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1. WO2003081671 - LOGISCHE BAUTEILE AUS ORGANISCHEN FELDEFFEKTTRANSISTOREN

Veröffentlichungsnummer WO/2003/081671
Veröffentlichungsdatum 02.10.2003
Internationales Aktenzeichen PCT/DE2003/000843
Internationales Anmeldedatum 14.03.2003
Antrag nach Kapitel 2 eingegangen 04.09.2003
IPC
H01L 27/00 2006.01
HElektrotechnik
01Grundlegende elektrische Bauteile
LHalbleiterbauelemente; elektrische Festkörperbauelemente, soweit nicht anderweitig vorgesehen
27Bauelemente, die aus einer Mehrzahl von in oder auf einem gemeinsamen Substrat ausgebildeten Halbleiter- oder anderen Festkörperschaltungselementen bestehen
H03K 3/03 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
3Schaltungen zur Erzeugung elektrischer Impulse; Monostabile, bistabile oder multistabile Schaltungen
02Impulserzeuger, die durch den Schaltungstyp oder durch die zur Impulserzeugung verwendeten Einrichtungen gekennzeichnet sind
027unter Verwendung von Verknüpfungsgliedern mit interner oder externer positiver Rückkopplung
03Astabile Schaltungen
H03K 3/354 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
3Schaltungen zur Erzeugung elektrischer Impulse; Monostabile, bistabile oder multistabile Schaltungen
02Impulserzeuger, die durch den Schaltungstyp oder durch die zur Impulserzeugung verwendeten Einrichtungen gekennzeichnet sind
353mit Feldeffekttransistoren als aktive Elemente mit interner oder externer positiver Rückkopplung
354Astabile Schaltungen
H03K 19/02 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
19Verknüpfungsschaltungen, d.h. Schaltungen, bei denen wenigstens zwei Eingangssignale zu einem Ausgangssignal verknüpft werden; Inverterschaltungen
02gekennzeichnet durch die verwendeten Bauelemente
H03K 19/08 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
19Verknüpfungsschaltungen, d.h. Schaltungen, bei denen wenigstens zwei Eingangssignale zu einem Ausgangssignal verknüpft werden; Inverterschaltungen
02gekennzeichnet durch die verwendeten Bauelemente
08mit Halbleiterbauelementen
H03K 19/094 2006.01
HElektrotechnik
03Grundlegende elektronische Schaltkreise
KImpulstechnik
19Verknüpfungsschaltungen, d.h. Schaltungen, bei denen wenigstens zwei Eingangssignale zu einem Ausgangssignal verknüpft werden; Inverterschaltungen
02gekennzeichnet durch die verwendeten Bauelemente
08mit Halbleiterbauelementen
094unter Verwendung von Feldeffekt-Transistoren
CPC
H01L 27/283
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
27Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
28including components using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part
283comprising components of the field-effect type
H01L 51/0512
HELECTRICITY
01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
51Solid state devices using organic materials as the active part, or using a combination of organic materials with other materials as the active part; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of such devices, or of parts thereof
05specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential- jump barrier or surface barrier ; multistep processes for their manufacture
0504the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or swiched, e.g. three-terminal devices
0508Field-effect devices, e.g. TFTs
0512insulated gate field effect transistors
Anmelder
  • SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT [DE]/[DE] (AllExceptUS)
  • FICKER, Jürgen [DE]/[DE] (UsOnly)
  • FIX, Walter [DE]/[DE] (UsOnly)
  • ULLMANN, Andreas [DE]/[DE] (UsOnly)
Erfinder
  • FICKER, Jürgen
  • FIX, Walter
  • ULLMANN, Andreas
Vertreter
  • ZINSINGER, Norbert
Prioritätsdaten
102 12 640.221.03.2002DE
Veröffentlichungssprache Deutsch (DE)
Anmeldesprache Deutsch (DE)
Designierte Staaten
Titel
(DE) LOGISCHE BAUTEILE AUS ORGANISCHEN FELDEFFEKTTRANSISTOREN
(EN) LOGIC COMPONENTS FROM ORGANIC FIELD EFFECT TRANSISTORS
(FR) COMPOSANTS LOGIQUES FORMES DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP ORGANIQUES
Zusammenfassung
(DE)
Mit Hilfe der Erfindung lassen sich schnelle logische Gatter, die auf organischen Feldeffekt-Transistoren aufbauen, trotz konventioneller p-Mos-Technik herstellen. Dies ist zum einen auf den Frühsättigungseffekt von OFETs mit sehr dünnen Halbleiterschichten zurückzuführen, zum anderen auf OFETs mit speziellen Eigenschaften für organische Logikbauelemente und in einem neuen schaltungstechnischen Layout dieser Logikbauelemente.
(EN)
The invention makes it possible to produce fast logical gates based on organic field effect transistors, albeit using conventional p-Mos technology. This is due to the early saturation effect of OFETs with thin semiconductor layers, to OFETs with special properties for organic logic components and to a novel circuit logic layout of said logic components.
(FR)
L'invention permet d'obtenir, pour la première fois, des grilles logiques rapides réalisées sur des transistors à effet de champ organiques, bien qu'en ayant recours à une technique p-Mos conventionnelle. Ceci est à attribuer, d'une part, à l'effet de saturation précoce de OFET à couches semi-conductrices très minces et, d'autre part, à des OFET de propriétés spéciales pour composants logiques organiques, et dans un nouveau layout de technique de montage de ces composants logiques.
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