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1. WO2003081813 - OPTISCHER FASEREMPFAENGER MIT ERHOEHTER BANDBREITE

Veröffentlichungsnummer WO/2003/081813
Veröffentlichungsdatum 02.10.2003
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2003/000969
Internationales Anmeldedatum 24.03.2003
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 25.09.2003
IPC
G02B 6/42 2006.01
GPhysik
02Optik
BOptische Elemente, Systeme oder Geräte
6Lichtleiter; Strukturelle Einzelheiten von Anordnungen, die Lichtleiter und andere optische Elemente umfassen, z.B. Verbindungen
24Verbinden von Lichtleitern
42Verbinden von Lichtleitern mit optoelektronischen Bauelementen
H01L 27/14 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
14mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
H01L 27/144 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
14mit Halbleiterschaltungselementen, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung
144Strahlungsgesteuerte Bauelemente
H01L 31/02 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
02Einzelheiten
H01L 31/0352 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
0248gekennzeichnet durch die Halbleiterkörper
0352gekennzeichnet durch die Gestalt, relative Größe oder Anordnung der Halbleiterbereiche
H01L 31/10 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
31Halbleiterbauelemente, die auf Infrarot-Strahlung, Licht, elektromagnetische Strahlung kürzerer Wellenlänge als Licht oder Korpuskularstrahlung ansprechen und besonders ausgebildet sind, entweder für die Umwandlung der Energie einer derartigen Strahlung in elektrische Energie oder für die Steuerung elektrischer Energie durch eine derartige Strahlung eingerichtet sind; Verfahren oder Vorrichtungen, besonders ausgebildet für die Herstellung oder Behandlung dieser Halbleiterbauelemente oder Teilen davon; Einzelheiten dieser Bauelemente
08in denen die Strahlung den Stromfluss durch das Bauelement steuert, z.B. Fotowiderstände
10gekennzeichnet durch wenigstens eine Potenzialsprung-Sperrschicht oder Oberflächensperrschicht, z.B. Fototransistoren
CPC
H01L 27/1443
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
14including semiconductor components sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
144Devices controlled by radiation
1443with at least one potential jump or surface barrier
H01L 31/02019
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
02Details
02016Circuit arrangements of general character for the devices
02019for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
H01L 31/03529
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
0248characterised by their semiconductor bodies
0352characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
035272characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
03529Shape of the potential jump barrier or surface barrier
H01L 31/103
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
31Semiconductor devices sensitive to infra-red radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
08in which radiation controls flow of current through the device, e.g. photoresistors
10characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. phototransistors
101Devices sensitive to infra-red, visible or ultra-violet radiation
102characterised by only one potential barrier or surface barrier
103the potential barrier being of the PN homojunction type
H03F 3/087
HELECTRICITY
03BASIC ELECTRONIC CIRCUITRY
FAMPLIFIERS
3Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
04with semiconductor devices only
08controlled by light
087with IC amplifier blocks
H04B 10/2581
HELECTRICITY
04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
BTRANSMISSION
10Transmission systems employing electromagnetic waves other than radio-waves, e.g. infrared, visible or ultraviolet light, or employing corpuscular radiation, e.g. quantum communication
25Arrangements specific to fibre transmission
2581Multimode transmission
Anmelder
  • MELEXIS GMBH [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • ZIMMERMANN, Horst [DE]/[AT] (UsOnly)
  • FOERTSCH, Michael [AT]/[AT] (UsOnly)
  • PLESS, Holger [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • ZIMMERMANN, Horst
  • FOERTSCH, Michael
  • PLESS, Holger
Vertreter
  • LEONHARD, Reimund
Prioritätsdaten
102 13 045.022.03.2002DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) OPTISCHER FASEREMPFAENGER MIT ERHOEHTER BANDBREITE
(EN) OPTICAL FIBER RECEIVER HAVING AN INCREASED BANDWIDTH
(FR) RECEPTEUR A FIBRES OPTIQUES PRESENTANT UNE MEILLEURE BANDE PASSANTE
Zusammenfassung
(DE)
Es wird ein optischer Faserempfänger (11) für optoelektronische integrierte Schaltungen (OEICs) mit verbesserter Empfindlichkeit und verbesserter Bandbreite beschrieben. Die Verbesserungen werden durch Unterteilung der Fotodiode in Teil-Fotodioden (D1, D2) erreicht, wobei jede Teil-Fotodiode mit einem eigenen Transimpedanzverstärker (20, 21) verschaltet ist und die Ausgangssignale der einzelnen Transimpedanzverstärker in einem Summenverstärker (30) addiert werden. Der optische Faserempfänger kann mit verschiedenen Technologien hergestellt werden: in CMOS, BICMOS, BIPOLAR.
(EN)
The invention relates to an optical fiber receiver (11) for optoelectronic integrated circuits (OEIC's) having an improved sensitivity and improved bandwidth. The improvements are achieved by subdividing the photodiodes into partial photodiodes (D1, D2), whereby each partial photodiode is connected to a respective transimpedance amplifier (20, 21), and the output signals of the individual transimpedance amplifiers are added inside a summation amplifier (30). The optical fiber receiver can be produced using different technologies: CMOS, BICMOS, BIPOLAR.
(FR)
L'invention concerne un récepteur à fibres optiques (11) destiné à des circuits intégrés optoélectroniques (OEIC) présentant une sensibilité et une bande passante améliorées. Les améliorations sont obtenues par séparation de la photodiode en photodiodes partielles (D1, D2), chaque photodiode partielle étant connectée à un amplificateur d'adaptation d'impédance correspondant (20, 21) et les signaux de sortie des amplificateurs d'adaptation d'impédance individuels étant additionnés dans un amplificateur de somme (30). Ledit récepteur à fibres optiques peut être fabriqué au moyen de différentes techniques : CMOS, BICMOS, bipolaire.
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten