DE
Titel (DE) VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINER REFERENZSCHICHT UND MIT EINER DERARTIGEN REFERENZSCHICHT VERSEHENE MRAM-SPEICHERZELLE
(EN) METHOD FOR PRODUCING A REFERENCE LAYER AND AN MRAM MEMORY CELL PROVIDED WITH SAID TYPE OF REFERENCE LAYER
(FR) PROCEDE POUR PRODUIRE UNE COUCHE DE REFERENCE ET CELLULE DE MEMOIRE MRAM DOTEE D'UNE TELLE COUCHE DE REFERENCE
Zusammenfassung: front page image
(DE)Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer Referenzschicht für MRAM-Speicherzellen und eine mit einer derartigen Referenzschicht ausgestattete MRAM-Speicherzelle. Eine derartige Referenzschicht besteht aus zwei magnetisch gekoppelten Schichten mit unterschiedlicher Curietemperatur. Beim Abkühlen von einer Temperatur oberhalb der Curietemperatur TC1 der ersten Schicht (10) in einem äußeren Magnetfeld richtet sich die Magnetisierung der zweiten Schicht (11) durch einen Phasenübergang zweiter Ordnung entlang der Feldrichtung des äußeren Magnetfeldes aus. Bei weiterem Abkühlen unterhalb der Curietemperatur TC2 der zweiten Schicht (11) richtet sich diese durch die antiferromagnetische Kopplung zwischen beiden Schichten antiparallel zur ersten Schicht (10) aus.
(EN)The invention relates to a method for producing a reference layer for MRAM-memory cells and to a MRAM-memory cell provided with said type of reference layer. Said type of reference layer is made of two magnetically coupled layers having a different Curie temperature. When the first layer (10) is cooled from a temperature above the Curie temperature TC1 in an external magnetic field the magnetisation of the second layer (11) is orientated by means of a transition of a second order along the direction of the outer magnetic field. When the second layer (11) is cooled below the Curie temperature TC2, said magnetisation is orientated by means of the antiferromagnetic coupling between both layers in an anti-parallel manner in relation to the first layer (10).
(FR)L'invention concerne un procédé pour produire une couche de référence pour des cellules de mémoire MRAM, ainsi qu'une cellule de mémoire MRAM équipée d'une telle couche de référence. Ladite couche de référence se compose de deux couches à couplage magnétique présentant une température de Curie différente. Lorsque les couches passent d'une température supérieure à la température de Curie TC1 de la première couche (10) à une température inférieure à celle-ci dans un champ magnétique extérieur, la magnétisation de la seconde couche (11) s'oriente dans la direction du champ magnétique extérieur par l'intermédiaire d'une transition de phase de deuxième ordre. Lorsque les couches sont refroidies jusqu'à une température inférieure à la température de Curie TC2 de la seconde couche (11), la magnétisation de cette seconde couche (11) s'oriente entre les deux couches de façon antiparallèle à la première couche (10) en raison du couplage antiferromagnétique.
Designierte Staaten: CN, JP, KR, US.
European Patent Office (DE, FR, GB, IE, IT, NL).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)