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1. (WO2003081679) HALBLEITERAUFBAU MIT SCHALTELEMENT UND RANDELEMENT

Pub. No.:    WO/2003/081679    International Application No.:    PCT/DE2003/000790
Publication Date: Fri Oct 03 01:59:59 CEST 2003 International Filing Date: Thu Mar 13 00:59:59 CET 2003
IPC: H01L 29/06
H01L 29/808
Applicants: SICED ELECTRONICS DEVELOPMENT GMBH & CO. KG
DOHNKE, Karl-Otto
ELPELT, Rudolf
FRIEDRICHS, Peter
MITLEHNER, Heinz
SCHÖRNER, Reinhold
Inventors: DOHNKE, Karl-Otto
ELPELT, Rudolf
FRIEDRICHS, Peter
MITLEHNER, Heinz
SCHÖRNER, Reinhold
Title: HALBLEITERAUFBAU MIT SCHALTELEMENT UND RANDELEMENT
Abstract:
Der Halbleiteraufbau zum Steuern und Schalten eines Stroms (I) umfasst ein Schaltelement (110) und ein Randelement (120). Das Schaltelement (110) enthält ein mittels einer An-odenelektrode (60) und einer Kathodenelektrode (50) kontaktiertes erstes Halbleitergebiet (2) eines ersten Leitungstyps, eine innerhalb des ersten Halbleitergebiets (2) angeordnete erste Verarmungszone (24), die zur Stromsteuerung mittels einer an einer Steuerelektrode (40) anstehenden Steuerspannung beeinflussbar ist, und ein innerhalb des ersten Halbleitergebiets (2) vergrabenes Inselgebiet (3) eines zweiten Leitungstyps. Das Randelement (120) enthält ein innerhalb des ersten Halbleitergebiets (2) vergrabenes Randgebiet (31) des zweiten Leitungstyps, das auf gleicher Höhe wie das vergrabene Inselgebiet (3) angeordnet ist, und ein daran angrenzendes Randabschlussgebiet (32) des zweiten Leitungstyps.