WIPO logo
Mobil | Englisch | Español | Français | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Suche in nationalen und internationalen Patentsammlungen
World Intellectual Property Organization
Suche
 
Durchsuchen
 
Übersetzen
 
Optionen
 
Aktuelles
 
Einloggen
 
Hilfe
 
Maschinelle Übersetzungsfunktion
1. (WO2003081679) HALBLEITERAUFBAU MIT SCHALTELEMENT UND RANDELEMENT
Aktuellste beim Internationalen Büro vorliegende bibliographische Daten   

TranslationÜbersetzung: Original-->Deutsch
Veröff.-Nr.:    WO/2003/081679    Internationale Veröffentlichungsnummer:    PCT/DE2003/000790
Veröffentlichungsdatum: 02.10.2003 Internationales Anmeldedatum: 12.03.2003
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen:    16.09.2003    
IPC:
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/808 (2006.01)
Anmelder: SICED ELECTRONICS DEVELOPMENT GMBH & CO. KG [DE/DE]; Paul-Gossen-Strasse 100, 91052 Erlangen (DE) (For All Designated States Except US).
DOHNKE, Karl-Otto [DE/DE]; (DE) (For US Only).
ELPELT, Rudolf [DE/DE]; (DE) (For US Only).
FRIEDRICHS, Peter [DE/DE]; (DE) (For US Only).
MITLEHNER, Heinz [DE/DE]; (DE) (For US Only).
SCHÖRNER, Reinhold [DE/DE]; (DE) (For US Only)
Erfinder: DOHNKE, Karl-Otto; (DE).
ELPELT, Rudolf; (DE).
FRIEDRICHS, Peter; (DE).
MITLEHNER, Heinz; (DE).
SCHÖRNER, Reinhold; (DE)
Vertreter: BERG, Peter; Siemens AG, Postfach 22 16 34, 80506 München (DE)
Prioritätsdaten:
102 13 534.7 26.03.2002 DE
Titel (DE) HALBLEITERAUFBAU MIT SCHALTELEMENT UND RANDELEMENT
(EN) SEMI-CONDUCTOR STRUCTURE COMPRISING A SWITCH ELEMENT AND AN EDGE ELEMENT
(FR) STRUCTURE SEMICONDUCTRICE COMPORTANT UN ELEMENT DE COMMUTATION ET UN ELEMENT MARGINAL
Zusammenfassung: front page image
(DE)Der Halbleiteraufbau zum Steuern und Schalten eines Stroms (I) umfasst ein Schaltelement (110) und ein Randelement (120). Das Schaltelement (110) enthält ein mittels einer An-odenelektrode (60) und einer Kathodenelektrode (50) kontaktiertes erstes Halbleitergebiet (2) eines ersten Leitungstyps, eine innerhalb des ersten Halbleitergebiets (2) angeordnete erste Verarmungszone (24), die zur Stromsteuerung mittels einer an einer Steuerelektrode (40) anstehenden Steuerspannung beeinflussbar ist, und ein innerhalb des ersten Halbleitergebiets (2) vergrabenes Inselgebiet (3) eines zweiten Leitungstyps. Das Randelement (120) enthält ein innerhalb des ersten Halbleitergebiets (2) vergrabenes Randgebiet (31) des zweiten Leitungstyps, das auf gleicher Höhe wie das vergrabene Inselgebiet (3) angeordnet ist, und ein daran angrenzendes Randabschlussgebiet (32) des zweiten Leitungstyps.
(EN)The invention relates to a semi-conductor structure for controlling and switching a current (I), comprising a switch element (110) and an edge element (120). Said switch element (110) contains a first semi-conductor area (2) of a first conductor type contacted by means of an anode electrode (60) and a cathode electrode (50), a depletion area (24) which is arranged inside the first semi-conductor area (2) and which can be influenced by a control voltage applied to the control electrode (40) for a current control, and an island area (3) of a second conductor type which is buried inside the first semi-conductor area (2). The edge element (120) contains an edge area (31) of the second conductive type which is buried inside the first semi-conductive area (2) and which is arranged on the same level as the buried island area (3), in addition to an edge terminating area (32) of a second conductor type adjacent to the edge area (31).
(FR)L'invention concerne une structure semiconductrice servant à commander et à commuter un courant (I), comportant un élément de commutation (110) et un élément marginal (120). L'élément de commutation (110) comporte une première zone semiconductrice (2) d'un premier type de conduction, mise en contact au moyen d'une anode (60) et d'une cathode (50), une première zone de déplétion (24), située à l'intérieur de la première zone semiconductrice (2) et pouvant être influencée par une tension de commande appliquée à une électrode de commande (40) pour assurer la commande du courant, et un îlot (3) d'un deuxième type de conduction, enterré dans la première zone semiconductrice (2). L'élément marginal (120) comporte une zone marginale (31) du deuxième type de conduction, enterrée dans la première zone semiconductrice (2), placée au même niveau que l'îlot enterré (3), ainsi qu'une zone d'extrémité marginale (32) du deuxième type de conduction, adjacente à la zone marginale (31).
Designierte Staaten: JP, US.
European Patent Office (AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR).
Veröffentlichungssprache: German (DE)
Anmeldesprache: German (DE)